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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)

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新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...

2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFETIGBT氮化鎵 1.5k 0

IGBT IPM的錯(cuò)誤輸出功能

IGBT IPM的錯(cuò)誤輸出功能

本文將介紹“保護(hù)功能和工作時(shí)序”系列的第五個(gè)功能——“錯(cuò)誤輸出功能(FO)”。

2025-03-19 標(biāo)簽:IGBT引腳IPM 1.5k 0

柵極鉗位TVS二極管對(duì)IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響

柵極鉗位TVS二極管對(duì)IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響

階段1(0—t1),在t=0時(shí)刻,開關(guān)S動(dòng)作,lGBT開始關(guān)斷,柵極通過RG開始放電,VGE下降。這導(dǎo)致通過溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少,但是由于感性負(fù)...

2023-07-14 標(biāo)簽:二極管電感器TVS二極管 1.5k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(2)

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(2)

可以看出,減小遷移率和載流子壽命,可以增大關(guān)斷瞬間的電流突變率。

2023-12-01 標(biāo)簽:IGBTBJT電流突變 1.5k 0

ADP7000系列示波器特色功能:IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試專家,精準(zhǔn)捕捉每一瞬態(tài)!

ADP7000系列示波器特色功能:IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試專家,精準(zhǔn)捕捉每一瞬態(tài)!

ADP7000系列示波器精準(zhǔn)捕捉每一瞬態(tài)在能源革命與半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的今天,IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)作為新一代功率半導(dǎo)體器件,已廣泛應(yīng)用于新能源...

2025-11-06 標(biāo)簽:示波器IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試 1.4k 0

ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析,從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌

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功率模塊供應(yīng)商會(huì)搭建不同的產(chǎn)品解決方案,并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率,溫升等指標(biāo)驗(yàn)證,向下游的客戶(生產(chǎn)電機(jī)控制器,UPS,光伏逆變器制造商…)提供參考案例并證明其性...

2020-08-17 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1.4k 0

探索 onsemi FAD1110 - F085:高性能點(diǎn)火門驅(qū)動(dòng) IC 的卓越表現(xiàn)

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在電子工程師的設(shè)計(jì)領(lǐng)域中,點(diǎn)火門驅(qū)動(dòng) IC 的性能對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來深入了解一下 onsemi 公司的 FAD...

2025-11-26 標(biāo)簽:線圈IGBT高性能 1.4k 0

90V三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片-PT5619

90V三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片-PT5619

PT5619 在 同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 ,特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng) 。

2023-07-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT三相電機(jī) 1.4k 0

使用新型C3M 650V MOSFET節(jié)省BOM成本

使用新型C3M 650V MOSFET節(jié)省BOM成本

為了在電動(dòng)汽車市場(chǎng)取得成功,公司需要擴(kuò)大續(xù)航里程并降低物料清單 (BOM) 成本,以有效地與根深蒂固的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 競(jìng)爭(zhēng)。為了實(shí)現(xiàn)更大的續(xù)航里程,...

2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電池 1.4k 0

特瑞諾TGHP75N120FDR:高性能IGBT單管的理想選擇

特瑞諾TGHP75N120FDR:高性能IGBT單管的理想選擇

在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,高性能和穩(wěn)定性是設(shè)備設(shè)計(jì)中不可或缺的要素。今天,我們要重點(diǎn)介紹的TGHP75N120FDR正是這樣一款產(chǎn)品,由TRINNO(特瑞諾)...

2024-10-15 標(biāo)簽:電源IGBT單管 1.4k 0

IGBT模塊該如何快速檢查故障?

由于變頻器(VFD)輸出電壓不平衡的特點(diǎn)是電機(jī)抖動(dòng)和轉(zhuǎn)速不穩(wěn)定。一般來說,沒有經(jīng)驗(yàn)很難確定哪個(gè)驅(qū)動(dòng)器有問題。此時(shí)可啟動(dòng)VFD的2hz,用萬用表DC電壓范...

2023-02-12 標(biāo)簽:二極管模塊變頻器 1.4k 0

未來的重點(diǎn)方向:Sic和IGBT

IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點(diǎn),根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic...

2023-03-24 標(biāo)簽:IGBT晶體管碳化硅 1.4k 0

UCC23511 5.7kVrms 1.5A/2A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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UCC23511 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流...

2025-05-17 標(biāo)簽:MOSFETIGBTFET 1.4k 0

UCC27517A 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27517A 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27517A 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流,UCC27517A...

2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.4k 0

UCC27524A 具有 5V UVLO、使能和負(fù)輸入電壓處理能力的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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UCC27524A 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC27524A 是 UCC27...

2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.4k 0

耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應(yīng)用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料

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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)都是重要的半導(dǎo)體功率器件,它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和...

2025-01-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT材料 1.4k 0

淺談瑞能逆導(dǎo)IGBT助推感應(yīng)加熱的卓越實(shí)力

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以電磁爐為例,利用交變電流通過線圈產(chǎn)生方向不斷改變的交變磁場(chǎng),處于交變磁場(chǎng)中的導(dǎo)體的內(nèi)部將會(huì)出現(xiàn)渦旋電流,渦旋電流的焦耳熱效應(yīng)使導(dǎo)體升溫,從而實(shí)現(xiàn)加熱的目的。

2024-06-19 標(biāo)簽:IGBT感應(yīng)加熱瑞能半導(dǎo)體 1.4k 0

SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里

SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里

在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...

2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1.4k 0

高可靠性驅(qū)動(dòng)器6AB0460T12-NR01概述及特點(diǎn)

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受政策利好、技術(shù)發(fā)展等多重因素的疊加,儲(chǔ)能行業(yè)持續(xù)火熱迎來高速發(fā)展期。儲(chǔ)能變流器是儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)鏈重要一環(huán),對(duì)提高電能質(zhì)量和新能源利益率起著積極作用。青銅劍技...

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TMS320F28P659DH-Q1 汽車級(jí) C2000 32 位 MCU,600MIPS,2xC28x + 1xCLA + 鎖步技術(shù)手冊(cè)

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TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的一員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子器件的效率而設(shè)計(jì),包...

2025-04-15 標(biāo)簽:微控制器電力電子器件IGBT 1.4k 0

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  • 四軸飛行器
    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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