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標簽 > 英諾賽科
英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產業(yè)化的高新技術企業(yè)。公司采用IDM全產業(yè)鏈模式,集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力。
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近年來,一直發(fā)力第三代半導體測試解決方案的泰克科技,近期攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應用未來,雙方將合作攻克氮化鎵更快開關速度、更高開關頻率等一系...
2021年6月5日,英諾賽科(蘇州)半導體有限公司在蘇州汾湖高新區(qū)舉辦量產暨研發(fā)樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年,是全球領先的硅基氮化鎵IDM企業(yè),...
全球領先氮化鎵IDM企業(yè)發(fā)力,33W GaN快充迅速上量
外型小巧是該方案的一大特色,其內部電路設計更是十分精簡,通過圖片可見,該方案僅僅只用兩塊PCB板就實現了全部功能,讓人眼前一亮。并且完全實現了核心技術的...
ASML是全球芯片制造設備領導廠商,其生產的XT400和XT860 的i-line和KrF經過升級,能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。
隨著5G、新能源和快充等應用的興起,第三代半導體材料也開始嶄露頭角。br /?br /電子發(fā)燒友網《2021半導體產業(yè)展望》專題, 收到近50位國內外半...
英諾賽科半導體蘇州芯片項目主廠順利完成封頂 預計2020年可實現規(guī)?;慨a
英諾賽科(蘇州)半導體有限公司(以下簡稱英諾賽科)是一家專業(yè)從事新型第三代半導體材料、器件以及集成電路開發(fā)與制造的高科技公司。近日,芯片項目主廠房經過1...
英諾賽科寬禁帶半導體項目落戶蘇州市吳江區(qū),總投資60億
6月23日,英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據悉,該項目總投資60億,占地368畝,建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產、芯...
與寒武紀1A相比,三款新品在功耗、能效比、成本開銷等方面進行了優(yōu)化,性能功耗比再次實現飛躍,適用范圍覆蓋了圖像識別、安防監(jiān)控、智能駕駛、無人機、語音識別...
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