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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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中國成功研制世界最大容量壓接型IGBT 打破國外技術(shù)市場壟斷
近日,由中車時代電氣完成的“3600A/4500V壓接型IGBT及其關(guān)鍵技術(shù)”通過中國電子學(xué)會的鑒定,被認(rèn)定為世界上功率等級最高的壓接型IGBT。這一成...
2018-01-06 標(biāo)簽:igbt 1.2萬 0
LED開關(guān)電源與普通開關(guān)電源到底有什么區(qū)別
LED開關(guān)電源高頻化是其發(fā)展的方向,高頻化使開關(guān)電源小型化,并使開關(guān)電源進(jìn)入更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別是在高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用,推動了高新技術(shù)產(chǎn)品的小型化、輕...
2020-07-12 標(biāo)簽:LED開關(guān)電源IGBT 1.2萬 0
在電源電子(例如驅(qū)動技術(shù))中,IGBT(隔離式柵極驅(qū)動器 - Insulated Gate Bipolar Transistor)經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。
igbt工作原理及應(yīng)用 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的保護(hù)引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其
2008-06-19 標(biāo)簽:igbt 1.2萬 0
東芝全新TLP5702H輕薄型光耦的特性及應(yīng)用場景
一般在電路設(shè)計中需要在相互隔離的兩個電路系統(tǒng)間傳輸電信號時,很多人第一想到的方案就是使用光耦元件。光耦的工作原理是以光作為媒介來傳輸電信號,將發(fā)光器與受...
IGBT產(chǎn)業(yè)鏈與三種業(yè)務(wù)模式以及技術(shù)趨勢
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體細(xì)分為功率器件(分立器件的一支)和功率IC(...
2020-10-12 標(biāo)簽:IGBT 1.2萬 0
igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT是一種晶體管,是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān),具有高速開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻,用于高效率的功...
淺析新能源汽車領(lǐng)域IGBT的應(yīng)用及市場情況
2018-12-27 標(biāo)簽:IGBT 1.2萬 0
從功能上來說,IGBT就是一個電路開關(guān),用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強(qiáng)電上的。(相對而言,手機(jī)、電腦電路板上跑的電電壓低,以傳輸信號...
2018-03-19 標(biāo)簽:igbt 1.2萬 0
IGBT的工作原理與結(jié)構(gòu)參數(shù)及短路特性
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。...
功率半導(dǎo)體井噴:IGBT模塊主流廠商與產(chǎn)品
功率器件產(chǎn)品線主要包括IGBT、MOSFET、晶閘管、二極管與TVS等,其中IGBT集成度最高,結(jié)構(gòu)最復(fù)雜,同硅基材料中能承受最高的工作電壓,具有最高價...
從功能上來說,IGBT就是一個由晶體管實(shí)現(xiàn)的電路開關(guān)。當(dāng)其導(dǎo)通時,可以承受幾十到幾百安培量級的電流;當(dāng)其關(guān)斷時,可以承受幾百至幾千伏特的電壓。
根據(jù)IGBT的等效電路圖可知,若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極C與基極之間成低阻狀態(tài)而使得...
igbt反向并聯(lián)二極管作用? IGBT反向并聯(lián)二極管,也稱為快速反向二極管,是一種非常重要的器件,它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電氣系統(tǒng)中。以下將詳細(xì)介紹I...
變頻器載波頻率有什么影響及如何實(shí)現(xiàn)設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)
在實(shí)際使用中不少用戶只是按照變頻器制造單位原有的設(shè)定值,并沒有根據(jù)現(xiàn)場的實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整,因而造成因載波頻率值選擇不當(dāng),而影響正確,感覺的有效工作狀態(tài),...
igbt的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些? IGBT是一種檢測電壓的器件,它可以用于許多應(yīng)用領(lǐng)域。本文將介紹IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域,并對每個領(lǐng)域進(jìn)行詳盡的探討。 1. 電力...
igbt電氣符號圖 igbt電氣符號圖是指用于各種設(shè)備上,作為操作指示或用來顯示設(shè)備的功能或工作狀態(tài)的圖形符號,例如:電氣設(shè)備用圖形符號、紡織設(shè)備用圖形...
2023-02-06 標(biāo)簽:IGBT 1.1萬 0
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