傳三星將擴(kuò)產(chǎn)DRAM 存儲器好景恐難延續(xù)

之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線...

2017-03-16 標(biāo)簽：DRAM三星電子存儲器 991 0

DRAM價格第一季上漲10~15％與去年Q4相當(dāng)，Q2繼續(xù)上揚(yáng)

臺灣南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，今年整體DRAM市場供貨吃緊，上半年平均銷售單價持續(xù)走揚(yáng)，預(yù)期第一季平均銷售單價季增10~15%，公司的毛利率相較上季可望有...

2017-03-11 標(biāo)簽：DRAM南亞科 875 0

美光計劃再投20億美元興建3D DRAM封測廠

華亞科并入美光后，本月正式更名為美光臺灣分公司桃園廠，美光也計劃擴(kuò)大投資臺灣，將在臺中建立后段DRAM封測廠，相關(guān)投資將在標(biāo)購達(dá)鴻位在后里中科園區(qū)的廠房...

2017-03-07 標(biāo)簽：DRAM美光封測廠 1.1k 0

三星18nm召回影響 DRAM合約價飆

業(yè)界消息指出，記憶體大廠三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號的18奈米制程DRAM模組，原因在于這些18奈米DRAM會導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯及出現(xiàn)藍(lán)幕當(dāng)機(jī)。

2017-03-06 標(biāo)簽：DRAM三星電子18nm 1.1k 0

三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了

三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商，自己一家就占據(jù)了47.5%的份額，遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此，三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家，...

2017-03-03 標(biāo)簽：芯片dram三星電子 2.7k 0

三星緊急召回18nm制程存儲模組 或因產(chǎn)品良率出問題

自Galaxy Note 7 電池爆炸事件與管理層級涉及行賄被起訴后，三星近日又被傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回，由于三星于 PC D...

2017-03-03 標(biāo)簽：dram三星電子18nm 1.3k 0

DRAM、NAND、AMOLED面板三大零組件影響手機(jī)廠獲利能力

智能手機(jī)關(guān)鍵零組件于 2016 下半年開始供應(yīng)吃緊導(dǎo)致漲價，至 2017 年第一季傳統(tǒng)淡季的行情也逆勢上揚(yáng)。全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢（TrendFor...

2017-03-02 標(biāo)簽：DRAMNANDAMOLED面板 1.2k 0

存儲器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口

2月12日，總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權(quán)，矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新...

2017-02-23 標(biāo)簽：DRAM存儲器3D NAND FLASH 1.4k 0

榮耀V9高配版定價3499元 國產(chǎn)手機(jī)成本遭遇飆升

2017年智能手機(jī)現(xiàn)在最熱的詞語就是漲價，不管是手機(jī)廠商，還是消費(fèi)者，對這次漲價都有些無奈。三星、SK海力士等手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈上元器件的漲價，引發(fā)了整個供應(yīng)鏈...

2017-02-22 標(biāo)簽：DRAMOLED三星電子 1.8k 0

身陷危機(jī)的“三星帝國”業(yè)績?yōu)楹卧幃惿蠞q？

雖然身陷危機(jī)，但“三星帝國”的業(yè)績卻詭異地逆勢上漲。時代周報記者梳理三星電子2016年的財報發(fā)現(xiàn)，三星電子去年全年營業(yè)利潤達(dá)到29.24萬億韓元，同比增...

2017-02-21 標(biāo)簽：dram三星電子amoled 2.9k 0

三個因素使NOR Flash供給吃緊 漲價或到年底

等了數(shù)年，NOR Flash價格終于開始上漲，受到上游供給沒有增加，2017年NOR Flash第1季漲幅約5~10%，旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)指出，年底前看不...

2017-02-16 標(biāo)簽：DRAMNOR Flash 1.7k 0

美光擴(kuò)大在臺投資加快先進(jìn)制程布局追趕三星

美國內(nèi)存大廠美光（Micron）合并華亞科技后，中國臺灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地，內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo)，并全力沖刺 DRAM 和 3D N...

2017-02-13 標(biāo)簽：DRAM美光3D NAND Flash 1.1k 0

紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基正式開工 將支撐我國存儲器跨越式發(fā)展

據(jù)悉，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目由紫光集團(tuán)投資建設(shè)，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝。項目一期投資約100...

2017-02-13 標(biāo)簽：DRAM存儲芯片NAND FLASH 1.4k 0

中國半導(dǎo)體迎擴(kuò)產(chǎn)潮 SK海力士將投36億建新廠

中國半導(dǎo)體迎來擴(kuò)產(chǎn)潮，不只中國本土廠商，全球半導(dǎo)體廠商也競相在中國布建生產(chǎn)線，而早早在中國插旗的韓國內(nèi)存大廠 SK 海力士同樣不落人后，將在中國無錫興建...

2017-02-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMSK海力士 1.5k 0

中國2025年IC自主率要達(dá)7成面臨的主要困境

中國大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國國務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國制造”（MIC...

2017-02-10 標(biāo)簽：DRAMIC產(chǎn)業(yè)NAND Flash 2k 0