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標簽 > 長江存儲
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長江存儲64層閃存已量產(chǎn),核心任務是推動產(chǎn)能提升
楊道虹表示,目前及今后的一段時間內(nèi),長江存儲核心任務是推動產(chǎn)能爬坡提升,將盡早達成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬片并按期建成30萬片/月產(chǎn)能,提升國家存...
基于Xtacking架構的64層3D NAND閃存已實現(xiàn)量產(chǎn)
現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NA...
長江存儲今年年底量產(chǎn)64層3D NAND,進一步縮短于國外廠商技術差距
國內(nèi)的NAND閃存與國外的技術差距就從之前的三四年縮小到了兩年左右。
陳南翔指出,芯片產(chǎn)業(yè)鏈的動蕩將對現(xiàn)有的全球供應鏈和產(chǎn)業(yè)分工帶來沖擊,甚至對產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式造成重大影響。
2023-07-04 標簽:半導體產(chǎn)業(yè)芯片產(chǎn)業(yè)長江存儲 3.2k 0
昨日消息,國內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路企業(yè)長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
長江存儲推出UFS 3.1高速閃存芯片,加速5G時代存儲升級
2022年4月19日,中國武漢,長江存儲科技有限責任公司(簡稱“長江存儲”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造...
據(jù)證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示,128層3D NAND技術研發(fā)進度...
長江存儲致態(tài)品牌旗下三款SSD分獲2022年度三項大獎
憑借創(chuàng)新的技術突破、巧妙的設計,以及突出的性價比,長江存儲致態(tài)品牌旗下三款SSD分獲《微型計算機》2022年度技術創(chuàng)新獎、2022年度設計創(chuàng)新獎、202...
臺電科技聯(lián)合長江存儲發(fā)布固態(tài)硬盤騰龍系列DS10 I/O速度比肩DDR4
隨著長鑫存儲(CXMT)在DRAM芯片領域作出0到1的突破之后,作為國產(chǎn)存儲半導體的先行者之一,長江存儲(YMTC)也正式發(fā)布并量產(chǎn)新一代純國產(chǎn)64層T...
長江存儲推消費級固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000
2022年4月8日,長江存儲推出新款消費級固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000。
近日,長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”或“我司”)發(fā)現(xiàn)個別境外媒體通過多種渠道刊登、散布關于我司產(chǎn)能建設、產(chǎn)品銷售等不實言論,長江存儲特此...
2021-01-13 標簽:長江存儲 3.1k 0
昨天日經(jīng)新聞亞洲版報道稱,長江存儲2021年的產(chǎn)能將翻倍,達到10萬片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產(chǎn),不過長江存儲今天否認相關內(nèi)容。
在“2020北京微電子國際研討會暨IC World學術會議”上,長江存儲科技有限責任公司CEO楊士寧發(fā)表了《新形勢下中國芯片制造突圍的新路徑》的主題演講...
SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存集成PUC技術研發(fā)
與浮柵將電荷存儲在導體中不同,CTF將電荷存儲在絕緣體中,消除了電池之間的干擾,提高了讀寫性能,同時與浮柵技術相比,減少了單位電池面積。
正值開工日 國內(nèi)半導體企業(yè)復工情況究竟如何?泰德蘭電子2月10日正式復工
本周一(2月10日)泰德蘭電子復工,也是國內(nèi)許多企業(yè)的復工日,但受到疫情的影響,也有部分企業(yè)再次推遲了復工時間。而在半導體市場,為了保證能夠持續(xù)穩(wěn)定的供...
長江存儲64層堆棧3D閃存亮相,年底實現(xiàn)量產(chǎn)
根據(jù)官網(wǎng)資料,長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產(chǎn)和銷售的IDM存...
長江存儲64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預計明年完成生產(chǎn)線建置
紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器(NAND Flash)報捷,已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利,預計明年完成生產(chǎn)線建置、20...
日前,臺積電工程師泄密事件引起人們廣泛關注,半導體產(chǎn)業(yè)公司對此也更加謹慎。同時,全球的DRAM內(nèi)存、NAND閃存主要被三星、SK Hynix、美光、東芝...
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