完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
文章:2327個 瀏覽:189694次 帖子:84個
資料顯示,DRAM存儲器強力推動的導(dǎo)入將推動晶圓產(chǎn)能高于平均水準(zhǔn)
根據(jù)市場研究公司IC Insights的資料,新的半導(dǎo)體制造產(chǎn)線——特別是DRAM存儲器的導(dǎo)入,預(yù)計將推動2018年和2019年的晶圓總產(chǎn)能高于平均水準(zhǔn)。
全球芯片供應(yīng)鏈重構(gòu),美韓DRAM產(chǎn)能將擴(kuò)增
盡管韓國在邏輯芯片市場的地位有所下滑,但得益于AI芯片需求的激增,DRAM市場如高帶寬存儲器(HBM)等產(chǎn)品需求旺盛,韓國DRAM產(chǎn)能將從2022年的5...
SK海力士2024年第一季度將調(diào)整DRAM減產(chǎn)計劃
盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌,SK海力士因應(yīng)人工智能芯片需求的增長,尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的激增,于去年12月成功超越競爭對手三星...
2024-01-12 標(biāo)簽:DRAM三星電子Nand flash 1.4k 0
三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者,在本季度DRAM營收達(dá)到79.5億美元,環(huán)比增長近50%,主要受益于1αnm DDR5的出貨提速,服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60%。
1月9日消息,據(jù)外媒報道,三星電子發(fā)布的財報指引顯示,該公司營業(yè)利潤連續(xù)第六個季度下滑,全年營利同比暴跌84.92%!這一現(xiàn)象反映出全球消費電子產(chǎn)品需求...
DRAM市場風(fēng)云再起 庫存調(diào)整價格走勢成焦點
第二季度DRAM合約價格的環(huán)比漲幅將受到嚴(yán)格限制,預(yù)計漲幅在3%至8%之間。
威剛科技董事長陳立白表示,從DRAM市況來看,未來1~2年的市況將是樂觀且健康的,供應(yīng)商都沒有太大的擴(kuò)產(chǎn)動作,至于NAND Flash價格將緩步下跌,明...
SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Transist...
三星開始量產(chǎn)20nm LPDDR2 Mobile DRAM
南韓媒體朝鮮日報、聯(lián)合新聞通訊社(Yonhap News )日文版18日報導(dǎo),全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布,已領(lǐng)先全球于前(4)月開始量產(chǎn)采用...
存儲器市場在2017年內(nèi)出現(xiàn)明顯漲價與缺貨問題,NAND存儲器從2017年底開始回穩(wěn),但DRAM續(xù)漲,使得韓國三星電子(Samsung Electron...
美光科技擬上調(diào)產(chǎn)品報價,漲幅預(yù)計突破20%
就在幾天前的4月3日,臺灣花蓮縣海域遭受了一場7.3級的強烈地震,并伴隨著多次余震,給當(dāng)?shù)貛砹藝?yán)重的破壞。
三星平澤P4一期產(chǎn)線調(diào)整:將同時生產(chǎn)DRAM和NAND Flash
據(jù)韓國媒體報道,三星電子已決定調(diào)整其平澤園區(qū)P4產(chǎn)線第一期的產(chǎn)能分配,以應(yīng)對市場需求的快速變化。這一決策標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體生產(chǎn)策略上的重要調(diào)整。
美光科技選定在臺灣積極擴(kuò)產(chǎn),尤其是臺中后里新廠也就是原先達(dá)鴻先進(jìn)舊廠為擴(kuò)產(chǎn)重點,美光進(jìn)駐該廠之后已進(jìn)行廠區(qū)改造重建的動作,并招兵買馬征才千人,投入10億...
三星正努力拓展芯片新業(yè)務(wù) 鞏固它的全球最大半導(dǎo)體企業(yè)的地位
2017年三星成功超過Intel成為全球最大的半導(dǎo)體企業(yè),這主要是獲益于存儲芯片價格的持續(xù)上漲,不過它已認(rèn)識到存儲芯片未來可能出現(xiàn)的價格下滑正努力拓展移...
SK海力士與臺積電達(dá)成研發(fā)合作,推動HBM4和下一代封裝技術(shù)發(fā)展?
據(jù)協(xié)議內(nèi)容,雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片(Base Die)性能。HBM 由多個 DRAM 裸片(Core Die)堆疊在基礎(chǔ)裸片之上,...
無論是DRAM還是NAND Flash都處于高度壟斷,即便是有可能帶來產(chǎn)業(yè)變革機(jī)會的3D NAND產(chǎn)品,目前國際存儲大廠也在不斷壘高技術(shù)壁壘。但是中國在...
全球移動內(nèi)存市場份額規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大
根據(jù)TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,第二季移動內(nèi)存營收達(dá)到38.51億美元,與上季相較約有7.7%的成長,其...
2015-08-23 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體芯片移動內(nèi)存 1.4k 0
評估云和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的ReRAM技術(shù)選擇
電阻式隨機(jī)存取存儲器 (ReRAM) 是開發(fā)更具可擴(kuò)展性、高容量、高性能、更可靠的存儲解決方案的競爭中下一個有前途的存儲器技術(shù)。
2022-10-24 標(biāo)簽:DRAM存儲器數(shù)據(jù)中心 1.4k 0
AMD Zen2至Zen4架構(gòu)處理器存在Rowhammer內(nèi)存攻擊風(fēng)險,AMD發(fā)布公告
需要注意的是,Rowhammer攻擊利用了現(xiàn)代DRAM內(nèi)存的物理特性,即通過連續(xù)讀寫內(nèi)存芯片,改變相鄰存儲單元的電荷狀態(tài),從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)。攻擊者可精...
臺灣地區(qū)內(nèi)存芯片供應(yīng)商南亞科是臺積電的潛在合作伙伴或投資目標(biāo),不過這家全球第四大DRAM存儲器制造商拒絕評論。
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |