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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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影響視覺成像的核心參數(shù)

鏡頭的光圈值一般從F1.2-F32不等，例如F1.8-F16，對于普通的單反鏡頭來說，通常成像最銳利的光圈值是F5.6或者F8，為什么呢？這涉及到2個概...

2024-01-14 標簽：CMOS 鏡頭機器視覺 2.2k 0

ADC10D020：高性能10位A/D轉(zhuǎn)換器的深度解析

? 在電子設(shè)計領(lǐng)域，A/D轉(zhuǎn)換器是連接模擬世界和數(shù)字世界的橋梁，其性能直接影響到整個系統(tǒng)的精度和穩(wěn)定性。今天，我們要深入探討的是德州儀器（TI）的一款高...

2025-12-07 標簽：CMOS MSPS A/D轉(zhuǎn)換器 2.2k 0

如何精準提取MOSFET溝道遷移率

溝道有效遷移率（μeff）是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP（Ultra-Fast...

2025-05-19 標簽：CMOS MOSFET 半導(dǎo)體 2.2k 0

【CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識】——受歡迎的CMOS邏輯IC

在上期的芝識課堂中，我們和大家簡單認識了邏輯IC的基本知識和分類，并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好，因此得到了最廣泛應(yīng)用...

2023-03-13 標簽：CMOS MOSFET 反相器 2.2k 0

雙通道低邊門極驅(qū)動芯片BTL2752系列簡介

BTL2752系列是一款雙通道、高速、低邊門極驅(qū)動芯片，輸出側(cè)采用軌到軌方式，芯片的兩個通道可并聯(lián)使用，以增強驅(qū)動電流能力；支持兩個標準邏輯選項：雙路反...

2023-10-20 標簽：變壓器 CMOS TTL 2.2k 0

采用背照式技術(shù)的新型科學(xué) CMOS 相機

圖 1.典型的前照式 CCD/sCMOS 傳感器(左)在外觀上是反射性的，而背照式傳感器(右)則顯得較暗。概述微光科學(xué)相機是從量子成像到天文學(xué)等許多...

2024-11-26 標簽：CMOS 光譜 2.2k 0

互連層RC延遲的降低方法

隨著集成電路技術(shù)節(jié)點的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加，互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來的 RC耦合寄生效應(yīng)迅速增長，影響了器件的速度。圖2.3比較了不同技術(shù)...

2025-05-23 標簽：集成電路 CMOS 工藝 2.2k 0

電壓穩(wěn)壓器XC6705系列概述和特點

XC6705系列是CMOS工藝高速LDO電壓穩(wěn)壓器IC，可實現(xiàn)高精度和高紋波抑制，同時低電源電流（1.2μA）。

2023-11-10 標簽：CMOS 驅(qū)動器穩(wěn)壓器 2.1k 0

存儲器工藝概覽:常見類型介紹

? 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個人計算機、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本...

2025-02-14 標簽：CMOS DRAM 存儲器 2.1k 0

使用NVSRAM時的時序注意事項

如果系統(tǒng)電源高于指定的寫保護電壓（V衛(wèi)生紙），三個控制輸入引腳（/CE、/WE和/OE）定義了要執(zhí)行的存儲器操作，如表1所示。寫入命令優(yōu)先于讀取命令。最...

2023-02-07 標簽：CMOS 控制器存儲器 2.1k 0

2.5GHz LNA具有增益階躍，適用于802.11b/g和藍牙應(yīng)用

MAX2645為硅鍺（SiGe）低噪聲放大器（LNA），具有25dB增益步進、關(guān)斷模式和可調(diào)IP3。LNA 經(jīng)過優(yōu)化，可提高 2.4GHz、802.11...

2023-03-03 標簽：CMOS 接收器 LNA 2.1k 0

邁向更緊湊的數(shù)字麥克風(fēng)

手機呈現(xiàn)出一種固有的嘈雜環(huán)境。傳統(tǒng)JFET（以及任何純模擬）解決方案的一個缺點是，模擬麥克風(fēng)輸出信號很容易被放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器之間的干擾信號破壞。因此，...

2023-02-07 標簽：CMOS 放大器晶體管 2.1k 0

基于CMOS電路結(jié)構(gòu)的第二代電流傳輸器電流反饋運算放大器的設(shè)計

文獻中電路單位增益帶寬比較低，又由于電壓模式的帶寬增益積為常數(shù)，因此在處理高頻信號時，增益會變的很低。另外文獻中轉(zhuǎn)換速率也很低，不適合處理高速信號。...

2020-08-13 標簽：cmos 電流運算放大器 2.1k 0

電子背散射衍射(EBSD)裝置的基本布局

EBSD 分析系統(tǒng)的基本布局如圖所示。放入掃描電鏡樣品室內(nèi)的樣品經(jīng)大角度傾轉(zhuǎn)后(一般傾轉(zhuǎn) 65°-70°，通過減小背散射電子射出表面的路徑以獲取足夠強的...

2023-10-21 標簽：傳感器 CMOS CCD 2.1k 0

2納米芯片的背面供電技術(shù)分析

在英特爾簡化的工藝流程中（見圖 5），該工藝首先制造出鰭式場效應(yīng)晶體管（finFET）或全柵極晶體管，然后蝕刻納米硅片并填充鎢或其他低電阻金屬。

2024-02-28 標簽：CMOS 英特爾直流電阻 2.1k 0

ADI：高速轉(zhuǎn)換器應(yīng)用指南：數(shù)字數(shù)據(jù)輸出

由于輸入阻抗較高，輸出阻抗較低，CMOS的優(yōu)勢之一在于通?？梢杂靡粋€輸出驅(qū)動多個CMOS輸入。

2020-10-28 標簽：CMOS 轉(zhuǎn)換器 adi 2.1k 0

CMOS運算放大器LTC6081/82的功能特點及應(yīng)用范圍

LTC6081 和 LTC6082 的每一個放大器僅消耗 330uA 電流，具有可選停機功能，允許每放大器電流降至 0.5uA，這進一步節(jié)省了電池電量。...

2020-12-17 標簽：cmos 放大器 2.1k 0

半導(dǎo)體傳感器如何保證汽車的安全

隨著世界上人口增多和道路上行駛的車輛增多，交通安全的改善還不能很快實現(xiàn)。盡管自2000年以來死亡率已降低了一半以上，從每100，000輛車輛中的135例...

2020-10-25 標簽：傳感器 CMOS 半導(dǎo)體 2.1k 0

借助虛擬工藝加速CMOS工藝優(yōu)化

我們不斷向先進的CMOS的微縮和新存儲技術(shù)的轉(zhuǎn)型，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化。例如，在3D NAND內(nèi)存中，容量的擴展通過垂直堆棧層數(shù)的增加來實現(xiàn)，...

2023-01-06 標簽：CMOS DRAM 虛擬工藝 2.1k 0

T3/E3/STS-1 LIU二次浪涌保護設(shè)計

T3、E3 和 STS-1 線路主要用于建筑內(nèi)應(yīng)用，將一臺設(shè)備連接到另一臺設(shè)備。盡管與外部線路（如T1）相比，建筑物內(nèi)線路的雷擊和電力線交叉的潛在危險本...

2023-02-13 標簽：電源 CMOS 放電管 2.1k 0

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寒武紀是目前國際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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