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標(biāo)簽 > 金剛石
文章：119個(gè) 瀏覽：9987次 帖子：0個(gè)
研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對(duì)其進(jìn)行各向異性濕法腐蝕，從而制備出不同的結(jié)構(gòu)，這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。
Felix Ejeckam于2003年發(fā)明了金剛石上的GaN，以有效地從GaN晶體管中最熱的位置提取熱量。其基本理念是利用較冷的GaN放大器使系統(tǒng)更節(jié)能...
常見(jiàn)晶格類(lèi)型有哪些?特點(diǎn)是什么?
每個(gè)面為兩個(gè)相鄰的晶胞所共有，每個(gè)面心格點(diǎn)只有二分之一是屬于一個(gè)晶胞，而處于頂角上的每個(gè)格點(diǎn)只有八分之一屬于一個(gè)晶胞，所以每個(gè)面心立方晶胞只含有4個(gè)格點(diǎn)。
金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料，它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。 一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石 金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個(gè)...
金剛石半導(dǎo)體應(yīng)用與優(yōu)缺點(diǎn)
金剛石半導(dǎo)體是指將人造金剛石用作半導(dǎo)體材料的技術(shù)和產(chǎn)物。由于金剛石具有極高的熱導(dǎo)率、電絕緣性、硬度和化學(xué)穩(wěn)定性，因此金剛石半導(dǎo)體可以用于制造高功率、高頻...
金剛石是碳元素（C）的單質(zhì)同素異構(gòu)體之一，為面心立方結(jié)構(gòu)，每個(gè)碳原子都以sp雜化軌道與另外4個(gè)碳原子形成σ型共價(jià)鍵，C—C鍵長(zhǎng)為0.154nm，鍵能為7...
金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料，人造金剛石晶體有多種不同的類(lèi)型，大致可分為單形和聚形，每種類(lèi)型都具有不同的特性和應(yīng)用。本文梳理了金剛石晶體的不同類(lèi)型及應(yīng)用。
金剛石是碳元素（C）的單質(zhì)同素異構(gòu)體之一，為面心立方結(jié)構(gòu)，每個(gè)碳原子都以sp雜化軌道與另外4個(gè)碳原子形成σ型共價(jià)鍵，C—C鍵長(zhǎng)為0.154nm，鍵能為7...
碳和硅的原子序數(shù)分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關(guān)系，表明它們?cè)谀承┓矫婢哂蓄?lèi)似的性質(zhì)。
金剛石和晶體硅都是原子晶體，它們的熔沸點(diǎn)主要取決于原子間的鍵合強(qiáng)度。以下是一些關(guān)鍵因素，這些因素決定了金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅： 原子間鍵的類(lèi)型 ：金剛...
太赫茲波處于電磁波譜中電子學(xué)與光子學(xué)之間的空隙區(qū)域，具有不同于低頻微波和高頻光學(xué)的獨(dú)特屬性，在無(wú)線(xiàn)通信、生物醫(yī)學(xué)、公共安全等軍事和民用領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用...
2024-01-04 標(biāo)簽：無(wú)線(xiàn)通信金剛石太赫茲 3.8k 0
金剛石具有極高的硬度、良好的耐磨性和光電熱等特性，廣泛應(yīng)用于磨料磨具、光學(xué)器件、新能源汽車(chē)和電子封裝等領(lǐng)域，但金剛石表面惰性強(qiáng)，納米金剛石分散穩(wěn)定性差，...
硅終端金剛石半導(dǎo)體與場(chǎng)效應(yīng)管器件研究進(jìn)展
金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，近年來(lái)成為大家關(guān)注的熱點(diǎn)。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進(jìn)展，但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒(méi)有很好解決。氫終端...
2023-08-17 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3.5k 0
金剛石是一種“終極材料”，在硬度、聲速、熱導(dǎo)率、楊氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能；其他性能包括從紫外線(xiàn)到紅外線(xiàn)的寬波長(zhǎng)光譜的透射率、熱穩(wěn)定性和...
SIC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)良的熱導(dǎo)率，是GaN基的理想襯底材料，如LED,LD。因此，SiC襯底加工技術(shù)是器件制作的重...
異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進(jìn)展
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩...
關(guān)于薄膜金剛石的化學(xué)機(jī)械拋光的研究報(bào)告
摘要 納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優(yōu)越楊晶模量(1100GPa)，以及在低溫下生長(zhǎng)的能力(450C)，這推動(dòng)了NCD薄膜生長(zhǎng)和應(yīng)用的復(fù)興。...
金剛石晶格約束下二維固態(tài)氦盤(pán)的晶體結(jié)構(gòu)介紹
金剛石憑借其具有超寬帶隙（~5.5eV）、低介電常數(shù)、高載流子遷移率以及極高的擊穿強(qiáng)度以及耐腐蝕性等優(yōu)異的性能，有望成為下一代微電子和光電器件的理想材料...
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一...
CVD金剛石在機(jī)械密封領(lǐng)域中的應(yīng)用
隨著科技的不斷發(fā)展，金剛石在許多領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其中，化學(xué)氣相沉積（CVD）金剛石由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，尤其在機(jī)械密封領(lǐng)域中有著廣...
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