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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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什么是IGBT？本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。
在討論了48伏特架構(gòu)（“48伏特輕度混合動力系統(tǒng)的出現(xiàn)”）并描述了一些主要應(yīng)用（“48伏特起動發(fā)電機(jī)”）后，我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...
2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 1.6k 0
開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險(xiǎn)，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...
2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT開關(guān)器件 3.3k 0
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...
為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng)：碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢！
GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測試和測量以及...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-02-12 標(biāo)簽：pcbIGBTPCB設(shè)計(jì) 3.8k 0
工業(yè)縫紉機(jī)的電機(jī)驅(qū)動IGBT怎么選擇？
工業(yè)縫紉機(jī)在生活、生產(chǎn)應(yīng)用是非常廣泛的，而電機(jī)驅(qū)動是工業(yè)縫紉機(jī)系統(tǒng)的中樞大腦。在產(chǎn)品研發(fā)中考慮設(shè)計(jì)以及電子元器件的優(yōu)化來提升產(chǎn)品性能是非常重要的。
2023-02-12 標(biāo)簽：UPS電機(jī)驅(qū)動IGBT 1.3k 0
由于變頻器（VFD）輸出電壓不平衡的特點(diǎn)是電機(jī)抖動和轉(zhuǎn)速不穩(wěn)定。一般來說，沒有經(jīng)驗(yàn)很難確定哪個驅(qū)動器有問題。此時(shí)可啟動VFD的2hz，用萬用表DC電壓范...
變頻器（VFD）在運(yùn)行時(shí)突然發(fā)出爆炸聲，同時(shí)外部保險(xiǎn)絲燒斷，拆機(jī)時(shí)發(fā)現(xiàn)VFD的igbt模塊損壞。測試相關(guān)板卡后發(fā)現(xiàn)igbt觸發(fā)電路損壞，其他板卡正常。在...
根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗包括導(dǎo)通和關(guān)斷損...
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二...
具體而言，SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用，比如工業(yè)領(lǐng)域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應(yīng)用，例如 IGB...
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC...
同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢的Hybrid MOS
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSF...
MOS晶體管是MOSFET，中文全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，稱為金氧半場效應(yīng)晶體管（gold oxygen half field effe...
功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體，22 年全球功率器件市場約為281億美元，2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...
ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級的低...
RGS系列：支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT
ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的...
2023-02-09 標(biāo)簽：IGBT 1.4k 0
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