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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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國(guó)產(chǎn)SiC模塊BMF540R12MZA3全面取代進(jìn)口IGBT模塊2MBI800XNE-120的工程方法論
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汽車(chē)和工業(yè)的強(qiáng)勁需求使MCU交貨時(shí)間延長(zhǎng)
模擬芯片的庫(kù)存方面,報(bào)告預(yù)測(cè)將在2023年第二季度強(qiáng)勁優(yōu)化。由于需求旺盛,分立芯片的短缺將持續(xù);MCU庫(kù)存指數(shù)在2023年第一季度進(jìn)入正常區(qū)間。
浮思特 | TRinno TGAN40N60F2DS:面向工業(yè)電源與逆變應(yīng)用的高性能IGBT
在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及新能源設(shè)備不斷向高效率、小型化方向發(fā)展的背景下,功率器件的性能越來(lái)越成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。尤其是在UPS、電焊機(jī)、逆變器等應(yīng)...
MCS兆瓦級(jí)充電系統(tǒng)拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)與SiC碳化硅模塊升級(jí)替代IGBT模塊技術(shù)研究報(bào)告
MCS兆瓦級(jí)充電系統(tǒng)拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)與SiC碳化硅模塊升級(jí)替代IGBT模塊技術(shù)研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽...
PKDV5161 在變頻器 IGBT 高壓驅(qū)動(dòng)與輸出側(cè)差分電壓測(cè)試中的應(yīng)用
一、項(xiàng)目背景與測(cè)試痛點(diǎn) 某變頻器廠商推出690V/220kW 矢量變頻器,采用 IGBT 功率模塊,量產(chǎn)前需做驅(qū)動(dòng)波形一致性、輸出側(cè)共模電壓、dv/dt...
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