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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。
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電壓控制的場效應(yīng)晶體管（FET），主要用于放大弱信號，主要是無線信號，放大模擬和數(shù)字信號。 場效應(yīng)晶體管（FET）是一種使用電場效應(yīng)改變器件電性能的晶體...
2022-04-16 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管電壓控制 3.8萬 0
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場...
三極管 全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。...
基于MOS場效應(yīng)管的大功率寬頻帶線性射頻放大器設(shè)計(jì)
大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著...
2020-04-07 標(biāo)簽：放大器FETMOS場效應(yīng)管 8.6k 0
現(xiàn)在;一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西，或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個(gè)開關(guān)。 由于用處不同;每個(gè)廠家都對...
2010-12-14 標(biāo)簽：FET 7.4k 0
GaN應(yīng)用場景持續(xù)拓展，車規(guī)產(chǎn)品加速上車
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）隨著中高壓電力電子系統(tǒng)在近五年的快速發(fā)展，對功率密度、轉(zhuǎn)換效率的要求不斷提高，SiC在汽車、工業(yè)等各種中高壓場景已經(jīng)實(shí)現(xiàn)對...
怎樣使用瞬態(tài)輕觸開關(guān)來打開或關(guān)閉大的高壓大電流設(shè)備
恭喜，您完成了！您可以將此新電路與繼電器一起使用，以使用非常小的開關(guān)來控制高壓大電流負(fù)載！每次按下開關(guān)，電路都會(huì)改變狀態(tài)。一次按一下即可打開所有內(nèi)容，然...
2019-11-23 標(biāo)簽：FETPNP晶體管按鈕開關(guān) 6.3k 0
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12...
Intersil推出集成式FET同步降壓穩(wěn)壓器--ISL95210
Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)宣布，今天推出具有優(yōu)異效率和功率密度的最新10A集成式FET同步降壓穩(wěn)壓器---ISL95210。
2011-12-02 標(biāo)簽：IntersilFET降壓穩(wěn)壓器 5.4k 0
為什么可以認(rèn)為Vgs電壓是不變的？ Vgs電壓，也就是場效應(yīng)管（FET）的柵源電壓，在某些情況下可以被認(rèn)為是恒定的。這是因?yàn)樵贔ET工作的過程中，柵電極...
2023-09-20 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FET 5.2k 0
FET的主要參數(shù) FET的特點(diǎn)與雙極型晶體三極管相比，場效應(yīng)
2009-09-16 標(biāo)簽：FET 4.8k 0
如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個(gè)電極？場效應(yīng)管可以算是三極管嗎？
如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個(gè)電極？場效應(yīng)管可以算是三極管嗎？ 場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種使用電場效應(yīng)來控制電...
2023-11-21 標(biāo)簽：三極管場效應(yīng)管FET 4.3k 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電流環(huán)路，自20世紀(jì)50年代開始，就已經(jīng)成為過程控制系統(tǒng)中信號傳輸和電子控制的標(biāo)準(zhǔn)。很多電流環(huán)路的電源是通過LDO來提供的...
利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長達(dá)18 μm的光探測
膠體量子點(diǎn)（CQD）憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外（UV）到紅外（IR）波段的寬帶隙可調(diào)諧性，因而在光電子器件中備受關(guān)注。
2024-04-23 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管光電子器件 3.9k 0
功率電子技術(shù)正朝向更高的功率密度、高快的開關(guān)速度、更小的器件體積這個(gè)趨勢發(fā)展，而傳統(tǒng)的硅基器件已經(jīng)接近了物理性能的天花板，很難有大幅提升的空間，因此基于...
在 2019 年，Qorvo 宣布收購高性能 RF MEMS 天線調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics， Inc.（簡稱：CK）。 ...
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo)
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc...
2023-02-03 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FET氮化鎵 3.3k 0
MS8258D 是一款具有 CMOS 輸入的低噪聲運(yùn)算放大器，適用于寬帶跨阻和電壓放大器應(yīng)用。
2023-11-22 標(biāo)簽：放大器運(yùn)算放大器FET 3.3k 0
可控硅與場效應(yīng)管區(qū)別工作原理 可控硅（SCR）和場效應(yīng)管（FET）是電子領(lǐng)域中兩個(gè)常見的器件，它們在不同的應(yīng)用領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將重點(diǎn)介紹SC...
2023-09-08 標(biāo)簽：場效應(yīng)管可控硅SCR 3.1k 0
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