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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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直線電機(jī)光刻機(jī)的介紹

10月1日，國(guó)慶當(dāng)天，“光刻機(jī)10億一臺(tái)仍供不應(yīng)求”相關(guān)話題登上微博熱搜。

2021-10-09 標(biāo)簽：直線電機(jī)EUV 驅(qū)動(dòng)裝置 2.2k 0

英特爾突破技術(shù)壁壘：首臺(tái)商用High NA EUV光刻機(jī)成功組裝

英特爾的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正致力于對(duì)這臺(tái)先進(jìn)的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行細(xì)致的校準(zhǔn)工作，以確保其能夠順利融入未...

2024-04-22 標(biāo)簽：處理器英特爾光刻機(jī) 2.2k 0

美光聲明：目前并無(wú)采用三星EUV計(jì)劃

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星（Samsung）明年可能導(dǎo)入極紫外光（EUV）技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國(guó)臺(tái)灣美光董事長(zhǎng)徐國(guó)晉表示，...

2020-10-12 標(biāo)簽：三星電子存儲(chǔ)器 EUV 2.2k 0

ASML宣布了一項(xiàng)合作成果：在印刷24nm節(jié)距線方面取得突破

本周在SPIE高級(jí)光刻會(huì)議上，世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心IEMC與世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體光刻設(shè)備制造商ASML宣布了一項(xiàng)合作成果。在印刷24n...

2021-02-03 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 2.2k 0

SK海力士擬將無(wú)錫C2工廠升級(jí)為第四代D-ram工藝，并引進(jìn)EUV技術(shù)

Sk海力士期望通過(guò)在無(wú)錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程，隨后將芯片運(yùn)回韓國(guó)總部利川園區(qū)進(jìn)行EUV處理，最后送回?zé)o錫工廠進(jìn)行后續(xù)操作。盡...

2024-01-16 標(biāo)簽：芯片 EUV SK海力士 2.2k 0

韓國(guó)公司正在迅速縮小其在極紫外光刻技術(shù)上與外國(guó)公司的差距

特別是，韓國(guó)公司正在迅速縮小其在極紫外光刻技術(shù)上與外國(guó)公司的差距。2019年，韓國(guó)本土提出的專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量為40件，超過(guò)了國(guó)外企業(yè)的10件。這是韓國(guó)提交的...

2020-12-11 標(biāo)簽：三星電子光刻技術(shù)EUV 2.2k 0

三星決定7nm率先導(dǎo)入EUV后，臺(tái)積電緊跟步伐！

在三星決定7nm率先導(dǎo)入EUV后，讓EUV輸出率獲得快速提升，臺(tái)積電決定在7nm強(qiáng)化版提供客戶(hù)設(shè)計(jì)定案，5nm才決定全數(shù)導(dǎo)入。

2017-08-23 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電 EUV 2.2k 3

EUV遭受新挫折半導(dǎo)體10nm工藝步履維艱

期EUV光刻機(jī)出現(xiàn)一系列的問(wèn)題被曝光。有些專(zhuān)家認(rèn)為在TSMC現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的光源故障對(duì)于EUV的實(shí)用性，尤其是對(duì)于未來(lái)的量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)客戶(hù)會(huì)產(chǎn)生疑惑，可能...

2014-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電 EUV 2.2k 0

美光近期發(fā)布公告，將斥資45至55億美元在日本廣島建設(shè)DRAM芯片制造工廠，以引入頂尖EUV設(shè)備，預(yù)計(jì)最早于2027年末實(shí)現(xiàn)先進(jìn)DRAM量產(chǎn)。

2024-05-28 標(biāo)簽：美光 DRAM芯片 EUV 2.2k 0

ASML：預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)

設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾（ASML）已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）和重量級(jí)晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型...

2013-08-19 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電 IP 2.2k 0

消息稱(chēng)美光或開(kāi)發(fā)EUV應(yīng)用技術(shù)

根據(jù)韓國(guó)媒體《Etnews》報(bào)導(dǎo)指出，目前全球3大DRAM存儲(chǔ)器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機(jī)的美商美光（Micron），因日前招聘網(wǎng)站開(kāi)始征求E...

2020-12-25 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 EUV 2.2k 0

阿斯麥(ASML)公司首臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)突破性成果

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向前發(fā)展的重要?jiǎng)恿Α＝?，荷蘭阿斯麥(ASML)公司宣布，成功打造了首臺(tái)采用0.55數(shù)值孔徑(NA)投影光學(xué)系統(tǒng)的高...

2024-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻機(jī)EUV 2.2k 0

臺(tái)積電已安裝了全世界約50％的激活EUV機(jī)器

在本周召開(kāi)的臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)上，最重要的中心信息之一是，該公司在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先地位，特別是在領(lǐng)先的工藝技術(shù)領(lǐng)域。

2020-08-30 標(biāo)簽：臺(tái)積電 EUV ASML 2.2k 0

美光預(yù)測(cè)AI需求將大幅增長(zhǎng),計(jì)劃2025年投產(chǎn)EUV DRAM

隨著人工智能技術(shù)日益普及，從云端服務(wù)器拓展至消費(fèi)級(jí)設(shè)備，對(duì)高級(jí)內(nèi)存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢(shì)，美光科技已將其高帶寬內(nèi)存（HBM）的全部產(chǎn)能規(guī)劃至2025...

2024-10-26 標(biāo)簽：美光人工智能 EUV 2.2k 0

三星 SAFE計(jì)劃現(xiàn)在已可提供與Synopsys的Lynx設(shè)計(jì)系統(tǒng)兼容的經(jīng)認(rèn)證

Synopsys宣布，Synopsys Design Platform已通過(guò)全球領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)企業(yè)三星電子的工藝認(rèn)證，支持三星代工部門(mén)的8nm LPP（...

2018-06-06 標(biāo)簽：三星電子 synopsys euv 2.1k 0

三星美國(guó)晶圓廠擴(kuò)建！

三星與當(dāng)?shù)卣炗嗛_(kāi)發(fā)協(xié)議，要求政府指定資源，并建立與場(chǎng)地開(kāi)發(fā)和建筑施工活動(dòng)審查、批準(zhǔn)和檢查快速流程。三星暫時(shí)未公布新建計(jì)劃，有人猜測(cè)可能只是存儲(chǔ)材料庫(kù)...

2023-11-25 標(biāo)簽：晶圓廠 EUV 三星 2.1k 0

ASML 2020年全年凈銷(xiāo)售總額為140億歐元

歐洲中部時(shí)間1月20日早上7點(diǎn)，ASML召開(kāi)了2020第四季度和全年財(cái)報(bào)電話會(huì)議，ASML總裁兼首席執(zhí)行官Peter Wennink在會(huì)上透露，ASML...

2021-01-20 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 2.1k 0

EUV微影技術(shù)仍待克服重重障礙 2020年將用于關(guān)鍵步驟

極紫外光（EUV）微影技術(shù)持續(xù)取得重大進(jìn)展。在日前于美國(guó)加州圣荷西舉行的國(guó)際光電工程學(xué)會(huì)（SPIE）年度會(huì)議上，英特爾（Intel）與三星（Samsun...

2017-03-02 標(biāo)簽：EUV 微影技術(shù)5nm制程 2.1k 0

韓國(guó)本土企業(yè)在EUV光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展

據(jù)韓國(guó)媒體 BusinessKorea 上周報(bào)道，韓國(guó)本土企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展。但并沒(méi)有提到是哪一家企業(yè)，合理推測(cè)應(yīng)指代韓國(guó)整個(gè)半...

2020-11-16 標(biāo)簽：三星電子光刻機(jī)EUV 2.1k 0

中芯國(guó)際將針對(duì)EUV光刻設(shè)備尋求與阿斯麥進(jìn)行談判

2020-12-29 標(biāo)簽：芯片光刻機(jī)EUV 2.1k 0

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3D打印（3DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過(guò)逐層打印的方式來(lái)構(gòu)造物體的技術(shù)。
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　　手機(jī)拆解過(guò)程，展示手機(jī)內(nèi)部零件及結(jié)構(gòu)。一輛報(bào)廢汽車(chē)的廢電瓶、廢油液進(jìn)行無(wú)害化處理，再拆解出可以利用的零部件后，整個(gè)車(chē)架被送進(jìn)一個(gè)巨大的破碎“神器”內(nèi)，瞬間進(jìn)行拆解破碎。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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