內(nèi)存供應(yīng)需求疲軟 缺貨、降價(jià)一片哀嚎

內(nèi)存市場(chǎng)進(jìn)入了一個(gè)死局，內(nèi)存昂貴價(jià)格堪稱史無前例，內(nèi)存條出貨量整體又下滑了約10%。三星被發(fā)改委約談恐設(shè)計(jì)行業(yè)壟斷?，F(xiàn)在DDR4內(nèi)存顆粒供應(yīng)依然緊張，各...

2017-12-26 標(biāo)簽：dram三星電子 1.1k 0

內(nèi)存市場(chǎng)狀況分析：2018年DRAM持續(xù)吃緊 NAND將供過于求

近一年來了內(nèi)存價(jià)格的起伏不定，準(zhǔn)確的說是水漲船高，明年的市場(chǎng)狀況又將迎來如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM將持續(xù)吃緊、NAND恐供大于求。

2017-12-25 標(biāo)簽：dramnand 1.7k 0

三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。

2017-12-22 標(biāo)簽：dram三星電子10nm工藝 1.9k 0

DRAM未來漲勢(shì)將取決于這3個(gè)關(guān)鍵要素

有研究表明未來的DRAM漲勢(shì)還將不斷向上提升，據(jù)悉三星將于2018年第1季價(jià)格再上調(diào)3%至5%。服務(wù)器市場(chǎng)仍是DRAM漲勢(shì)最大的成長(zhǎng)來源。

2017-12-21 標(biāo)簽：dram三星電子人工智能 987 0

DRAM漲價(jià)潮引發(fā)中國發(fā)改委關(guān)注 國產(chǎn)才是真出路

乎離DRAM價(jià)格穩(wěn)定還有一段距離。據(jù)媒體報(bào)道，三星和SK海力士已經(jīng)向客戶發(fā)出了漲價(jià)通知，明年一季度DRAM將會(huì)繼續(xù)漲8%，并且這個(gè)現(xiàn)狀會(huì)在明年下半年再有...

2017-12-21 標(biāo)簽：dram三星電子美光 6.8k 0

DRAM連漲七個(gè)季度 發(fā)改委進(jìn)入調(diào)查是否觸及壟斷問題

從2016年開始內(nèi)存價(jià)格只高不低，內(nèi)存還被網(wǎng)友稱之為“最佳理財(cái)產(chǎn)品”，連漲7個(gè)季度，依然沒有看到有所緩和的局勢(shì)。據(jù)報(bào)道，不少人向發(fā)改委反應(yīng)映內(nèi)存行業(yè)情況...

2017-12-19 標(biāo)簽：dram三星電子pc 1.3k 0

NAND供貨持續(xù)吃緊 價(jià)格難以回歸平衡

NAND的價(jià)格在近幾年來都是水漲船高的局勢(shì)，隨著三星和SK海力士宣布繼續(xù)投產(chǎn)，預(yù)估明年DRAM仍舊是供貨吃緊，因此DRAM價(jià)格下修的可能性也會(huì)很低。

2017-12-18 標(biāo)簽：dramnand三星電子 957 0

存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)出現(xiàn)美日韓的壟斷之勢(shì) 紫光國際“攪局”破勢(shì)而出

誰將成為存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的“攪局者”，儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)還在日益擴(kuò)張，供不應(yīng)求之勢(shì)越發(fā)明顯。中國存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起，美日韓的壟斷之勢(shì)越來越強(qiáng)盛，紫光國際“攪...

2017-12-18 標(biāo)簽：英特爾dram美光 1.5k 0

DRAM將出現(xiàn)替代者 憶阻器RRAM或是最好選擇

目前DRAM市場(chǎng)需求還在不斷的增加，但是如今價(jià)格的水漲船高已經(jīng)讓很多人開始接受不住。人們一直在尋找更好的替代者。據(jù)悉，RRAM被認(rèn)為是下一代代替DRAM...

2017-12-13 標(biāo)簽：dramrram 3.7k 0

物聯(lián)網(wǎng)衍生新需求,2018半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈將出現(xiàn)供需失衡

隨著物聯(lián)網(wǎng)的大力發(fā)展推動(dòng)了半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈滋生新的需求，據(jù)悉，由于汽車電子物聯(lián)網(wǎng)等新需求浮現(xiàn)，2018芯片缺貨潮會(huì)再度來襲，會(huì)出現(xiàn)難得一見的供需失衡的景象。

2017-12-11 標(biāo)簽：dram物聯(lián)網(wǎng)硅晶圓 1.1k 0

三星計(jì)劃明年資本支出預(yù)算提到1.5倍,欲想獨(dú)霸DRAM和閃存市場(chǎng)

在內(nèi)存市場(chǎng)上三星已經(jīng)占據(jù)了大半的江山，據(jù)悉，明年三星還將繼續(xù)在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍，是想進(jìn)一步壟斷DRAM和NAND閃存市場(chǎng)，可以說這是一...

2021-08-27 標(biāo)簽：dram三星電子intel 1.4k 0

DRAM、NAND閃存芯片供不應(yīng)求,三星Q4營利980億元

內(nèi)存/SSD齊漲價(jià)模式還沒有叫停，供求還在不斷地增加，三星計(jì)劃增產(chǎn)內(nèi)存來解決明年內(nèi)存市場(chǎng)短缺的問題。據(jù)報(bào)道，受內(nèi)存/SSD齊漲價(jià)影響，三星Q4利潤預(yù)計(jì)暴...

2017-12-08 標(biāo)簽：dramnand三星電子 1.1k 0

美光起訴臺(tái)灣聯(lián)電,離職員工攜帶機(jī)密跳槽聯(lián)電

美國記憶體大廠美光 （Micron）在臺(tái)灣控告晶圓代工大廠聯(lián)電 （UMC），表示聯(lián)電透過美光離職員工竊取 DRAM 相關(guān)機(jī)密商業(yè)資料而遭檢方起訴之后， ...

2017-12-07 標(biāo)簽：dram聯(lián)電美光 3.1k 0

三星增產(chǎn)NAND,分析師預(yù)測(cè)明年內(nèi)存將供過于求

IHS Markit報(bào)告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2，441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879...

2017-12-06 標(biāo)簽：dramnand三星電子 749 0

紫光國芯現(xiàn)金扶持紫光同創(chuàng),與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作有望

西安紫光國芯主要從事DRAM存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品主要為專業(yè)代工廠生產(chǎn)。近年來，由于下游智能手機(jī)等智能終端產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，存儲(chǔ)芯片需求大大增加，而目前...

2017-12-05 標(biāo)簽：dram紫光國芯長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.7k 0

嵌入式學(xué)習(xí)筆記之--ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的概念解析

ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。

2017-12-02 標(biāo)簽：DRAMFLASHROM 7.2k 0

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別解析

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPRO...

2017-12-02 標(biāo)簽：DRAMFLASHSRAM 3.4萬 0