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HBM（High Bandwidth Memory，HBM）性能強大成為 AI/ML 和其他高性能計算工作負載的首選內(nèi)存。AI服務(wù)器需求的爆發(fā)使得HBM供不應(yīng)求。HBM3 于2022 年正式推出，是最新一代的高帶寬內(nèi)存；我們可以認為HBM3的擴展版本就是HBM3E。

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SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。

2023-08-22 標(biāo)簽：AI 超級芯片 SK海力士 1.9k 0

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點

? ? 據(jù)了解，HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度，HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一...

2023-10-10 標(biāo)簽：DRAM ERP HBM 1.9k 0

美光12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動交付

美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付，標(biāo)志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進內(nèi)存正陸續(xù)送達主要行業(yè)合作伙伴...

2024-09-09 標(biāo)簽：內(nèi)存美光科技 HBM3E 1.9k 0

SK海力士預(yù)計3月量產(chǎn)HBM3E，供貨英偉達

近日，全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation ...

2024-02-25 標(biāo)簽：存儲器英偉達 SK海力士 1.9k 0

英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復(fù)雜，預(yù)計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是，驗證工作可能會在2...

2023-11-29 標(biāo)簽：芯片英偉達 HBM 1.9k 0

英偉達大量訂購HBM3E內(nèi)存，搶占市場先機

英偉達（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。

2023-12-29 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存英偉達 1.9k 0

美光科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球內(nèi)存與存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解...

2024-03-05 標(biāo)簽：gpu 美光科技內(nèi)存技術(shù) 1.8k 0

三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，...

2024-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 三星電子 1.8k 0

三星披露下一代HBM3E內(nèi)存性能

FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基，接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上，都...

2023-10-23 標(biāo)簽：內(nèi)存晶體管 EUV 1.8k 0

GPU需求高漲,原廠競相把握HBM3e市場機遇

AI芯片需求在人工智能浪潮中持續(xù)攀升，近期消息顯示，不僅HBM（高帶寬存儲器）出現(xiàn)供不應(yīng)求、原廠積極擴產(chǎn)的情況，英偉達Blackwell架構(gòu)的GPU也面...

2024-10-15 標(biāo)簽：gpu AI HBM 1.8k 0

SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時，SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（B...

2023-08-23 標(biāo)簽：DRAM 散熱性能 SK海力士 1.8k 0

三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試

韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產(chǎn)品測試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達供貨的序幕。然而...

2024-07-05 標(biāo)簽：三星電子英偉達 HBM3E 1.8k 0

美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案，加速人工智能發(fā)展

202 4 年 3 ?月 4 ?日，中國上海 —— 全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商?Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公...

2024-03-04 標(biāo)簽：HBM3E 1.7k 0

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級版，2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶...

2024-02-25 標(biāo)簽：傳輸速率英偉達 HBM3 1.7k 0

消息稱三星Q2供應(yīng)超微HBM3E 下半年啟動大規(guī)模量產(chǎn)

HBM，即高帶寬內(nèi)存，以其獨特的“樓房設(shè)計”概念，打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計局限，憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認可。

2024-04-15 標(biāo)簽：DDR內(nèi)存 HBM 三星 1.7k 0

SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e ...

2024-11-14 標(biāo)簽：芯片 SK海力士 HBM3E 1.6k 0

英偉達巨資預(yù)訂HBM3E，力拼上半年算力市場

在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競爭中，英偉達以其卓越的技術(shù)實力和市場影響力，始終保持著領(lǐng)先地位。最近，這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強大的資金...

2024-06-22 標(biāo)簽：美光 SK海力士 AI芯片 1.6k 0

今日看點丨SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E；蘋果正在開發(fā) A19 仿生處理器和 M5 系列芯片

1. 狠砸1 億英鎊！英國首相蘇納克計劃購入數(shù)千顆AI 芯片 ? 據(jù)報道，英國首相蘇納克（Rishi Sunak）將花費1億英鎊，用于購買數(shù)千顆高性能人...

2023-08-21 標(biāo)簽：蘋果 SK海力士 HBM3 1.6k 0

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器，領(lǐng)先三星

在嚴(yán)格的9個開發(fā)階段后，當(dāng)前流程全部完成，步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達產(chǎn)升能的標(biāo)志，這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交...

2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體英偉達 SK海力士 1.6k 0

英偉達對三星HBM3E進行測試，海力士仍穩(wěn)坐HBM市場頭把交椅

現(xiàn)如今，SK海力士為英偉達AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品，同時自去年起，美光公司也加入了該供應(yīng)陣營。據(jù)悉，相比其他競爭對手，三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了...

2024-03-22 標(biāo)簽：英偉達 SK海力士 HBM 1.6k 0

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