三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片...

2018-07-31 標簽：DRAM三星電子 1.2k 0

2024年DRAM投片量：一季度微增，下半年劇增

DRAM稼動率緩步改善，業(yè)界認為，整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升，較2023年第4季小幅提升約5%左右，下半年投片量回升速度將明顯加快。

2024-01-23 標簽：DRAM存儲芯片Nand flash 1.2k 0

全球首款低功耗DDR5 DRAM芯片交付 將率先搭載于小米10智能手機

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯...

2020-02-24 標簽：DRAMDDR5 1.2k 0

預期HBM供應將大幅增長，驅動DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展

擔任分析師職務的人員對于HBM的面貌做出解釋，指出與同等容量和制程的 DDR5比較，HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間，然而其良品率卻相對較低，普遍低2...

2024-03-18 標簽：DRAMHBMDDR5 1.2k 0

美光將在西安封裝測試工廠投資逾43億元人民幣

全球領先的半導體企業(yè) Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，計劃在未來幾年中對其位于中國...

2023-06-16 標簽：半導體DRAM封裝測試 1.2k 0

淺析先進封裝技術未來發(fā)展方向

雖然芯片設計和制程技術的創(chuàng)新仍然繼續(xù)，但進展已明顯趨緩，不管制程技術下殺到多少微米，芯片尺寸的縮減似乎已到了極限，更遑論同時要增加密度以提升性能。

2022-10-14 標簽：DRAM芯片設計微處理器 1.2k 0

2018年DRAM供不應求 單價漲逾32%創(chuàng)歷年來新高

據(jù)報道，DRAM去年經(jīng)歷了價量飆揚，預計今年DRAM還是供不應求，平均銷售單價仍會漲逾32%。此趨勢將有望催生自駕車、機器人等終端端載具需求。今年的銷售...

2018-02-05 標簽：dram機器人 1.2k 0

DRAM市場價格可以穩(wěn)到到年底，1x納米制程預計在年底導入

隨著線上交易、無人駕駛、大數(shù)據(jù)、移動設備、物聯(lián)網(wǎng)等領域對存儲器需求強勁，存儲器大廠美光科技全球制造資深副總裁艾倫（Wayne Allan）看好2018年...

2018-08-23 標簽：DRAM美光 1.2k 0

由于市場持續(xù)供過于求，DRAM與NAND Flash第四季價格開始走跌

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）最新調查，雖然下半年是產(chǎn)業(yè)旺季，但市場持續(xù)供過于求，DRAM第三季合約價格季漲幅縮小到僅1~2%，...

2018-10-11 標簽：DRAMNAND內存 1.2k 0

DRAM市場依然看漲 未來十年都將正向樂觀

美國內存大廠美光（Micron）21日公布上季財報與展望均優(yōu)于預期，并看好產(chǎn)業(yè)供需狀況穩(wěn)定，反映今年DRAM市場健康發(fā)展。業(yè)界看好，隨著市況佳，南亞科、...

2018-06-23 標簽：dram美光華邦電 1.2k 0

中國希望并將擁有自己的半導體生產(chǎn)廠

中國正在進入硬盤組件生產(chǎn)領域，華為和創(chuàng)新科存儲技術有限公司生產(chǎn)的是使用硬盤、DRAM和閃存的服務器和存儲陣列。然而中國本身并沒有為企業(yè)級設備生產(chǎn)核心基本...

2012-01-05 標簽：半導體閃存DRAM 1.2k 0

三星電子否認1b DRAM重新設計報道

據(jù)報道，三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內存產(chǎn)品策略的新一輪關注。 ...

2025-01-23 標簽：DRAM三星電子內存 1.2k 0

明年下半年DRAM價格有下修壓力，產(chǎn)值低于今年的67.8%

DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，通路商表示，因存儲器漲幅過大，下游應用端，尤其是筆電和部分智能手機等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部...

2018-08-28 標簽：DRAM存儲器 1.2k 0

SK海力士、三星電子：HBM內存供應充足，明年HBM4將量產(chǎn)

這類內存的售價遠高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問題，對晶圓的消費量更是達到普通內存的 2-3 倍。因此，內存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量...

2024-05-14 標簽：DRAM晶圓SK海力士 1.2k 0

華邦：車用芯片營收占比持續(xù)提升，看好利基市場

作為存儲半導體大企業(yè)的華本在汽車用市場上持續(xù)獲得利潤。此前，利基型dram已進入車用相機市場，到2022年，nor plash也將進入1線國際大工廠，應...

2023-09-22 標簽：半導體DRAM自動駕駛 1.2k 0

現(xiàn)代DRAM內存發(fā)明人羅伯特·登納德離世

一次偶然的機會，登納德靈光一閃，想到利用單個晶體管中的電容正負極來記錄數(shù)據(jù)，并通過反復充電實現(xiàn)數(shù)據(jù)動態(tài)刷新。這一創(chuàng)新理念奠定了 DRAM 內存的基礎。

2024-05-06 標簽：電容DRAM晶體管 1.2k 0

五月DRAM與NAND Flash價格持續(xù)滑落5-10%，第三季跌幅可望收斂

智能型手機和筆記本計算機市場需求疲軟的情況持續(xù)，五月份內存和閃存價格持續(xù)滑落，客戶端的庫存去化速度不如預期，在第一季財報公布后各家存儲器供貨商面臨獲利大...

2019-06-04 標簽：閃存DRAM存儲器 1.2k 0

HBM3如何滿足市場對DRAM的需求

盡管業(yè)界對包括摩爾定律、內存墻差異等傳統(tǒng)原則的有效性爭議不斷，但半導體領域仍普遍認為，多年來內存行業(yè)的價值主張在很大程度上始終以系統(tǒng)級需求為導向，已經(jīng)突...

2022-08-04 標簽：DRAMSK海力士HBM3 1.2k 0