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標(biāo)簽 > 芯片封裝
安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)電熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印制板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。
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什么是金屬間化合物（IMC）金屬間化合物（IMC）是兩種及以上金屬原子經(jīng)擴(kuò)散反應(yīng)形成的特定化學(xué)計(jì)量比化合物，其晶體結(jié)構(gòu)決定界面機(jī)械強(qiáng)度與電學(xué)性能。在芯片...
在摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下，芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的矛盾愈發(fā)尖銳。
電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體，正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的迭代升級，功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的...
芯片封裝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步，它不僅保護(hù)了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響，還提供了與外部電路連接的方式。通過一系列復(fù)雜的工藝步驟，芯片從晶圓...
紅外 LED 封裝技術(shù)及應(yīng)用：創(chuàng)新封裝驅(qū)動智能感知未來
引言：紅外LED——隱形的智能之眼在當(dāng)今智能化浪潮中，紅外LED（InfraredLED,IRLED）作為不可見光領(lǐng)域的核心器件，正以"隱形之...
本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象：金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
混合集成電路（HIC）芯片封裝對工藝精度和產(chǎn)品質(zhì)量要求極高，真空回流爐作為關(guān)鍵設(shè)備，其選型直接影響封裝效果。本文深入探討了在混合集成電路芯片封裝過程中選...
2025-06-16 標(biāo)簽：集成電路芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 2.1k 0
引線鍵合的定義--什么是引線鍵合？引線鍵合（WireBonding）是微電子封裝中的關(guān)鍵工藝，通過金屬細(xì)絲（如金線、鋁線或銅線）將芯片焊盤與外部基板、引...
打線鍵合就是將芯片上的電信號從芯片內(nèi)部“引出來”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細(xì)的金屬線（多為金線、鋁線或銅線）將芯片的焊盤（bond pad）和支架（如引線框...
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析：以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...
半導(dǎo)體硅表面氧化處理：必要性、原理與應(yīng)用
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（S...
2025-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 2.9k 0
在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域，焊接工藝的優(yōu)劣直接關(guān)乎產(chǎn)品的性能與可靠性。隨著電子器件不斷向小型化、高性能化發(fā)展，傳統(tǒng)焊接技術(shù)逐漸暴露出諸多局限性。在此背景下，甲酸...
2025-05-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 2.5k 0
針對BGA（球柵陣列）底部填充膠（Underfill）固化異常延遲或不固化的問題，需從材料、工藝、設(shè)備及環(huán)境等多方面進(jìn)行綜合分析。以下為常見原因及解決方...
之前給大家介紹了晶圓制備和芯片制造：晶圓是如何制造出來的？從入門到放棄，芯片的詳細(xì)制造流程！從今天開始，我們聊聊芯片的封裝和測試（通常簡稱“封測”）。這...
自集成電路誕生以來，摩爾定律一直是其發(fā)展的核心驅(qū)動力。根據(jù)摩爾定律，集成電路單位面積上的晶體管數(shù)量每18到24個(gè)月翻一番，性能也隨之提升。然而，隨著晶體...
概倫電子芯片封裝連接性驗(yàn)證工具PadInspector介紹
當(dāng)今時(shí)代人們對產(chǎn)品性能要求越來越高，SoC設(shè)計(jì)也隨之變得越來越復(fù)雜，由此導(dǎo)致SoC內(nèi)模塊數(shù)量呈指數(shù)級增長。不同于傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法，芯片封裝設(shè)計(jì)中的l/O p...
Cadence解決方案助力高性能傳感器封裝設(shè)計(jì)
在技術(shù)和連通性主宰一切的時(shí)代，電子和機(jī)械設(shè)計(jì)的融合將徹底改變用戶體驗(yàn)。獨(dú)立開發(fā)器件的時(shí)代已經(jīng)過去；市場對創(chuàng)新、互聯(lián)產(chǎn)品的需求推動了業(yè)內(nèi)對協(xié)作方法的需求。
本主要講解了芯片封裝中銀燒結(jié)工藝的原理、優(yōu)勢、工程化應(yīng)用以及未來展望。
高密度系統(tǒng)級封裝：技術(shù)躍遷與可靠性破局之路
本文聚焦高密度系統(tǒng)級封裝技術(shù)，闡述其定義、優(yōu)勢、應(yīng)用場景及技術(shù)發(fā)展，分析該技術(shù)在熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、電磁干擾下的可靠性問題及失效機(jī)理，探討可靠性提升策略，...
芯片封裝中的四種鍵合方式：技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用
芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，承擔(dān)著物理保護(hù)、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中，鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁，直接影響芯片的性能與可靠性。當(dāng)...
2025-04-11 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備芯片鍵合 3.7k 0
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