最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過不斷改良和工藝設備發(fā)展,亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工,特別在半導體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術。
蝕刻技術
一文詳解淺溝槽隔離技術
隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術節(jié)點,原始的本征氧化隔離技術(LocOS)已不適應。“隔離”是指利用介質材料或反向PN結隔離集成電路的有源區(qū)器件,消除寄...
2025-03-12
標簽:集成電路工藝隔離技術
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一文詳解銅大馬士革工藝
但隨著技術迭代,晶體管尺寸持續(xù)縮減,電阻電容(RC)延遲已成為制約集成電路性能的關鍵因素。在90納米及以下工藝節(jié)點,銅開始作為金屬互聯(lián)材料取代鋁,同時采...
2025-02-07
標簽:工藝晶體管蝕刻
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典型的氧化局限面射型雷射結構
為了改善上述蝕刻柱狀結構以及離子布植法制作面射型雷射的缺點,在1994年從德州大學奧斯丁分校獲得博士學位的D.L. Huffaker 首次發(fā)表利用選擇性...
2025-01-21
標簽:元件雷射蝕刻
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深入探討 PCB 制造技術:化學蝕刻
作者:Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中,化學蝕刻仍然是行業(yè)標準。蝕刻以其精度和可擴展性而聞名,它提供了一種創(chuàng)建詳細電路圖案的可靠方...
2025-01-25
標簽:電路板蝕刻PCB
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側墻工藝是什么意思
與亞微米工藝類似,側墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質層,從而保護LDD 結構,防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結構的擴展區(qū)。側墻是由兩個主要工藝步驟形...
2024-11-09
標簽:集成電路工藝蝕刻
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半導體蝕刻工藝科普
過度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會導致表面粗糙。當硅表面在HF過程中暴露于OH離子時,硅表面可能會變得粗糙。
2024-11-05
標簽:硅晶圓蝕刻光刻膠
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濕法蝕刻的發(fā)展
蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時間,轉移到?jīng)_洗站去除酸,然后轉移到最終...
2024-10-24
標簽:晶圓蝕刻
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晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋
共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...
2024-07-30
標簽:光刻蝕刻晶圓制造
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基于光譜共焦技術的PCB蝕刻檢測
傳統(tǒng)的2D視覺技術已經(jīng)無法滿足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測。3D成像技術則以其獨特的優(yōu)勢,輕松地在視野范圍內構建目標物的狀態(tài),無論是斷差還是孔徑...
2024-05-27
標簽:pcb蝕刻光譜
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通信——通過表面電荷操縱控制鍺的蝕刻
引言 鍺是下一代背面成像器的有希望的替代品,因為最近的同質外延生長已經(jīng)產生了非常低的缺陷密度。鍺的固有特性使其能夠進行高速硬X射線檢測,并在硅基本透明的...
2024-04-25
標簽:蝕刻edl
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關于兩種蝕刻方式介紹
干式蝕刻是為對光阻上的圖案忠實地進行高精密加工的過程,故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差(選擇比)較大、且能夠確保蝕刻的非等向性(主要隨材料層的厚度方向進...
2024-04-18
標簽:蝕刻
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半導體制造工藝 - 晶圓制造的過程
芯片制造是當今世界最為復雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個復雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總,對這個復雜的過程有一個全面而概括的描述。
2024-03-29
標簽:芯片制造蝕刻單晶硅
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芯片制作流程分解說明
芯片制造的最后一道工序為測試,其又可分為一般測試和特殊測試,前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性,如消耗功率、運行速度、耐壓度等。
2024-03-25
標簽:芯片NAND晶圓
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細述幾種高效晶體硅太陽能電池技術
一般高效單晶硅電池采用化學腐蝕制絨技術,制得絨面的反射率可達到10%以下。目前較為先進的制絨技術是反應等離子蝕刻技術(RIE),該技術的優(yōu)點是和晶硅的晶...
2024-03-19
標簽:太陽能電池蝕刻晶體硅
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半導體硅材料的特性解析
硅元素在自然界中主要以氧化物形式為主的化合物狀態(tài)存在。這些化合物在常溫下的化學性質十分穩(wěn)定。而在高溫下,硅幾乎可以所有物質發(fā)生化學反應。
2024-03-15
標簽:晶圓半導體材料蝕刻
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一文讀懂芯片混合鍵合工藝流程
在封裝史上,最后一次重大范式轉變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時起,更先進的封裝形式(例如晶圓級扇出和 TCB)一直是相同核心原理的漸進式改進。
2024-02-27
標簽:晶圓芯片設計蝕刻
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