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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3435個 瀏覽：264837次 帖子：485個

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      IGBT的工作原理及基本特性

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      　　絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。

      2022-10-28 標簽：MOSFETIGBT晶體管 1.9萬 0

      MOS管和IGBT是什么？有哪些區(qū)別？

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      　　MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導體器件，也被稱為MOSFET(MOS場效應管)，是現(xiàn)代電子技術中應用最廣泛的晶體管之一。

      2023-02-25 標簽：場效應管MOS管NMOS 1.9萬 0

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      　IGBT就是一個開關，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時IGBT導通，柵源...

      2017-06-05 標簽：igbt 1.9萬 0

      MOS管和IGBT管的定義與辨別

      MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常?？墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，...

      2019-02-24 標簽：IGBTMOS 1.9萬 0

      igbt串聯(lián)并聯(lián)原理設計賞析

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      將高壓主電源分成若干相等的部分，目前基本上有兩種方法：一是利用電等的部分（分量電源），我們且稱為電容分壓型，比較適用于高頻變換（頻率過低，分壓電容的容量...

      2017-05-16 標簽：變壓器二極管igbt 1.9萬 0

      IGBT中的閂鎖效應到底是什么

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      2021-02-09 標簽：MOSFETIGBT晶體管 1.9萬 0

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      烈日炎炎的天氣是變頻器發(fā)熱的硬傷，現(xiàn)有大批研究及實踐表明變頻器的故障率會隨溫度的升高而上升，使用壽命隨溫度的升高而下降，環(huán)境溫度升高10℃，變頻器使用壽...

      2023-06-20 標簽：變頻器IGBT風扇 1.9萬 0

      IGBT動態(tài)雪崩產(chǎn)生機制_IGBT動態(tài)雪崩的抑制方法

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      在動態(tài)關斷過程中，器件內(nèi)部所發(fā)生的由電流控制的受自由載流子濃度影響的碰撞電離現(xiàn)象。

      2019-10-07 標簽：IGBTIGBT驅(qū)動 1.9萬 0

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      2019-01-10 標簽：半導體IGBT 1.8萬 0

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      2018-12-28 標簽：芯片二極管IGBT 1.8萬 0

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      本文介紹的是主要要求不可避免地需采用電源并聯(lián)技術，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對于 20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個橋臂則至少需15只...

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      igbt的使用方法

      IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入...

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