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殺入新能源汽車(chē)市場(chǎng)的GaN，勝算幾何
SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，G...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁...
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如，在談?wù)摴β拭芏葧r(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...
與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強(qiáng)等特...
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前...
2023-05-17 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1.9k 0
高/低功率各不相同，射頻電路電源管理這門(mén)學(xué)問(wèn)你真的懂么？
電源管理是一門(mén)科學(xué)藝術(shù)，它通過(guò)優(yōu)化輸入和輸出信號(hào)來(lái)最大化 RF 設(shè)備的效率和性能，這不是一件容易的事。每臺(tái)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備都有自己獨(dú)特的功率需求。更高的數(shù)據(jù)速率...
SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。
應(yīng)用筆記——GaN偏置電路設(shè)計(jì)準(zhǔn)則
本文內(nèi)容翻譯自一篇Qorvo的應(yīng)用筆記，雖然標(biāo)題是針對(duì)GaN偏置電路設(shè)計(jì)的一些基本準(zhǔn)則，但實(shí)際上對(duì)GaAs也是適用的?；诨衔锇雽?dǎo)體做射頻功放的同學(xué)應(yīng)...
2023-05-10 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)晶體管偏置電路 9.7k 0
如何通過(guò)PyTorch實(shí)現(xiàn)卷積GAN構(gòu)建？
人們?cè)?jīng)認(rèn)為生成的任務(wù)是不可能的，并且被 GAN 的力量所震驚，因?yàn)閭鹘y(tǒng)上，根本沒(méi)有任何事實(shí)可以比較我們生成的圖像。
2023-05-09 標(biāo)簽：GaN計(jì)算機(jī)視覺(jué)pytorch 1k 0
隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關(guān)中大功率快充方案?jìng)涫苁袌?chǎng)青睞。為了滿足市場(chǎng)新需求，晶豐明源通過(guò)不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦...
2023-05-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器充電器寄存器 2.5k 0
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...
還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難？試試這兩個(gè)器件
面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車(chē) (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。
絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)器件技術(shù)
GaN基功率開(kāi)關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵...
2023-04-29 標(biāo)簽：功率器件GaN開(kāi)關(guān)器件 2.7k 0
傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高...
氮化鎵（GaN）的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下...
Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計(jì)
過(guò)去幾年，由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用，加之GaN技術(shù)的普及，使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài)，小功率電源...
什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對(duì)比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...
那么，這是否意味著GaN將在每種應(yīng)用中取代GaAs？答案是否定的，這就是為什么Microchip生產(chǎn)分立式以及GaN和GaAs MMIC產(chǎn)品，并擁有業(yè)內(nèi)...
例如，多家半導(dǎo)體制造商開(kāi)發(fā)了片上系統(tǒng) （SoC），其中包括整個(gè)射頻 （RF） 信號(hào)鏈和有源相控陣天線，該天線在微型封裝中集成了數(shù)十個(gè)元件。硅鍺（SiGe...
UPS（不間斷電源）作為一種保障電力供應(yīng)穩(wěn)定和可靠的設(shè)備，被廣泛應(yīng)用在計(jì)算機(jī)、通訊和工業(yè)等領(lǐng)域。
2023-04-18 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器UPS 2.2k 0
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