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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1259人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3434個 瀏覽：264725次 帖子：485個

      igbt技術(shù)

      有源鉗位技術(shù)解析

      有源鉗位技術(shù)解析

      IGBT有源鉗位電路的意義是什么，IGBT有源鉗位的核心是檢測Vgc壓降，通過延緩IGBT關(guān)斷，限制因為高di/dt引起的電壓尖峰。

      2022-12-13 標(biāo)簽：變壓器IGBT有源鉗位 8.4k 0

      美的電磁爐維修經(jīng)驗分享，同步檢測電路工作原理

      現(xiàn)在電磁爐已經(jīng)是家里必備電器之一了，加熱快，使用方便，給我們帶來很大便利。雖然現(xiàn)在電路集成度高，不易損壞，但由于工作環(huán)境和元器件自然壽命原因，也會有不少...

      2022-12-01 標(biāo)簽：檢測電路IGBT電磁爐 1.2萬 0

      IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用

      斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù)，其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)...

      2022-11-29 標(biāo)簽：晶閘管IGBT斬波 5.1k 0

      青銅劍技術(shù)新一代I型三電平小功率IGBT驅(qū)動核2QD0225T12-Q解析

      青銅劍技術(shù)新一代I型三電平小功率IGBT驅(qū)動核2QD0225T12-Q解析

      近年來，隨著技術(shù)進步和國家政策支持，我國新型儲能已逐步在電力輔助服務(wù)、用戶側(cè)電價管理、新能源消納以及電網(wǎng)輸配電服務(wù)等領(lǐng)域得到應(yīng)用。 為有效降低成本、提升...

      2022-11-25 標(biāo)簽：IGBT拓撲結(jié)構(gòu)三電平 7.7k 0

      IGBT和SiC柵極驅(qū)動器基礎(chǔ)知識（一）

      大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。

      2022-11-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 2.2k 0

      碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用！

      電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...

      2022-11-23 標(biāo)簽：IGBT功率器件SiC 1.6k 0

      變頻器三相電壓不平衡的問題分析及解決排查

      在變頻器維修中，有時候會碰到變頻器三相電壓不平衡的問題，空載時不報警，重載時變頻器會有輸出缺項報警，造成這種問題如下。

      2022-11-17 標(biāo)簽：變頻器IGBT三相電壓 9.6k 0

      IGBT模塊參數(shù)詳解 車用IGBT模塊可靠性

      絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor） 是由雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（...

      2022-11-16 標(biāo)簽：IGBT場效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 1k 0

      聊聊二合一加強版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件

      從p型和n型半導(dǎo)體，到最基礎(chǔ)的pn結(jié)，到pnp/npn的BJT，到pnpn的晶閘管，再到單極性器件MOSFET，再到最終的IGBT，一步步折中優(yōu)化，使I...

      2022-11-10 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 675 0

      自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取

      自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取

      如下圖自舉電路僅僅需要一個15~18V的電源來給逆變器的驅(qū)動級提供能量，所有半橋底部IGBT都與這個電源直接相連，半橋上部IGBT的驅(qū)動器通過電阻Rbo...

      2022-11-08 標(biāo)簽：IGBT自舉電路 1.8萬 0

      深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細分領(lǐng)域機遇與挑戰(zhàn)

      在車載鏡頭領(lǐng)域，舜宇光學(xué)（02382.HK）龍頭地位穩(wěn)固，其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一，2020年市占率32%，與第二名份額拉開較大差距。

      2022-11-02 標(biāo)簽：mcuMOSFETIGBT 2.7k 0

      SiC MOSFET相對于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢

      ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對驅(qū)動 SiC MOSFET 的獨特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動高達 20A 的大...

      2022-11-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBT 3.1k 0

      三相電壓型橋式逆變電路詳解

      三相電壓型橋式逆變電路詳解

      　　使用三個單相逆變電路就可以組合成一個三相逆變電路，而使用到IGBT作為開關(guān)器件的三相電壓型橋式逆變電路使用最為廣泛，接下來我們學(xué)習(xí)該電路工作原理。

      2022-10-28 標(biāo)簽：工作原理IGBT逆變電路 3.8萬 0

      IGBT的工作原理及基本特性

      IGBT的工作原理及基本特性

      　　絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。

      2022-10-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.9萬 0

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      IGBT失效場合：來自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機感應(yīng)電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流；來自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。...

      2022-10-21 標(biāo)簽：變頻器IGBT晶體管 1.1萬 0

      功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進趨勢

      IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進行新一輪的改革升級，通過新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...

      2022-10-20 標(biāo)簽：封裝IGBT功率器件 3.6k 0

      隔離比較器在電機驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用

      隔離比較器在電機驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用

      功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實現(xiàn)突破，推出更高的電流等級、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...

      2022-10-14 標(biāo)簽：比較器電機電機驅(qū)動 3.3k 0

      IGBT管的功耗講解

      通態(tài)損耗Ps。大體來講，通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即：Ps=Ic*Uces。

      2022-10-13 標(biāo)簽：IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 5.3k 0

      ZVS1和ZVS2各有哪些優(yōu)缺點，如何選擇？

      工作在容性區(qū)域電流超前于電壓，前級開關(guān)管容易實現(xiàn)ZCS關(guān)斷，這個區(qū)域比較適合IGBT。 工作在感性區(qū)域電壓超前于電流，前級開關(guān)管容易實現(xiàn)ZVS開通，這個...

      2022-10-12 標(biāo)簽：IGBTLLC諧振電感 5.5k 0

      快恢復(fù)二極管FRD的特性測試

      作為瑞能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大家庭中的重要成員，快恢復(fù)二極管-FRD以其較低的正向?qū)▔航礦F和反向恢復(fù)電荷QRR，能幫助客戶獲得較高的系統(tǒng)整機效率，兼具出色...

      2022-10-10 標(biāo)簽：IGBT快恢復(fù)二極管瑞能半導(dǎo)體 6.1k 0

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      • IOT
        IOT
        +關(guān)注
        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        循跡小車
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        做單片機的工程師相比都堆循跡小車有所認識，它是自動引導(dǎo)機器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！
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        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
      • Nexperia
        Nexperia
        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
      • LM2596
        LM2596
        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        基站測試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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