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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

淺談DDR內(nèi)存技術(shù)原理2

對(duì)于DRAM，其主要由行和列組成，每一個(gè)bit中都是由類似右下圖的類晶體管的結(jié)構(gòu)組成，對(duì)于sdram的數(shù)據(jù)，可以通過控制column和row就可以訪問s...

2023-02-15 標(biāo)簽：DRAM 晶體管 bit 3.8k 0

淺談DDR內(nèi)存技術(shù)原理1

2023-02-15 標(biāo)簽：DRAM 晶體管 bit 2.1k 0

IEDM 2022上的新型存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

在筆者看來(lái)，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。

2023-02-14 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 CMOS工藝 3.4k 0

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。

2023-02-08 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲(chǔ)器 1.6k 0

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝（DRAM）詳解

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器...

2023-02-08 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器工藝 1.3萬(wàn) 0

12納米后，DRAM怎么辦？

追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對(duì)于 D12 節(jié)點(diǎn)，DRAM 單元尺寸預(yù)計(jì)接近 0.0013 um2。無(wú)...

2023-02-07 標(biāo)簽：電容器 DRAM 工藝 1.2k 0

用于存儲(chǔ)器的鐵電體介紹

隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動(dòng)電流的新方法，鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。

2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET DRAM FlaSh 1.4k 0

如何選擇DRAM？深入了解內(nèi)存的使用方式及連接方式

DRAM 仍然是任何這些架構(gòu)中的重要組成部分，盡管多年來(lái)一直在努力用更快、更便宜或更通用的內(nèi)存取代它，甚至將其嵌入到 SoC 中。

2023-02-06 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器人工智能 1.7k 0

三管MOS DRAM基本單元電路原理單管MOS動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路原理

　　如果需要讀出數(shù)據(jù)，首先需要給T4加上一個(gè)預(yù)充電信號(hào)，然后VDD給讀數(shù)據(jù)線充電，代表需要讀出的數(shù)據(jù)是“1”，進(jìn)行讀出時(shí)，讀選擇線是高電平。此時(shí)，如果原...

2023-02-03 標(biāo)簽：DRAM 電路原理 MOS 4.7k 0

基于PCI-e協(xié)議的CXL技術(shù)

CXL是一個(gè)全新的得到業(yè)界認(rèn)同的互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其正帶著服務(wù)器架構(gòu)迎來(lái)革命性的轉(zhuǎn)變。

2023-02-02 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 NIC 2.8k 0

磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM)制造工藝

磁性隧道結(jié)（MTJ）通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽（MgO 或Al2O3）層組成的，它可以實(shí)現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...

2023-02-01 標(biāo)簽：DRAM sram TMR 2.2k 0

鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)分析

兩種最常見的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的，對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來(lái)說足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快...

2023-01-30 標(biāo)簽：MOSFET DRAM 存儲(chǔ)器 4.3k 0

為什么FeFET變得如此有趣？

隨著芯片制造商尋找新的選擇來(lái)維持驅(qū)動(dòng)電流，鐵電體正在接受認(rèn)真的重新考慮。

2023-01-29 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲(chǔ)器 1.3k 0

淺談DRAM的電容技術(shù)演變進(jìn)程

可通過去除電容外部雜質(zhì)硼和氫，減少電容器形成后的熱量預(yù)算，消除泄漏電流的退化，而不改變電容器的結(jié)構(gòu)或材料。

2023-01-12 標(biāo)簽：電容器 DRAM EDS 5.5k 0

DRAM存儲(chǔ)電容概述

DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DR...

2023-01-12 標(biāo)簽：DRAM 邏輯電路 GDDR 1.1萬(wàn) 0

串行接口的速率會(huì)比并行快的四種因素

高速串口不需要時(shí)鐘信號(hào)來(lái)同步數(shù)據(jù)流，也就沒有時(shí)鐘周期性的邊沿，頻譜不會(huì)集中，所以噪聲干擾少很多。

2023-01-11 標(biāo)簽：DRAM 并行接口串行接口 3k 0

淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰(zhàn)

薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化，厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸（Critical Dimensions：CD）。

2023-01-09 標(biāo)簽：電容器 DRAM 光刻膠 2.2k 0

一文解析DRAM的制造工藝流程

為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。

2023-01-09 標(biāo)簽：DRAM 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1.7萬(wàn) 0

一文解讀DRAM的9大刻蝕技術(shù)

在將晶圓制成半導(dǎo)體的過程中需要采用數(shù)百項(xiàng)工程。其中，一項(xiàng)最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓上刻畫精細(xì)電路圖案。蝕刻（Etch）工程的成功取決于...

2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM 刻蝕 9k 0

全面介紹新型存儲(chǔ)技術(shù)：PCM/MRAM/RRAM/ReRAM

MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無(wú)限、寫入速度快...

2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 Nand flash 8.4k 0

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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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