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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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良好的散熱設(shè)計(jì)也會(huì)對(duì)功率密度的變化產(chǎn)生積極影響。選擇良好的基板肯定會(huì)通過(guò)減少散熱器表面（特別是在功率應(yīng)用中）減少散熱面，從而有助于更好地散熱。
在全球矚目的慕尼黑電子展（Electronica）上，半導(dǎo)體巨頭英飛凌再次展現(xiàn)了其創(chuàng)新實(shí)力，通過(guò)一場(chǎng)盛大的媒體發(fā)布會(huì)，隆重推出了多款CoolGaN?系列...
GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器研究
以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)，高電子飽和速度，高頻和高功率等特性，在射頻和電力電子器件領(lǐng)域具有巨大的性能優(yōu)勢(shì)。
CPU的計(jì)算能力是怎么來(lái)的？開關(guān)如何變成的CPU？
幾乎每天都會(huì)開燈關(guān)燈，但這簡(jiǎn)單的開關(guān)卻是組成CPU的基本單元。? 特意分享本文，來(lái)看下怎么構(gòu)建CPU這個(gè)非0即1的開關(guān)世界。從晶體管到門電路????上世...
即便如此，晶體管數(shù)量的增加趨勢(shì)其實(shí)仍有一定的參考價(jià)值，雖然各大廠商也不能完全遵循這一趨勢(shì)，但基本也不會(huì)偏離太遠(yuǎn)。國(guó)外分析師David Schor為此做了...
全環(huán)繞柵極晶體管將如何改變半導(dǎo)體行業(yè)
針對(duì)微芯片行業(yè)速度最快、最精密且最具能效的集成電路的爭(zhēng)奪戰(zhàn)在全球各大制造巨頭之間愈演愈烈，這正是芯片制造商為何要將全新的晶體管設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)集成到其最先進(jìn)的節(jié)...
納米電子學(xué)的“模擬助推器”，進(jìn)一步改善晶體管
蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院的兩個(gè)研究小組開發(fā)了一種方法，可以逼真，快速，高效地模擬納米電子器件及其性能。
2020-04-14 標(biāo)簽：晶體管 2.1k 0
沃茲用陰郁的色調(diào)描述了他對(duì)未來(lái)的展望
被“接管”的想法從來(lái)沒(méi)有正面的影響。 當(dāng)另一家公司接管你的公司時(shí)，你知道你是在推動(dòng)。 人類被接管的想法只是關(guān)于你能想象的每一部丑陋的科幻電影。
2020-03-15 標(biāo)簽：計(jì)算機(jī)晶體管沃茲尼亞克 2.1k 0
FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來(lái)了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成...
把CPU和城市作類比，其中的控制及協(xié)調(diào)模塊可以類比為政府及協(xié)調(diào)部門、電源模塊相當(dāng)于供電部門、內(nèi)部的走線相當(dāng)于街道，而其中一個(gè)有一個(gè)的小模塊可以看做是小區(qū)...
華為公開“半導(dǎo)體器件”專利：提升場(chǎng)效應(yīng)晶體管電流驅(qū)動(dòng)能力
根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位...
2023-10-11 標(biāo)簽：晶體管源極半導(dǎo)體元件 2.1k 0
中國(guó)集成電路過(guò)去15年是歷史上發(fā)展最快的時(shí)期。而當(dāng)前新的形勢(shì)正帶來(lái)“天時(shí)地利人和”，又一個(gè)黃金10年正在到來(lái)。
在一個(gè)芯片上集成控制電子器件和自旋量子位，可以大大簡(jiǎn)化兩者之間的互連。但是要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，提高量子位的工作溫度至關(guān)重要。在此之前，量子計(jì)算機(jī)被證明只能在...
臺(tái)積電正在研究2024年的2nm iPhone處理器?
極紫外光（EUV）微顯影技術(shù)的提升，使臺(tái)積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關(guān)鍵技術(shù)更為成熟，良率提升進(jìn)度較預(yù)期順利。臺(tái)積電此前透露2nm研...
現(xiàn)代半導(dǎo)體器件主要依賴電荷實(shí)現(xiàn)對(duì)信息的表達(dá)、存儲(chǔ)、傳輸和處理。在此基礎(chǔ)上，以晶體管作為基本單元，通過(guò)控制電荷流，完成信息的處理與計(jì)算等功能。
2020-09-02 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 2.1k 0
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強(qiáng)模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)...
用方波驅(qū)動(dòng)IGBT合適嗎？ 方波是一個(gè)矩形波形，它具有快速上升和下降的邊沿。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種常用的功率開關(guān)設(shè)備，常用于高電壓和高電流...
2024-02-06 標(biāo)簽：功率開關(guān)IGBT晶體管 2.1k 0
2023年全球智能手機(jī)圖像傳感器市場(chǎng)：索尼穩(wěn)居領(lǐng)先，豪威增長(zhǎng)率顯著
報(bào)告中提到，自2023年起，憑藉高端手機(jī)需求的契機(jī)以及更具競(jìng)爭(zhēng)力的大尺寸CIS產(chǎn)品組合，索尼進(jìn)一步提高了自身市場(chǎng)占有率。值得關(guān)注的是，他們新款搭載50M...
如今芯片設(shè)計(jì)面臨著諸多挑戰(zhàn)，成本與良率、晶體管效率、裸片尺寸限制以及功耗與性能的取舍等等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
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