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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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新款600 V單管IGBT,可在電源應(yīng)用中實現(xiàn)出色效率
基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導體)今日宣布,將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場,而30A NG...
自20世紀80年代末開始工業(yè)應(yīng)用以來,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)經(jīng)歷了快速發(fā)展。它不僅取代了工業(yè)應(yīng)用中的MOS、GTR等器件,也逐漸取代了消費電子應(yīng)用...
在能源問題日益突出的現(xiàn)代,以IGBT為代表的功率半 導體器件以其優(yōu)良的能效轉(zhuǎn)換性能廣發(fā)應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。正確的IGBT測試技術(shù),不僅能準確的測量IGB...
IGBT的密勒電容隨著直流母線電壓的大小怎樣變化? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種半導體器件,廣泛...
歐盟提出力爭在2030年前將碳排放水平降低62%。也就是說,要在7年時間內(nèi)實現(xiàn)這一目標。顯然,全球朝著可再生能源邁進已成必然趨勢,全世界都在探索如何利用...
搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度
繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認可后,英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場景的1200VIGBT7P7芯片,并將...
選型IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是電子設(shè)備設(shè)計中的重要任務(wù),因為正確的IGBT選擇對于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT,...
2023 年 9 月 11 日,中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶...
意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐...
陸芯科技IGBT產(chǎn)品的穩(wěn)定性優(yōu)勢
? 9月,由21世紀電源網(wǎng)主辦的中國電力電子產(chǎn)業(yè)大會圓滿落下帷幕,本次大會重點展示了“新能源電源儲能,新能源車充/電驅(qū)”等熱門行業(yè)的熱點信息,行業(yè)內(nèi)專家...
士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅(qū)動模塊,提升充電速度與行駛動力
隨著人們對環(huán)保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求,新能源汽車的市場需求逐漸增大,已然成為汽車發(fā)展的大趨勢,但是新能源汽車充電時間長、續(xù)航里程短等問題仍...
電動汽車市場的增長不僅僅是數(shù)量的增加,更在于市場的多元化。從低成本、低排放車輛的需求趨勢來看,亞太地區(qū)的電動汽車市場有望穩(wěn)步擴張;而北美和歐洲地區(qū),政府...
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