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      igbt

      igbt

      +關(guān)注1259人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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      igbt技術(shù)

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      2023-09-19 標(biāo)簽：變頻器電動機IGBT 2.2k 0

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      本章是DIPIPM技術(shù)講座的第4章，前面3章中分別介紹了DIPIPM的發(fā)展歷史、結(jié)構(gòu)與功能、電路選型及應(yīng)用。本

      2023-09-15 標(biāo)簽：萬用表PCB板IGBT 6.2k 0

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      作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域，并且將進(jìn)一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。

      2023-09-15 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET逆變器 2k 0

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      對電力電子工程師而言，功率組件是我們的設(shè)計對象，而IGBT由于其出色的特性被廣泛使用于功率組件中。 功率組件的效率、保護(hù)功能、EMC等 表現(xiàn)和IGBT的...

      2023-09-15 標(biāo)簽：芯片示波器IGBT 3.2k 0

      常見的幾種功率半導(dǎo)體器件

      半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

      2023-09-15 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 3.1k 0

      新能源汽車IGBT功率器件溫度測試方案

      IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.

      2023-09-14 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1.7k 0

      二極管應(yīng)用手冊

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      本書介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù)，器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、...

      2023-09-14 標(biāo)簽：二極管MOSFETIGBT 866 0

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      其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。

      2023-09-13 標(biāo)簽：MOS管IGBTPN結(jié) 2.2k 0

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      ABB公司給出了6種，如下表，也就是企業(yè)自己的命名；而在國際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9中僅對短路模式1/2有定義。

      2023-09-13 標(biāo)簽：IGBT額定電壓寄生電感 3.3k 0

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      數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動芯片，擁有強勁的驅(qū)動能力、完善的保護(hù)功能、超高的...

      2023-09-13 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 4.5k 1

      IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢

      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高功率半導(dǎo)體器件，具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于...

      2023-09-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBTBJT 5.8k 0

      碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)（ESS）中的應(yīng)用介紹

      與傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)相比，碳化硅（SiC）技術(shù)具有更多優(yōu)勢

      2023-09-12 標(biāo)簽：電動汽車IGBT晶體管 1.5k 0

      如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

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      在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

      2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFETIGBT寄生電容 1.7k 0

      開關(guān)電源共模電流干擾—三回路模型介紹

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      開關(guān)電源共模電流模型可以用下面三個回路來簡單說明。在開關(guān)管共模電壓的驅(qū)動下，形成輸入回路、輸出回路和輸入-輸出大回路。

      2023-09-11 標(biāo)簽：開關(guān)電源IGBTPCB走線 3.1k 0

      IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析

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      近年來，新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率...

      2023-09-11 標(biāo)簽：三極管新能源汽車IGBT 5.6k 0

      SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

      SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

      相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減...

      2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET元器件導(dǎo)通電阻 5.4k 0

      IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

      IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

      雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù)，但它在高功率應(yīng)用中仍然發(fā)揮著重要作用。

      2023-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTSiC 2k 0

      PWM控制型IGBT的EMI工程估算與基本原理分析

      PWM控制型IGBT的EMI工程估算與基本原理分析

      PWM控制型IGBT工作在斬波模式，使得IGBT本身自帶干擾源屬性，自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。

      2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動器IGBTPWM控制器 3.3k 0

      PWM控制型IGBT的EMI機理與抑制優(yōu)化設(shè)計方法探討

      PWM控制型IGBT的EMI機理與抑制優(yōu)化設(shè)計方法探討

      驅(qū)動器類IGBT控制方式，特別是變頻器類，有無PG V/f 控制、帶PG V/f控制、無PG矢量控制、帶PG矢量控制等等不同的控制方式和術(shù)語描述

      2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動器變頻器IGBT 4.6k 0

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      變頻器（Variable-frequency Drive，VFD）是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備...

      2023-09-08 標(biāo)簽：接線變頻器IGBT 4.6k 0

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        IOT
        +關(guān)注
        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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      • STM32F103C8T6
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護(hù)器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        做單片機的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識，它是自動引導(dǎo)機器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！
      • 光模塊
        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
      • Nexperia
        Nexperia
        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
      • LM2596
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        +關(guān)注
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        光立方
        +關(guān)注
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        K60
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        加速度傳感器
        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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      • ESP8266
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        +關(guān)注
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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