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標(biāo)簽 > 氮化硅
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。
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氮化硅LPCVD工藝及快速加熱工藝(RTP)系統(tǒng)詳解
銅金屬化過(guò)程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護(hù)電介質(zhì)層（Passivatio...
氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特...
2023-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化硅寬帶隙半導(dǎo)體 8.7k 0
在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對(duì)氮化硅的去除工藝， 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對(duì)氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們...
硅烷（SiH4），是CVD里很常見(jiàn)的一種氣體，在CVD中通常用來(lái)提供硅的來(lái)源，用途很廣泛，我們來(lái)詳細(xì)了解一下。
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶...
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
氮化硅陶瓷在四大領(lǐng)域的研究及應(yīng)用進(jìn)展
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點(diǎn):密度低、耐高溫、自潤(rùn)滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密...
目前使用較多的燒結(jié)助劑是 Y2O3-MgO，但是仍不可避免地引入了氧雜質(zhì)，因此可以選用非氧化物燒結(jié)助劑來(lái)替換氧化物燒結(jié)助劑，如 YF3-MgO、MgF2...
介紹了光量子芯片在未來(lái)實(shí)現(xiàn)可實(shí)用化大規(guī)模光量子計(jì)算與信息處理應(yīng)用方面展示出巨大潛力，并對(duì)硅基集成光量子芯片技術(shù)進(jìn)行介紹。
常用制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的燒結(jié)工藝現(xiàn)狀
隨著集成電路工業(yè)的發(fā)展，電力電子器件技術(shù)正朝著高電壓、大電流、大功率密度、小尺寸的方向發(fā)展。因此，高效的散熱系統(tǒng)是高集成電路必不可少的一部分。
類別：測(cè)試測(cè)量論文 2018-03-20 標(biāo)簽：氮化硅 1.7k 0
類別：電子資料 2023-11-02 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池發(fā)電晶體硅 829 0
在選擇陶瓷基板材料時(shí)，還需要考慮其對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響。不同的陶瓷基板材料具有不同的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，這會(huì)影響到電路的傳輸特性和性能穩(wěn)定性。因此，需要根據(jù)...
用磷酸揭示氮化硅對(duì)二氧化硅的選擇性蝕刻機(jī)理
關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲(chǔ)密度，我們?nèi)A...
中國(guó)第3代半導(dǎo)體半導(dǎo)體理想封裝材料——高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”難題
2022年9月，威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)規(guī)模，高導(dǎo)熱...
一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的...
如何提高氮化硅的實(shí)際熱導(dǎo)率實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的問(wèn)題解決
綜合上述研究可發(fā)現(xiàn)，雖然燒結(jié)方式不一樣，但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)，需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素，因...
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)...
在新能源汽車(chē)快速發(fā)展的今天，電力電子系統(tǒng)的性能提升已成為行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ，其技術(shù)演進(jìn)直接影響著整車(chē)的能效和可靠性。在眾多陶...
2025-08-02 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)陶瓷基板氮化硅 4.7k 0
氮化硅（Si?N?）薄膜是一種高性能介質(zhì)材料，在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅，還具備對(duì)...
國(guó)科光芯實(shí)現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm（1550 nm波長(zhǎng)）級(jí)別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，經(jīng)過(guò)兩年、十余次的設(shè)計(jì)和工藝迭代，國(guó)科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：國(guó)科光芯）在國(guó)內(nèi)首個(gè)8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了傳...
簡(jiǎn)析新型氮化硅光子集成電路實(shí)現(xiàn)極低的光學(xué)損耗
據(jù)報(bào)道，光子集成電路（PIC）通常采用硅襯底，大自然中有豐富的硅原料，硅的光學(xué)性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成電路無(wú)法實(shí)現(xiàn)所需的各項(xiàng)功能，因此出現(xiàn)...
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