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標(biāo)簽 > GaN FET
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analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年來,工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關(guān)頻率...
調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動器以用于GaN FETs
氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢。然而,GaN...
正如我們在2020年Electronica電力電子論壇上的演講中所說的那樣,電力行業(yè)的歷史令人著迷,并且充滿了令人驚嘆的天才級工程師,他們正在使電源解決...
GaN FET在汽車電子高頻變壓器設(shè)計(jì)實(shí)例
當(dāng)前的消費(fèi)者對于續(xù)航里程、充電時(shí)間和性價(jià)比等問題越來越關(guān)注,為了加快電動汽車(EV)的采用,全球的汽車制造商都迫切需要增加電池容量、縮短充電時(shí)間,同時(shí)確...
利用TI的600V GaN FET功率級實(shí)現(xiàn)高性能功率轉(zhuǎn)換革命
達(dá)拉斯, 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新,德州儀器(TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)今天宣布推出600 -V...
2019-08-07 標(biāo)簽:PCB打樣華強(qiáng)PCBGaN FET 3.3k 0
如何使用耦合電感器提高DC-DC應(yīng)用中的功率密度?
在數(shù)據(jù)中心和通信應(yīng)用中,48伏特的配電系統(tǒng)相當(dāng)普遍,許多方案用于將48V降至中間電壓軌道。最簡單的方法是使用降壓拓?fù)洌梢蕴峁└咝阅?,但往往在功率密?..
探索LMG3425R050:600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力
探索LMG3425R050:600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力 在當(dāng)今的電子領(lǐng)域,功率器件的性能提升對于實(shí)現(xiàn)高效、緊湊的電源設(shè)計(jì)至關(guān)...
2026-03-01 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)GaN FETLMG3425R050 1.3k 0
技術(shù)資料#LMG3522R030-Q1 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報(bào)告的汽車類650V 30mΩ GaN FET
LMG3522R030-Q1 集成了一個硅驅(qū)動器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開...
2025-02-24 標(biāo)簽:驅(qū)動器開關(guān)電源ti 1.3k 0
LMG3425R030:600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用解析
LMG3425R030:600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用解析 在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高效、高功率密度的功率器件一直是工程師們追求的目標(biāo)。...
2026-03-01 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器GaN FETLMG3425R030 1.3k 0
“芯”品發(fā)布|鎵未來推出“9mΩ”車規(guī)級 GaN FET,打破功率氮化鎵能效天花板!
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步,打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日,鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...
安世推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET GAN FET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的 E-mo...
Nexperia將首次亮相第三屆中國國際進(jìn)口博覽會
Nexperia為多個汽車應(yīng)用領(lǐng)域貢獻(xiàn)力量,約270款Nexperia產(chǎn)品運(yùn)用在不同的汽車應(yīng)用中。
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結(jié)合
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代,功率半導(dǎo)體器件...
2025-12-29 標(biāo)簽:功率器件GaN FETTP65H070G4RS 850 0
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關(guān)的理想之選
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中,不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件...
2025-12-29 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)GaN FETTP65H070G4PS 626 0
深度解析LTC7892:高性能雙路升壓控制器的卓越之選 一、引言 在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域,對于高性能、高效率的升壓控制器的需求始終不斷攀升。特別是在面...
探索LTC7891:用于GaN FET的高性能降壓控制器 引言 在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高效、可靠的電源管理是至關(guān)重要的。LTC7891作為一款專門為Ga...
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