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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率，逐步取代傳統(tǒng)硅器件，成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然...
從替代到必需：氮化鎵正在重寫電源系統(tǒng)的“游戲規(guī)則”
如果你留意過這兩年手機(jī)充電器的變化，會發(fā)現(xiàn)它們越來越小、越來越輕，但充電速度卻越來越快。背后的“功臣”，就是氮化鎵。這項(xiàng)曾被視作硅的“備胎”的材料，如今...
2026-04-20 標(biāo)簽：充電器氮化鎵電源系統(tǒng) 1.8k 0
捷捷微×羅格朗：一顆8.6mΩ的JMTQ60N04B，如何撐起27W氮化鎵快充面板？
隨著全屋智能與便捷充電需求的日益增長，墻上的86面板正經(jīng)歷著一場深刻的技術(shù)變革。傳統(tǒng)的USB插座因充電速度慢、兼容性差，已難以滿足當(dāng)下消費(fèi)者對“快充”的...
鉭電容、氮化鎵、鍺硅晶體管……沒有這些“配角”金屬，芯片設(shè)計(jì)再牛也白搭
說到芯片，你腦子里是不是立刻浮現(xiàn)出“硅”、“納米”、“光刻機(jī)”這些詞？ 正常工作，背后需要的稀有金屬，可能比你想的要復(fù)雜得多，也脆弱得多。 2023年那...
智創(chuàng)無界，芯向未來：深圳爭妍微參與2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢大會
2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢大會暨 2025 年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商-電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌頒獎(jiǎng)盛典圓滿舉行，深圳爭妍微電子有限公司亮相展會并斬獲...
意法半導(dǎo)體推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件
從快充充電器到工業(yè)自動化，氮化鎵正成為高功率密度電源設(shè)計(jì)的核心選擇。意法半導(dǎo)體近日推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件，持續(xù)推動氮化鎵技術(shù)在更廣闊...
2026-04-11 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 3.3k 0
機(jī)器人新型電驅(qū)動技術(shù)：GaN技術(shù)引爆“動力革命”，單臺用量將破千顆
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，隨著人形機(jī)器人從“能動”向“靈巧”跨越，其設(shè)計(jì)面臨著極高的空間約束與性能要求。面對高功率密度、高頻響應(yīng)及微型化的需求。諧波磁場電機(jī)...
ARK（方舟微）耗盡型MOSFET產(chǎn)品在英飛凌PD快充方案的應(yīng)用
隨著USB PD 3.1協(xié)議的逐步普及，快充電源正向著更高功率密度持續(xù)演進(jìn)。USB PD 3.1標(biāo)準(zhǔn)將擴(kuò)展功率范圍（EPR）提升至最高240W（48V/...
廣芯微電子聯(lián)手英諾賽科突破高速電機(jī)控制邊界
伴隨氮化鎵（GaN）功率器件、超高速電機(jī)與高功率密度系統(tǒng)持續(xù)演進(jìn)，電機(jī)控制系統(tǒng)正進(jìn)入新的技術(shù)拐點(diǎn)。尤其在高速、低電感、高電角速度應(yīng)用中，一個(gè)長期被行業(yè)忽...
納微半導(dǎo)體推出采用GaNFast技術(shù)的最新DC-DC供電板
納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼:NVTS），氮化鎵 (GaN) 和 GeneSiC? 碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者 (納斯達(dá)克股票代碼：NV...
意法半導(dǎo)體推出氮化鎵功率開關(guān)管半橋模塊MasterGaN6
意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN系列氮化鎵功率開關(guān)管半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6，該功率系統(tǒng)級封裝（SiP）在一個(gè)封裝內(nèi)集成新的BCD柵極驅(qū)動...
2026-03-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片 1.8k 0
聯(lián)想最新INBOX標(biāo)配的65W 49cc氮化鎵充電器，以1.32W/cm3的高功率密度實(shí)現(xiàn)便攜與性能的平衡。拆解后不難發(fā)現(xiàn)，支撐這一核心優(yōu)勢的關(guān)鍵器件之...
東海半導(dǎo)體亮相2026功率半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用與裝備展覽會
3月11日，以“智驅(qū)未來?芯聚生態(tài)”為主題的 2026第三屆功率半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用與裝備展覽會暨金剛石產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展論壇 在 合肥 舉行。大會匯聚了來自產(chǎn)業(yè)...
2026-03-19 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.6k 0
功率模塊前沿技術(shù)解析：寬禁帶+高集成，引領(lǐng)電力電子新趨勢
功率模塊的技術(shù)迭代，始終圍繞“高效、高密、高可靠、智能化”核心，寬禁帶技術(shù)和高集成設(shè)計(jì)是當(dāng)下最核心的發(fā)展方向。對于電子工程師來說，提前掌握前沿技術(shù)，才能...
高效賦能多口快充：捷捷微電助力安克160W氮化鎵智顯充電器實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)降壓
近日，全球知名充電品牌安克創(chuàng)新推出旗艦級氮化鎵充電器——Prime智顯充Pro160W，憑借其多口智能功率分配、實(shí)時(shí)功率顯示屏與緊湊高效的氮化鎵架構(gòu)，為...
鍵合率達(dá)95%！三菱電機(jī)推進(jìn) GaN-on-Diamond 新技術(shù)
憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度，已成為高功率、高頻電子器件領(lǐng)域的核心材料?；贕aN的高電子遷移率晶體管...
低阻高導(dǎo)｜捷捷微電 JMSL1006PG 助力小米大功率氮化鎵充電方案
近日，小米推出了全新的140W8合1氮化鎵桌面充電站，以一體化的多接口設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的多設(shè)備同時(shí)快充能力，以及高效的氮化鎵技術(shù)，為用戶打造了整潔、高效的桌面...
2026年2月，美鎵傳感在新一輪股權(quán)融資中獲得國新國證投資的領(lǐng)投，這是公司自合肥市產(chǎn)投資本和合肥高新投投資后的第二輪融資。 國新國證投資是中國國新、國新...
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