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SJ MOSFET的應用及與SiC和GaN的比較

超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...

2023-06-08 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 5.9k 0

最新成果展示：AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫的開發(fā)與應用

由于AlN和GaN之間存在較大的晶格失配和熱膨脹失配，導致很難獲得高質量的AlN/GaN布拉格反射鏡（Distributed Bragg Reflect...

2023-06-07 標簽：激光器數(shù)據(jù)庫 GaN 1.4k 0

茂睿芯推出全新一代氮化鎵技術LD-GaN

氮化鎵（GaN）作為第三代半導體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領域被廣泛使用。

2023-06-02 標簽：變壓器氮化鎵 GaN 1k 0

GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，...

2023-05-25 標簽：半導體晶體管 GaN 5.6k 0

GaN基耐輻射DC/DC變換器在衛(wèi)星應用中提高效率

在過去幾年中，航天市場通過采用以前在空間系統(tǒng)中看不到的新技術，朝著更高效的電源解決方案發(fā)展?？臻g硬件受到惡劣環(huán)境條件的影響，包括電離輻射，因此必須使用抗...

2023-05-25 標簽：轉換器變換器衛(wèi)星 2k 0

GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算（上）

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導體缺陷和雜質性質的第一性原理計算模擬...

2023-05-25 標簽：GaN DASP HSE 2.4k 1

什么是碳化硅半導體

硅（Si）是電子產品中常用的純半導體的一個例子。鍺（Ge）是另一種純半導體，用于一些最早的電子設備。半導體也由化合物制成，包括砷化鎵（GaAs）、氮化...

2023-05-24 標簽：半導體晶體管 GaN 4.9k 0

氮化鎵晶體管的優(yōu)勢

當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術與不同的半導體材料相結合。因此，縮小哪一個最適合特定設計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...

2023-05-24 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 2k 0

利用GaN的帶寬和功率密度優(yōu)勢對抗RCIED

氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構建RF功率放大器（PA）的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻...

2023-05-24 標簽：功率放大器 RF GaN 2.2k 0

碳化硅上的氮化鎵還是硅上的氮化鎵？

SiC上的GaN的主要優(yōu)點是其導熱性優(yōu)勢。SiC上的GaN的導熱性是Si上的GaN的三倍，允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...

2023-05-24 標簽：SiC GaN 5G 1.3k 0

碳化硅上的氮化鎵是唯一可行的長期5G解決方案

5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術和基礎設施設計帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...

2023-05-24 標簽：GaN 碳化硅 5G 1.2k 0

碳化硅上的氮化鎵：襯底挑戰(zhàn)

RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢：

2023-05-24 標簽：RF 氮化鎵 GaN 1.7k 0

更智能、更簡單的射頻電源解決方案

Wolfspeed 的 GaN on SiC 解決方案正在徹底改變射頻功率放大器的前驅動器、驅動器和輸出級。具體而言，新的高電子遷移率晶體管（HEMT）...

2023-05-24 標簽：驅動器功率放大器發(fā)射器 1.8k 0

碳化硅MMIC上的氮化鎵：高功率AESA雷達設計

除了導致更高的輸出頻率范圍外，對于地面雷達來說，這是一個關鍵的設計考慮因素，地面雷達越來越多地使用有源電子掃描陣列（AESA）技術，以在更小的封裝中封裝...

2023-05-24 標簽：雷達 GaN aesa 4.4k 0

GaN HEMT大信號模型

GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8...

2023-05-24 標簽：功率放大器 GaN HEMT 3.8k 0

用于脈沖雷達應用的氮化鎵HEMT

這些優(yōu)勢是目前取代雷達常用的高功率、大帶寬行波管（TWT）放大器的趨勢背后的原因。GaN HEMT消除了由于陰極耗盡而導致的TWT放大器固有的使用壽命相...

2023-05-24 標簽：放大器雷達 GaN 2.7k 0

集成的專業(yè)知識為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應用中實現(xiàn)高效運行的無可爭議的技術，例如 X 波段（8–12 GHz）的應用。SiC器件上的GaN可以為這些應用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.4k 0

SiC范圍內的GaN和熱感知簡化了X波段雷達設計

性能參數(shù)因應用而異，雷達系統(tǒng)可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導頻率范圍，可用于海上導...

2023-05-20 標簽：半導體 RF GaN 2.8k 0

提升RF功率放大器的脈沖保真度

考慮到功率對雷達探測距離的重要性，工程師可能會完全專注于在尺寸限制內盡可能多地提升功率 — 通過使用 Wolfspeed 最新的 GaN 技術獲取最高的...

2023-05-20 標簽：功率放大器 RF GaN 1.7k 0

SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”

本文我們將重點介紹第三代半導體中的碳化硅（SiC），與下文氮化鎵（GaN）的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標，并為大家推薦貿澤電子在售的領先的...

2023-05-19 標簽：半導體 SiC GaN 1.7k 0

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藍牙5是藍牙技術聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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