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標(biāo)簽 > dram
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù)）
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結(jié)合卷積層來創(chuàng)建一個完整的推理函數(shù)
首先輸入一張1x28x28的圖片，然后兩次通過Conv2d -> ReLU -> MaxPool2d提取特征，最后轉(zhuǎn)為linear，>...
基于DDR DRAM控制器實(shí)現(xiàn)MPMA存取輸入/輸出端口的設(shè)計
為了兼具可擴(kuò)展性和數(shù)據(jù)處理速度，對于各種應(yīng)用，如圖像數(shù)據(jù)偵錯、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等，可編程數(shù)據(jù)處理模塊（Programmable Da...
次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點(diǎn)事
據(jù)韓媒BusinessKorea報導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成...
Apple最近發(fā)表了一篇文章，可以在iphone, MAC 上運(yùn)行大模型：【LLM in a flash: Efficient Large Langua...
熱概念增強(qiáng)DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計
熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計師之間的設(shè)計動態(tài)也在不斷發(fā)展，并可能影響為耐用性...
使用虛擬制造評估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓...
隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動電流的新方法，鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。
HBM 存儲器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔（TSV 或連接孔），并與放置在基礎(chǔ)封裝層上的中間件相連，中間件上還安裝有處理器，提供 HBM...
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中，“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的，尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配，可以說晶體管的小型化已經(jīng)...
在半導(dǎo)體記憶體中，例如一個1G的DRAM，代表一個半導(dǎo)體晶片上擁有10億個能夠記憶1 bit的資訊單位。
在數(shù)據(jù)中心和邊緣運(yùn)行的技術(shù)，如 AI 和視覺，具有與之相關(guān)的巨大內(nèi)存和計算要求
2023-07-07 標(biāo)簽：DRAM存儲器嵌入式系統(tǒng) 1.3k 0
談?wù)劗?dāng)靜態(tài)SRAM芯片存儲字節(jié)的過程是怎樣的
對于X86處理器，它通過地址總線發(fā)出一個具有22位二進(jìn)制數(shù)字的地址編碼－－其中11位是行地址，11位是列地址，這是通過RAM地址接口進(jìn)行分離的。
新能源汽車、5G、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對芯片性能的需求越來越高，采用先進(jìn)封裝技術(shù)的 Chiplet 成為了芯片微縮化進(jìn)程的“續(xù)命良藥”。
2023-06-14 標(biāo)簽：DRAMDDR3可穿戴設(shè)備 1.3k 0
本文作者曾經(jīng)為計算機(jī)主板制造公司撰寫關(guān)于自動超頻(overclock)的BIOS，發(fā)現(xiàn)微處理器由于受限于主存儲器的性能而必須降低頻率頻率來維持計算機(jī)系統(tǒng)...
2018-02-02 標(biāo)簽：dram 1.3k 0
在嵌入式系統(tǒng)中如何利用CPLD技術(shù)來更加方便的使用DRAM？
DRAM控制器由80C186XL狀態(tài)信號S2、S1和S0的解碼來檢測總線的開始、類型和結(jié)束。這些狀態(tài)線是在CLKOUT的上升沿開始有效，在CLKOUT的...
SiCO薄膜在實(shí)踐中表現(xiàn)如何？低介電薄膜如何解決串?dāng)_、隔離問題
串?dāng)_問題自電子學(xué)早期就一直存在。幸運(yùn)的是，我們有一個眾所周知的解決方式：隔離。在嘈雜的房間中，隔離需要在每個人的周圍都放置隔音板；而在集成電路上，通常可...
隨著數(shù)智時代的到來，智能設(shè)備的普及度越來越高，用戶受到網(wǎng)絡(luò)攻擊的風(fēng)險和頻率也在不斷增加。然而，漏洞不只是存在于軟件中，硬件中也一樣存在。
為了兼具可擴(kuò)展性和數(shù)據(jù)處理速度，對于各種應(yīng)用，如圖像數(shù)據(jù)偵錯、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等，可編程數(shù)據(jù)處理模塊（Programmable Da...
2020-07-02 標(biāo)簽：輸入輸出DRAM數(shù)據(jù)處理 1.2k 0
威脅模型 數(shù)據(jù)生命周期管理（Data Lifecycle Management）通常將數(shù)據(jù)劃分為生產(chǎn)、存儲、使用、分享、銷毀、歸檔幾個階段。而從信息安全...
2023-11-29 標(biāo)簽：DRAM數(shù)據(jù)Linux 1.2k 0
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