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離子束技術(shù)

揭秘聚焦離子束技術(shù)如何塑造未來(lái)科技

在肉眼無(wú)法直接觸及的微觀世界里，隱藏著決定現(xiàn)代科技產(chǎn)品性能的因素。從智能手機(jī)里運(yùn)算速度越來(lái)越快的芯片，到新材料中精妙的原子排列，科學(xué)家和工程師們需要一種...

2026-03-24 標(biāo)簽：材料 fib 離子束 132 0

聚焦離子束（FIB）技術(shù)在芯片失效分析中的應(yīng)用詳解

聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束（FocusedIonBeam,FIB）技術(shù)作為現(xiàn)代半導(dǎo)體失效分析的核心手段之一，通常與掃描電子顯微鏡（ScanningElec...

2025-12-04 標(biāo)簽：芯片失效分析 fib 1k 0

聚焦離子束-掃描電鏡（FIB-SEM）的三大應(yīng)用技術(shù)

聚焦離子束-掃描電鏡（FIB-SEM）雙束系統(tǒng)是現(xiàn)代材料科學(xué)研究中不可或缺的多維表征平臺(tái)。該系統(tǒng)將聚焦離子束的精準(zhǔn)加工能力與掃描電鏡的高分辨率成像功能有...

2025-11-24 標(biāo)簽：fib 離子束掃描電鏡 633 0

答疑篇：聚焦離子束（FIB）常見(jiàn)問(wèn)題

聚焦離子束（FIB）技術(shù)作為材料分析領(lǐng)域的重要工具，已在納米科技、半導(dǎo)體和材料科學(xué)研究中發(fā)揮著不可替代的作用。1.FIB制樣的注意事項(xiàng)有哪些？①首先確定...

2025-11-21 標(biāo)簽：材料 fib 離子束 705 0

聚焦離子束技術(shù)在TEM樣品制備中的應(yīng)用

聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)是一種先進(jìn)的微觀加工與分析手段，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體研究等領(lǐng)域...

2025-11-11 標(biāo)簽：顯微鏡 fib 離子束 486 0

帶你一文了解聚焦離子束（FIB）加工技術(shù)

在微觀尺度上進(jìn)行精細(xì)操作是科學(xué)和工程領(lǐng)域長(zhǎng)期面臨的重要挑戰(zhàn)。聚焦離子束（FocusedIonBeam,FIB）加工技術(shù)為解決這一難題提供了有效途徑。該技...

2025-11-10 標(biāo)簽：fib 離子源離子束 762 0

氬離子拋光制樣：精準(zhǔn)解析內(nèi)部結(jié)構(gòu)

氬離子拋光技術(shù)是一種前沿的表面處理工藝，它通過(guò)精確調(diào)控氬離子束的多種參數(shù)，如電壓、電流、入射角度等，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面的精細(xì)化拋光處理。氬離子拋光技術(shù)在材料...

2025-10-31 標(biāo)簽：材料顯微鏡離子束 429 0

SEM/FIB雙束系統(tǒng)及其截面加工技術(shù)

掃描電子顯微鏡（SEM）與聚焦離子束（FIB）結(jié)合形成的雙束系統(tǒng)，是現(xiàn)代微納加工與材料分析領(lǐng)域中一種高度集成的多功能儀器平臺(tái)。該系統(tǒng)通過(guò)在同一真空腔體內(nèi)...

2025-10-30 標(biāo)簽：SEM fib 電子顯微鏡 495 0

納米加工技術(shù)的核心：聚焦離子束及其應(yīng)用

聚焦離子束技術(shù)的崛起在納米科技蓬勃發(fā)展的浪潮中，納米尺度制造業(yè)正以前所未有的速度崛起，而納米加工技術(shù)則是這一領(lǐng)域的心臟。聚焦離子束（FocusedIon...

2025-10-29 標(biāo)簽：聚焦儀器離子束 548 0

聚焦離子束（FIB）技術(shù)在電池材料研究中的應(yīng)用

橫截面分析操作與目的利用聚焦離子束（FIB）技術(shù)對(duì)電池材料進(jìn)行精確切割，能夠制備出適合觀察的橫截面。這一操作的核心目的在于使研究人員能夠直接觀察材料內(nèi)部...

2025-10-20 標(biāo)簽：fib TEM 離子束 522 0

離子束帖子

FIB芯片電路修改是什么意思？

標(biāo)簽：fib 芯片電路離子束 1157 0

雙束電漿離子束 (Plasma FIB)

標(biāo)簽：蝕刻離子束 8113 0

離子束資料下載

一文看懂電子束與離子束加工工藝立即下載

類(lèi)別：電子資料 2021-03-17 標(biāo)簽：電源技術(shù)電子束離子束 2.9k 0

離子束資訊

干法刻蝕機(jī)在精密光柵加工中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī), 離子束具有方向性強(qiáng)的特點(diǎn), 刻蝕過(guò)程中對(duì)材料的側(cè)向侵蝕 (鉆蝕)少, 能形成陡峭的光柵槽壁, 適合加工高精度, 高分辨...

2025-08-21 標(biāo)簽：光柵離子束刻蝕機(jī) 1.5k 0

蔡司掃描電鏡Crossbeam聚焦離子束掃描電子顯微鏡

在人工智能（AI）技術(shù)日新月異的時(shí)代，其強(qiáng)大的發(fā)展勢(shì)能對(duì)PCB板（印制電路板）的質(zhì)量提出了更高的要求。作為AI服務(wù)器硬件架構(gòu)的關(guān)鍵組成部分，PCB板的性...

2025-05-24 標(biāo)簽：電鏡圖像電子顯微鏡離子束 803 0

廣電計(jì)量出版FIB領(lǐng)域?qū)Ｖx能半導(dǎo)體質(zhì)量精準(zhǔn)提升

近日，廣電計(jì)量在聚焦離子束（FIB）領(lǐng)域編寫(xiě)的專(zhuān)業(yè)著作《聚焦離子束：失效分析》正式出版，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)聚焦離子束領(lǐng)域?qū)嵺`性專(zhuān)業(yè)書(shū)籍的空白，為該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展...

2025-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體離子束廣電計(jì)量 1.1k 0

上海伯東IBE離子束刻蝕機(jī)介紹

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產(chǎn)生的離子在 200~ 1000ev 的范...

2024-12-26 標(biāo)簽：離子束刻蝕機(jī) 2k 0

聚焦離子束(FIB)加工硅材料的損傷機(jī)理及控制

???? 聚焦離子束（FIB）在材料表征方面有著廣泛的應(yīng)用，包括透射電鏡（TEM）樣品的制備。在這方面，F(xiàn)IB比傳統(tǒng)的氬離子束研磨具有許多優(yōu)勢(shì)。例如，電...

2024-12-19 標(biāo)簽：fib 離子束刻蝕 2.9k 0

聚焦離子束分析技術(shù)-在汽車(chē)級(jí)芯片的失效分析

質(zhì)量保證在汽車(chē)行業(yè)的重要性在汽車(chē)制造領(lǐng)域，質(zhì)量是企業(yè)的生命線，因此汽車(chē)制造商和他們的電子配件供應(yīng)商都必須對(duì)其產(chǎn)品的質(zhì)量提供嚴(yán)格的保證。這些保證通常包括時(shí)...

2024-12-13 標(biāo)簽：汽車(chē)制造汽車(chē)芯片離子束 1.6k 0

上海伯東IBE離子束刻蝕機(jī)優(yōu)勢(shì)

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料。是一種干法物理納米級(jí)別的刻蝕，刻蝕均勻性 ≤±5%（部分材料 ±3%）。...

2024-11-27 標(biāo)簽：離子束刻蝕機(jī) 1.5k 0

離子束刻蝕機(jī)物理量傳感器 MEMS 刻蝕應(yīng)用

口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很...

2024-09-12 標(biāo)簽：傳感器 mems 離子束 1.4k 0

離子束拋光在微電子封裝失效分析領(lǐng)域的應(yīng)用

共讀好書(shū) 王剛馮麗婷李潮黎恩良鄭林挺胡宏偉劉家儒夏姍姍武慧薇（工業(yè)和信息化部電子第五研究所）摘要：首先，以具體微電子封裝失效機(jī)理和失...

2024-07-04 標(biāo)簽：失效分析離子束微電子封裝 1.5k 0

離子注入機(jī)的簡(jiǎn)易原理圖

本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。離子注入機(jī)的原理是什么？

2024-04-18 標(biāo)簽：離子束 5.6k 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi)：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
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紫光同創(chuàng)

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深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司，緊跟國(guó)際設(shè)計(jì)技術(shù)前沿，立足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片及EDA設(shè)計(jì)工具的開(kāi)發(fā)。公司主要產(chǎn)品為高性能可重構(gòu)系統(tǒng)芯片，產(chǎn)品主要應(yīng)用于各類(lèi)通信設(shè)備、終端設(shè)備、工業(yè)控制設(shè)備。
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74LS00

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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門(mén)電路，它滿足與非門(mén)的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門(mén)的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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