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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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存儲產(chǎn)業(yè)在歷經(jīng)價(jià)格血戰(zhàn)成了三強(qiáng)鼎立的寡占市場,中國在市場、國安考量力求在存儲有所突圍,原先的紫光、武漢新芯從各自進(jìn)擊到合體發(fā)展,另外兩組勢力在聯(lián)電、中芯...
2016-11-15 標(biāo)簽:DRAM存儲NAND Flash 1.4k 0
HBM市場前景樂觀,將推動三星等半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步增長
在人工智能(ai)時(shí)代引領(lǐng)世界市場的三星等公司將hbm應(yīng)用在dram上,因此hbm備受關(guān)注。hbm是將多個(gè)dram芯片垂直堆積,可以適用于為ai處理而...
工業(yè)商數(shù)為基于AI的工業(yè)自動化提供關(guān)鍵支持
如今,全球物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備已超過 150 億臺,預(yù)計(jì)到 2030 年,這一數(shù)字將超過 290 億。這些能處理海量數(shù)據(jù)的大型機(jī)器正在改變工業(yè)市場,...
2024-01-09 標(biāo)簽:傳感器DRAM物聯(lián)網(wǎng) 1.4k 0
日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部15日宣布,因來自中國的內(nèi)存需求旺盛,帶動2017年2月份南韓半導(dǎo)體出口額較去年同月飆增近6成(增加57%)至65億美元...
SK海力士砸27億美元擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能
需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限,供需失衡下,DRAM價(jià)格在2016年下半逆勢翻轉(zhuǎn),而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下,同樣...
存儲器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口
2月12日,總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權(quán),矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新...
2017-02-23 標(biāo)簽:DRAM存儲器3D NAND FLASH 1.4k 0
在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 ...
近日,韓國存儲芯片行業(yè)的兩大巨頭三星電子和SK海力士的股價(jià)均呈現(xiàn)強(qiáng)勁走勢。其中,三星電子股價(jià)上漲0.62%,本月以來累計(jì)漲幅已超10%;而SK海力士更是...
半導(dǎo)體核心技術(shù)外流中國 韓研議提高相關(guān)刑責(zé)
近期,韓國主要的半導(dǎo)體制造商三星電子曝出重大泄密案,員工和供應(yīng)商泄露了公司的重大技術(shù)信息,引發(fā)巨大經(jīng)濟(jì)損失。據(jù)悉,兩名涉事員工金某和方某已被當(dāng)?shù)貦z方起訴...
2024-01-04 標(biāo)簽:DRAM三星電子半導(dǎo)體設(shè)備 1.4k 0
為什么說中國必須建設(shè)本土存儲產(chǎn)業(yè)
現(xiàn)在在存儲產(chǎn)業(yè),基本是韓國廠商的天下,而隨著設(shè)動設(shè)備的火熱,各種設(shè)備的爆發(fā),市場對存儲的需求日增,于是帶來了存儲產(chǎn)品的缺貨問題,進(jìn)而導(dǎo)致了漲價(jià)。
2017-01-11 標(biāo)簽:DRAM存儲產(chǎn)業(yè)長江存儲 1.4k 0
DRAM價(jià)格持續(xù)下跌,這種情況對于國產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么呢?
很長一段時(shí)間里,由于供貨吃緊、技術(shù)受限、需求增加等,DRAM在過去九個(gè)季度中價(jià)格持續(xù)上漲。但隨著技術(shù)漸入瓶頸,加之2018年智能手機(jī)增長勢頭放緩、PC出...
大部分頻道及存儲器模塊生產(chǎn)企業(yè)已經(jīng)完成了9、10月份年末旺季的出貨。消息人士補(bǔ)充說:“由于顧客對價(jià)格進(jìn)一步上漲的期待心理,短期再供應(yīng)需求得到消除,因此,...
三星計(jì)劃采用12納米技術(shù),提升內(nèi)存模組容量
日前有信息稱,三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術(shù),生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,而這樣就可以在相同封裝尺寸下,容量是...
DRAM價(jià)跳增!SK hynix營益遠(yuǎn)優(yōu)
全球第二大存儲器制造商SK hynix Inc. 25日公布第2季(4-6月)財(cái)報(bào):拜DRAM價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)、產(chǎn)品組合改善之賜,凈利達(dá)9,460億韓元(1...
2013-07-26 標(biāo)簽:DRAMNAND FlashSK hynix 1.4k 0
今日看點(diǎn)丨三星已組建開發(fā)團(tuán)隊(duì)以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM;福特 CEO:比亞迪等中國汽車制造商是我們最大競爭對手
1. 英偉達(dá)股價(jià)飆升:市值一天增加超 2000 億美元至近萬億美元 ? 英偉達(dá)周三公布了 2024 財(cái)年第一季度的收益, 71.9 億美元的營收超出了市...
南亞科12月營收創(chuàng)新高,預(yù)期2024年存儲市況好轉(zhuǎn)
據(jù)南亞科預(yù)測,他們將于 1 月 10 日在線舉辦法說會以公布2023年經(jīng)營情況以及對2024年的展望。取決于市場需求和供應(yīng)商減產(chǎn)的影響,業(yè)內(nèi)人士估計(jì),2...
在2010年全球半導(dǎo)體業(yè)增長32%之后,2011年及2012年連續(xù)兩年增長在1%左右,因此業(yè)界部分人士根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性的規(guī)律,預(yù)測2013年會是又一...
最初通過PMOS技術(shù)達(dá)到可接受的良率。在這之后,一項(xiàng)關(guān)鍵的額外設(shè)計(jì)變更——埋層接觸孔(buried contacts)顯著提高了良率,并實(shí)現(xiàn)了更小尺寸的...
Kioxia研發(fā)核心技術(shù),助力高密度低功耗3D DRAM的實(shí)際應(yīng)用
全球存儲解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Kioxia Corporation今日宣布,已研發(fā)出具備高堆疊性的氧化物半導(dǎo)體溝道晶體管技術(shù),該技術(shù)將推動高密度、低功耗...
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