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Wolfspeed的CGHV40320D是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優(yōu)越的性能;CGHV4032...
國星光電第三代半導(dǎo)體看點盡在《GaN的SIP封裝及其應(yīng)用》
為期四天的2023廣州國際照明展覽會(簡稱:光亞展)在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會,國星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū),鮮明的主題,...
朗迅科技承擔(dān)國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項
近日,朗迅科技參與國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項 ——?GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)綜合績效評價會議,至此,該項目順利結(jié)題。 “戰(zhàn)略...
新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈,亞洲企業(yè)紛紛涉足
與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...
2013-12-30 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.1k 0
電動汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經(jīng)開發(fā)并通過汽車認證 650 V GaN 器件,用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC...
云鎵半導(dǎo)體樂高化組裝,一鍵式測試|云鎵GaN自動化雙脈沖測試平臺作為一種新型開關(guān)器件,GaN功率器件擁有開關(guān)速度快、開關(guān)損耗低等優(yōu)點。當(dāng)前不同GaN工藝...
納芯微高壓半橋驅(qū)動NSD2622N:為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
納芯微推出專為增強型 GaN 設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片 NSD2622N,集成正負壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高 dv/dt 抗擾能力和強驅(qū)動能力,可簡...
除了可以被視為利基領(lǐng)域的航空航天和國防之外,GaN在電信市場中也占有重要地位,其中高功率密度、開關(guān)頻率和效率(結(jié)合小尺寸)是強制性要求。
2024廣州國際新能源汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會5月與您相約廣州保利世貿(mào)博覽
AUTO TECH 2024 廣州國際新能源汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會,將于2024年5月15日-17日在廣州保利世貿(mào)博覽館盛大召開
氮化鎵(GaN)是極具潛力的第三代半導(dǎo)體,廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制,特別是在器...
芯干線邀您相約2025中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會
2025年11月8-9日,第四屆中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨展覽會、中國電源學(xué)會第二十八屆學(xué)術(shù)年會將在深圳國際會展中心召開,各領(lǐng)域的新技術(shù)、新成果、新產(chǎn)...
2025芯導(dǎo)科技產(chǎn)品推介會暨合作伙伴大會順利結(jié)束
此前,4月16日下午,春意融融,陽光灑滿大地,2025(春季)芯導(dǎo)科技產(chǎn)品推介會暨合作伙伴大會在芯導(dǎo)科技上??偛繄A滿舉行。此次大會匯聚了近百位行業(yè)專家與...
2025-04-21 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體芯導(dǎo)科技 1.1k 0
芯干線邀您相約2025亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇
歷經(jīng)多年錘煉,21Dianyuan 銳意進取,再啟新篇,邀請數(shù)十名國內(nèi)外資深專家,打造出規(guī)模超前的第十六屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”。五十多位資深專家技術(shù)...
多維科技在紐倫堡Sensor+Test展會上推2MHz帶寬的可編程TMR265x線性傳感器芯片
多維科技全新的TMR265x 線性磁場傳感器芯片具有出色的溫度穩(wěn)定性和多功能性,為高速功率器件提供寬頻譜電流檢測方案。 2023年5月8日,多維科技將在...
PC1067集成GaN高頻準(zhǔn)諧振AC-DC適配器
概述 PC1067 是一款集成?GaN 功率器件的高頻準(zhǔn)諧振反激控制器,適合設(shè)計在離線式?USB-PD和USB Type-C?等快速充電器和電源供應(yīng)器方...
PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)...
Qorvo 新推出的芯片組優(yōu)化了相控陣系統(tǒng)中尺寸最大、成本最高的部件之一---脈沖儲能電容器。該解決方案采用創(chuàng)新型架構(gòu),使電容減少 90%,系統(tǒng)體積縮小...
2023-02-28 標(biāo)簽:GaN雷達系統(tǒng) 1.1k 0
安森美(onsemi)宣布已與英諾賽科(Innoscience)簽署諒解備忘錄,雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵(GaN)硅基工藝,以擴大 ...
氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中
Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出
不斷增加的汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0以及基于GaN的主流設(shè)計正漸入佳境,都將推動2021年及未來功率半導(dǎo)體的需求增長。
2021-02-19 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體Nexperia 1.1k 0
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