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KT65C1R200D是一款采用DFN8x8封裝的650V（200mΩ）氮化鎵（GaN）。它是一款常關(guān)器件，將KeepTops最新的高壓GaN HEMT...
GaN場效應(yīng)晶體管（FET）器件的工作電壓可以比同類GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的電壓下工作，因此設(shè)計人員可以更輕松地在窄帶放大器...
室溫超導(dǎo)神話！太赫茲Onyx系統(tǒng)助力電性能無損檢測
7月底，有關(guān)已成功合成世界上第一個室溫常壓超導(dǎo)體的論文引發(fā)全球熱議，我們是否即將迎來室溫超導(dǎo)的時代？室溫超導(dǎo)的探究離不開各類電性能表征技術(shù)，基于太赫茲技...
分立晶體管是電子設(shè)計中最常見的元器件之一。該產(chǎn)品適用于眾多應(yīng)用，從簡單的小信號晶體管到大型高功率器件，以及高頻/高功率器件。
微美全息（NASDAQ:WIMI）突破技術(shù)壁壘，并行GANs圖像修復(fù)網(wǎng)絡(luò)助力高效恢復(fù)
近年來，隨著互聯(lián)網(wǎng)和數(shù)字媒體的迅猛發(fā)展，圖像修復(fù)技術(shù)逐漸成為一個備受關(guān)注的熱門領(lǐng)域。然而，傳統(tǒng)的圖像修復(fù)方法通常需要大量的人工干預(yù)，并且在復(fù)雜場景下表現(xiàn)...
2023-08-14 標(biāo)簽：互聯(lián)網(wǎng)解碼GaN 1k 0
Transphorm的GaN首次達(dá)到對電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用至關(guān)重要的短路穩(wěn)健性里程碑
Yaskawa企業(yè)技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理Motoshige Maeda表示：“如果功率半導(dǎo)體器件無法承受短路事件，系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認(rèn)為GaN...
2023-08-14 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動GaN功率晶體管 1.3k 0
英諾賽科（Innoscience）一直致力于推動GaN技術(shù)的發(fā)展，從而推動新一代電力電子設(shè)備的快速普及。2023年8月，英諾賽科推出了一款100V的Ga...
650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
Gel-Pak VR真空釋放盒應(yīng)用于50V GaN HEMT 芯片
50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進(jìn)行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定...
據(jù)電子時報報道，IC代工廠Vanguard International Semiconductor（VIS，世界先進(jìn)）表示，盡管存在短期阻力，但8英寸硅...
GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)是什么？ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規(guī)器件
如今，開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時又不斷降低成本和縮減尺寸呢？ 我們發(fā)現(xiàn)，氮化鎵...
2023-08-03 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 793 0
蔡司掃描電鏡在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用成果
掃描電鏡-電子通道襯度成像技術(shù)（SEM-ECCI）是一種在掃描電鏡下直接表征晶體材料內(nèi)部缺陷的技術(shù)。SEM-ECCI技術(shù)的發(fā)展在缺陷表征領(lǐng)域替代了一部分...
無線充電在技術(shù)行業(yè)中變得越來越普遍，提供了一種更方便的設(shè)備充電方式，而無需使用電纜或插頭。隨著技術(shù)的進(jìn)步，由于氮化鎵（GaN）功率器件的使用，無線充電變...
近日，氮化鎵行業(yè)新增了4個項(xiàng)目，涉及單晶襯底、器件等環(huán)節(jié)。
第三代半導(dǎo)體后起之秀：氮化鎵未來幾大新的增長點(diǎn)
比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。
逆變器中600V-1200V碳化硅MOSFET預(yù)備起飛
逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復(fù)合年增長率為27%。
2023-07-17 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 905 0
三星進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工市場，各廠商加速入局GAN市場氮化鎵行業(yè)快報
報道強(qiáng)調(diào)，隨著全球消費(fèi)電子、電動汽車領(lǐng)域的技術(shù)升級和需求成長，功率半導(dǎo)體的價格一直在上漲。因此，市場希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導(dǎo)體...
2023-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵GaN半導(dǎo)體代工 1.5k 0
三星啟動氮化鎵功率半導(dǎo)體代工 三星電子近期業(yè)績壓力很大，市場疲軟、存儲芯片價格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤暴跌，根據(jù)三星電子公布的2023...
又一半導(dǎo)體大廠入局，GaN市場一片光明，可廣泛用于傳感器
氮化鎵（GaN）是直接寬帶隙半導(dǎo)體材料，屬于第3代半導(dǎo)體。相較于硅、砷化鎵等，GaN的禁帶寬度更大、擊穿電場強(qiáng)度更高，具有更高的電子飽和度和漂移速率、更...
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