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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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汽車和工業(yè)用FET選擇GaN-on-Si的原因是什么
我們要知道的是電氣化正在改變?nèi)缃竦钠囆袠I(yè),消費者越來越需要充電更快、續(xù)航里程更遠的車輛。
如何簡單判斷一個場效應(yīng)管的好壞? 場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的晶體管類型之一。要判...
2023-11-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET 3k 0
ADI推出模擬前端ADA4350,在單個封裝中集成FET輸入放大器
Analog Devices, Inc. (ADI)推出集成ADC驅(qū)動器的FET輸入AFE(模擬前端)ADA4350,用于與電流模式傳感器(如光電二極...
場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種基于電場控制的電子器件,常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等...
2023-12-08 標(biāo)簽:放大器FET場效應(yīng)晶體管 2.9k 0
今天我們來介紹結(jié)型場效應(yīng)管,它在電路中的應(yīng)用特性是什么樣的。首先,讓我們簡單說說結(jié)型場效應(yīng)管的屬性,它屬于單極型晶體管,跟晶體三極管、雙極型晶體管一樣屬...
2022-09-13 標(biāo)簽:結(jié)型場效應(yīng)管FET 2.9k 0
2020年12月,由日本工業(yè)技術(shù)研究院(AIST)和中國臺灣半導(dǎo)體研究中心(TSRI)代表的聯(lián)合研究小組宣布了用于2nm世代的Si(硅)/ Ge(硅)/...
buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱如何計算?電路效率如何計算?
buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱如何計算?電路效率如何計算? Buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱計算與電路效率計算 隨著電子產(chǎn)品的逐步普及,人們對于其性能的要求越...
2023-10-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FETbuck電路 2.8k 0
宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強型氮化鎵FET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN) FET
晶閘管和場效應(yīng)管的主要區(qū)別 晶閘管(SCR)和場效應(yīng)管(FET)是電子元件中最為常見的兩種半導(dǎo)體器件。SCR是一種雙極型半導(dǎo)體器件,傳統(tǒng)應(yīng)用在直流電路的...
2023-08-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶閘管SCR 2.8k 0
UnitedSiC(現(xiàn)為Qorvo)擴展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC F...
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率D...
寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體,例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問世以來,WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...
一種用于檢測SARS-CoV-2的還原氧化石墨烯場效應(yīng)晶體管生物傳感器
隨著新型冠狀病毒(SARS-CoV-2)的傳播,對快速、準(zhǔn)確檢測和篩查新冠病毒肺炎(COVID-19)患者的工具的需求日益增加。
2023-03-27 標(biāo)簽:傳感器FET場效應(yīng)晶體管 2.5k 0
長期以來,在功率應(yīng)用方案中,熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項目有空間放置大型的散熱器時,從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而,隨著輸出功率提升以及功率密...
UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個SiC FET
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關(guān)型)系列650V SiC...
UnitedSiC在UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項
美國新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關(guān)UF...
OVP可調(diào)過壓過流保護芯片集成功率FET開關(guān)
概述: PC9094過電壓和過電流保護該器件具有低80mΩ(TYP)導(dǎo)通電阻集成MOSFET,主動保護低電壓 系統(tǒng)的電壓供應(yīng)故障高達+29V直流電。輸入...
Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型(cascade)和增強型(e-mode)氮化鎵器件的供應(yīng)商。
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