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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹
EUV 超薄 （≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊，以防止聚...
什么是飛行時(shí)間，3D成像機(jī)器人視覺3D成像方法比較
在經(jīng)典的TOF測量方法中，探測器系統(tǒng)在發(fā)射光脈沖的同時(shí)啟動探測接收單元進(jìn)行計(jì)時(shí)，當(dāng)探測器接收到目標(biāo)發(fā)出的光回波時(shí)，探測器直接存儲往返時(shí)間。
2023-03-15 標(biāo)簽：CMOS工業(yè)機(jī)器人機(jī)器人視覺 1.9k 0
CMOS的靜電放電可能會導(dǎo)致電路損壞，而過壓可能會導(dǎo)致電路過熱，從而影響電路的性能和可靠性。因此，在使用CMOS時(shí)，應(yīng)注意防止靜電放電和過壓。
一文搞懂閂鎖效應(yīng)：電路里的“定時(shí)炸彈”與防護(hù)指南
CMOS工藝中的寄生晶閘管(SCR)結(jié)構(gòu)，是由NMOS和PMOS的寄生NPN/PNP晶體管相互連接形成的。這些寄生晶體管平時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)，但當(dāng)受到電壓尖...
2025-03-21 標(biāo)簽：CMOS電路閂鎖效應(yīng) 1.9k 0
使用數(shù)字電位計(jì)進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)要記住的技巧
相比之下，從可變電阻或雙端子配置來看，游標(biāo)現(xiàn)在可能需要承載大量電流。當(dāng)游標(biāo)靠近電位器的高側(cè)且電位器的低側(cè)接地并連接到游標(biāo)時(shí)，尤其如此，如圖2所示。根據(jù)施...
2023-01-12 標(biāo)簽：CMOS放大器數(shù)字電位計(jì) 1.9k 0
研究人員對使用化學(xué)氣相沉積 (CVD) 生長的 6 英寸石墨烯層進(jìn)行了處理，并使用 Graphenea 的專利轉(zhuǎn)移工藝轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶圓上。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，...
2023-06-20 標(biāo)簽：CMOS石墨烯半導(dǎo)體晶圓 1.9k 0
AN-938： 用于數(shù)字CMOS麥克風(fēng)前置放大器ASIC的數(shù)字和模擬測量單元
本應(yīng)用筆記旨在解釋使用音頻分析儀測量數(shù)字麥克風(fēng)前置放大器的輸入和輸出時(shí)模擬值和數(shù)字值之間的差異。具體而言，檢查以數(shù)字方式（FFS或dBFS）或在模擬域（...
安裝數(shù)量為1-3個(gè)，即對應(yīng)為單目、雙目和三目的方案，配置上可滿足更寬的視野、更深度的感知能力，并具有高動態(tài)范圍。以三目方案為例，分別為前視寬視野、主視野...
天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對純度要求極高，需達(dá)到99.9999999%（即9個(gè)9）以...
用CMOS集成電路制作一個(gè)感應(yīng)驗(yàn)電器
利用CMOS集成電路具有極高的輸入阻抗這一特點(diǎn)，可以自制一個(gè)感應(yīng)式驗(yàn)電器。
2012-03-08 標(biāo)簽：集成電路CMOS感應(yīng)驗(yàn)電器 1.9k 0
當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮CMOS邏輯IC的性能優(yōu)勢，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定可...
以單顆CMOS攝像頭重構(gòu)三維場景，維悟光子發(fā)布單目紅外3D成像模組
硬件系統(tǒng)的輕量化和降本是3D視覺市場演進(jìn)的必然趨勢。維悟光子通過底層原理的創(chuàng)新，僅利用單目CMOS相機(jī)（最簡單的成像系統(tǒng)）就可以獲取完整的3D信息。本次...
集成微控制器的的SOC無線收發(fā)芯片—XL2401C芯片
XL2401C 芯片是工作在 2.400~2.483GHz 世界通用 ISM 頻段，集成微控制器的的 SOC 無線收發(fā)芯片。
ADuM3400/ADuM3401/ADuM3402四通道數(shù)字隔離器，具有增強(qiáng)的系統(tǒng)級ESD可靠性技術(shù)手冊
[ADuM3400]/ADuM3401/[ADuM3402]均為采用ADI公司*i*Coupler ^?^ 技術(shù)的4通道數(shù)字隔離器。這些隔離器件將高速C...
2025-06-05 標(biāo)簽：CMOS數(shù)字隔離器隔離器 1.9k 0
TSV是2.5D和3D集成電路封裝技術(shù)中的關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)技術(shù)。半導(dǎo)體行業(yè)一直在使用HBM技術(shù)將DRAM封裝在3DIC中。
低壓差線性穩(wěn)壓器ADP1712/ADP1713/ADP1714介紹
ADP1712/ADP1713/ADP1714經(jīng)過優(yōu)化，使用小型2.2μF陶瓷輸出電容器實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行，在占用最小板空間的同時(shí)實(shí)現(xiàn)良好的瞬態(tài)性能。
2023-07-07 標(biāo)簽：CMOS線性穩(wěn)壓器 1.9k 0
數(shù)字隔離器充當(dāng)提供電流隔離數(shù)字信號路徑的基本（或通常是加強(qiáng)型）功能。來自德州儀器（TI）的隔離結(jié)構(gòu)是電容性的，其絕緣屏障由我們互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體（C...
CMOS 工藝平臺的金屬方塊電阻的測試結(jié)構(gòu)包含該平臺的所有金屬層，例如如果該平臺使用五層金屬層，那么金屬方塊電阻的測試結(jié)構(gòu)就有第一層金屬（M1）方塊電阻...
在我的上一篇文章中，我談到了一個(gè)功耗過小的器件――是的，的確有這種情況――帶來麻煩的事情。但這種情況很罕見。我處理的更常見情況是客戶抱怨器件功耗大于數(shù)據(jù)...
CMOS 晶體管有助于控制二維憶阻器上的電流。這有助于實(shí)現(xiàn)憶阻器約 500 萬次開關(guān)周期的耐用性，與現(xiàn)有的電阻式 RAM和相變存儲器大致相當(dāng)。如果沒有 ...
2023-04-11 標(biāo)簽：CMOS晶圓神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 1.9k 0
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