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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT過流和短路保護(hù)
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可以在相對(duì)惡劣的環(huán)境中運(yùn)行,其中可能發(fā)生高溫、交流線路瞬變、機(jī)械過載、接線錯(cuò)誤和其他突發(fā)事件。其中一些事件可能導(dǎo)致電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源電路中流動(dòng)較...
2023-01-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電機(jī)IGBT 5.2k 0
雙界面散熱結(jié)構(gòu)IGBT的熱測試方法與結(jié)果分析
為解決上述問題,本文創(chuàng)新性地提出雙界面散熱結(jié)構(gòu)的熱測試方法,對(duì)傳統(tǒng)雙界面法進(jìn)行優(yōu)化,分別采用兩種不同的導(dǎo)熱界面材料 A 與 B 對(duì)結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線進(jìn)行分離。
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
本文以單相橋式逆變電路為例簡單說明一下逆變電路工作原理。 S1~S4是橋式電路的4個(gè)臂,由電子器件晶閘管或IGBT及輔助電路組成。
高效節(jié)能電機(jī)與變頻節(jié)能電機(jī)工作原理
高效節(jié)能電機(jī)工作原理: 采用新型電機(jī)設(shè)計(jì)、新工藝及新材料,通過降低電磁能、熱能和機(jī)械能的損耗,提高輸出效率。
2023-01-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT節(jié)能電機(jī) 2.8k 0
為什么IGBT和碳中和形成相關(guān)關(guān)系,我認(rèn)為清潔能源的大規(guī)模推廣,對(duì)IGBT提出更高的需求,最典型就是光伏逆變器的應(yīng)用,這里面需要大量高壓,超高壓的IGB...
2022-12-27 標(biāo)簽:IGBT 2.5k 0
承受現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器絕緣能力的最大功率限制
對(duì)于IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器電氣過應(yīng)力測試(EOS測試),設(shè)置了一個(gè)非常接近真實(shí)條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
2022-12-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.6k 0
在電力電子領(lǐng)域,例如在驅(qū)動(dòng)技術(shù)中,IGBT經(jīng)常用于高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管是電壓控制的,在開關(guān)過程中產(chǎn)生其主要損耗。為了最大限度地降低開關(guān)損耗...
2022-12-22 標(biāo)簽:處理器驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.3k 0
在開關(guān)過程中,晶體管短暫處于同時(shí)施加高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這會(huì)導(dǎo)致某些損失,這取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(見圖2)。目標(biāo)是最小化這些時(shí)間段。...
2022-12-22 標(biāo)簽:處理器驅(qū)動(dòng)器IGBT 997 0
IGBT基礎(chǔ)知識(shí)、參數(shù)特性、驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顧名思義,是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...
碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測試
基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三...
電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用三種不同的dV/dt控制方法
在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中,放緩開關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值,從而損壞繞組絕緣層,進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。
什么是IGBT的退飽和?什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)?
如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流??梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個(gè)部分。
漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
ACPL-339J是一款先進(jìn)的1.0 A雙輸出,易于使用,智能的手機(jī)IGBT門驅(qū)動(dòng)光耦合器接口。專為支持而設(shè)計(jì)MOSFET制造商的各種電流評(píng)級(jí),ACPL...
按照國際通用標(biāo)準(zhǔn),商用空調(diào)是3HP以上空調(diào)機(jī)組的統(tǒng)稱。近年來,變頻空調(diào)技術(shù)已日趨成熟。隨著永磁同步壓縮機(jī)技術(shù)的發(fā)展,壓縮機(jī)的單機(jī)功率呈現(xiàn)增長趨勢(shì),與之相...
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