不要過于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，...

2020-12-09 標(biāo)簽：閃存儲存3d nand 4k 0

平地春雷到“風(fēng)林火山” 憶芯蛻變

憶芯CEO沈飛表示：“STAR1000P正式研發(fā)始于2017年10月9日，其中包含了40名硬件工程師，經(jīng)過286個日夜，提交310萬行設(shè)計驗證代碼，解決...

2019-01-24 標(biāo)簽：閃存SSD控制芯片 4k 0

東芝開發(fā)新型閃存，半圓形存儲單元可進一步提高容量

鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲單元的...

2019-12-24 標(biāo)簽：東芝閃存 4k 0

西數(shù)開發(fā)低延遲閃存(LLF),用于與英特爾的傲騰存儲競爭

在本周的活動上，西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級的延遲，采用SLC或者MLC顆粒。

2019-03-25 標(biāo)簽：閃存西部數(shù)據(jù) 3.9k 0

快閃存儲器的路線之爭

最近的新聞報導(dǎo)指出，英特爾(Intel)與美光(Micron)閃存研發(fā)策略聯(lián)盟的分手，肇因于對未來3D NAND Flash發(fā)展的看法差異，想來合理，且...

2018-06-13 標(biāo)簽：英特爾閃存 3.9k 0

長江存儲證實華為Mate40用上國產(chǎn)閃存

長江存儲去年9月份國內(nèi)第一個宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存，一提到國產(chǎn)閃存，很多人都說沒看見，實際上已經(jīng)有多款產(chǎn)品用上了國產(chǎn)閃存，華為Mate40系列手機現(xiàn)...

2020-11-20 標(biāo)簽：閃存3D華為 3.9k 0

朗科將失去U盤專利保護，U盤授權(quán)利潤率達100%

U盤這個小東西，不僅僅帶來了方便快捷的數(shù)據(jù)移動方案，更重要的是它是少有的由中國本土公司原創(chuàng)的電子產(chǎn)品，專利來源于深圳朗科公司。

2019-11-14 標(biāo)簽：閃存u盤 3.9k 0

簡述NAND閃存的寫入限制與發(fā)展

寫入問題確實是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個限制么？

2021-04-01 標(biāo)簽：閃存NANDemc 3.9k 0

賽普拉斯攜手海力士建NAND閃存合資公司

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，與海力士半導(dǎo)體公司成立合資公司。

2018-11-07 標(biāo)簽：閃存NAND賽普拉斯 3.9k 0

淺析3D CT閃存性能和可靠性分析和優(yōu)化方法

現(xiàn)在我們盤點技術(shù)熱詞，似乎人工智能和區(qū)塊鏈話題熱度呈直線上升。但其實所有這些都構(gòu)建在閃存的基礎(chǔ)架構(gòu)上，而閃存作為數(shù)據(jù)存儲的基石，其可用性，可靠性和性能是...

2019-01-14 標(biāo)簽：閃存3D存儲 3.9k 0

美光宣布“uMCP5”已量產(chǎn)，首次將LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存二合一

繼今年3月首次公開之后，美光今天宣布，全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備。

2020-10-21 標(biāo)簽：閃存UFSLPDDR5 3.9k 0

SK海力士新款4D閃存有什么新的特點

在最近舉辦的CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點采用了SK海力士自家的...

2020-01-13 標(biāo)簽：閃存ssdsk海力士 3.9k 0

今日要聞，國內(nèi)封測廠異軍突起，錘子拖欠酷派巨款

1.465億！京東方宣布在重慶開建第三條6代線AMOLED生產(chǎn)線 在日前的投資者關(guān)系會議上，京東宣布開建第三條6代線AMOLED生產(chǎn)線，總投資46...

2018-12-01 標(biāo)簽：led芯片閃存 3.9k 0

英特爾的“二戰(zhàn)”之路離不開中國市場,國產(chǎn)存儲器企業(yè)陣隊的成形

在剛剛舉行的第六屆中國電子信息博覽會上，紫光董事長趙偉國宣布國內(nèi)首款自主知識產(chǎn)權(quán)的32層3D NAND閃存芯片將在2018年年底前實現(xiàn)量產(chǎn)；64層3D ...

2018-09-28 標(biāo)簽：英特爾閃存存儲器 3.9k 0

群聯(lián)展出16T QLC及SLC+QLC混合固態(tài)硬盤方案

PHISON群聯(lián)是一家存儲解決方案供應(yīng)商，不直接銷售固態(tài)硬盤產(chǎn)品，而是向各家固態(tài)硬盤廠商提供包括主控和固件在內(nèi)的軟硬件方案，并可提供代工服務(wù)。

2020-01-14 標(biāo)簽：閃存slc 3.8k 0

美光公司發(fā)布了2018財年Q3季度財報,創(chuàng)造了美光季度營收新高

根據(jù)美光的財報信息，受益于eMMC、eMCP市場，美光高價值移動NAND閃存營收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類型，去年同期比例不足1%。此外，...

2018-06-27 標(biāo)簽：閃存NAND 3.8k 0

鎧俠K1工廠即將在2020年上半年量產(chǎn) 將主要生產(chǎn)96層及以上的3D閃存

2020年閃存市場有可能從前兩年的降價轉(zhuǎn)向漲價，漲幅甚至高達40%，六大閃存廠商好日子來了。鎧俠（原來的東芝存儲）2018年投資建設(shè)的K1工廠即將在20...

2020-01-03 標(biāo)簽：閃存西數(shù) 3.8k 0

鎧俠公布XL-Flash閃存新特性 犧牲容量換來性能提升

憑借領(lǐng)先一代的PCM相變存儲技術(shù)3D XPoint，Intel的傲騰系列內(nèi)存/SSD在企業(yè)級市場上占了上風(fēng)，延遲超低，壽命也遠(yuǎn)超閃存。

2020-03-05 標(biāo)簽：閃存FlaShslc 3.8k 0

Dialog半導(dǎo)體公司推出業(yè)內(nèi)功耗最低的閃存器件，進一步豐富其IoT產(chǎn)品組合

與現(xiàn)有的SPI NOR Flash解決方案相比，AT25EU系列最大的差異化特性是在不影響性能的前提下實現(xiàn)了更低的總能耗。

2021-04-27 標(biāo)簽：閃存dialogFlash存儲器 3.8k 0