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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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基于IGBT驅(qū)動(dòng)光耦PC929的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)
基于IGBT驅(qū)動(dòng)光耦PC929的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)
大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的功能解析
大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的功能
東京電子器件開(kāi)始在中國(guó)推IGBT柵極驅(qū)動(dòng)板
京電子器件有限公司將于2012年7月起開(kāi)始在中國(guó)銷售IGBT(絕緣柵雙級(jí)型晶體管)柵極驅(qū)動(dòng)板,并提供根據(jù)客戶要求進(jìn)行設(shè)計(jì)定制的服務(wù)。該產(chǎn)品的特點(diǎn)在于僅用...
2012-07-05 標(biāo)簽:IGBT電源芯片柵極驅(qū)動(dòng)板 1.2k 0
3KW逆變器后級(jí)制作 IGBT橋驅(qū)動(dòng),可帶任意負(fù)載
最近做了一塊2000W后級(jí),可以輕松改成幾百W-3000W的SPWM后級(jí),可以方便的輸出純正弦波形,主控板用了兩種方案,功能如下:
華潤(rùn)上華成功開(kāi)發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)
華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”)宣布已開(kāi)發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵...
2012-05-29 標(biāo)簽:UPSIGBT太陽(yáng)能逆變器 2.7k 0
功率器件的開(kāi)發(fā)應(yīng)用與實(shí)例(圖解)
隨著全球能源的日趨緊張,節(jié)能節(jié)電迫在眉睫。電能轉(zhuǎn)換是節(jié)能節(jié)電的重要環(huán)節(jié)。在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中,轉(zhuǎn)換期間的能量損失是影響節(jié)能節(jié)電的重要因素,始終成為人們關(guān)...
電裝在汽車展會(huì)“人與車科技展2012”(2012年5月23~25日)上展出了輸出功率密度高達(dá)60kW/L的逆變器,并公開(kāi)了其性能參數(shù)等。該逆變器的體積為...
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):M...
IR推出高度創(chuàng)新600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT
國(guó)際整流器公司IR推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT,適合電動(dòng)車 (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 中的各種高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用,包括...
2012-05-17 標(biāo)簽:IRIGBT半導(dǎo)體芯片 1.6k 0
斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不...
PI為什么收購(gòu)瑞士IGBT驅(qū)動(dòng)芯片廠商?
Peter Rogerson表示,一個(gè)月以來(lái)雙方還一直在就收購(gòu)后的安排進(jìn)行討論,他和團(tuán)隊(duì)成員還是頭一晚才拿到正式發(fā)布的演講稿。不過(guò)他確認(rèn)PI的此次收...
2012-05-09 標(biāo)簽:PIIGBT驅(qū)動(dòng)芯片 3.3k 0
PI收購(gòu)瑞士高壓IGBT驅(qū)動(dòng)廠商CONCEPT
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司日前日宣布已與私人持股公司CT-Concept Technolo...
IGBT是絕緣柵極雙極型晶體管。它是一種新型的功率開(kāi)關(guān)器件,電壓控制器件,具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性強(qiáng)、耐壓高方面的優(yōu)點(diǎn),因此在現(xiàn)實(shí)電力電子裝置中...
2012-04-12 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路電磁振蕩 8.7k 0
飛兆半導(dǎo)體650V場(chǎng)截止IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽(yáng)能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效,滿足散熱法規(guī),同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairc...
2012-03-28 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換IGBT 1.3k 0
激勵(lì)電路將信號(hào)放大,該電路工作過(guò)程如下: (1) V8 OFF時(shí)(V8=0V),V8 (2) V8 ON時(shí)(V8=4.1V),V8V9,V10為低,Q8...
2012-03-19 標(biāo)簽:IGBT 2.2k 0
當(dāng)電源輸出過(guò)載或者短路時(shí),IGBT的Vce值則變大,根據(jù)此原理可以對(duì)電路采取保護(hù)措施。對(duì)此通常使用專用的驅(qū)動(dòng)器EXB841,其內(nèi)部電路能夠很好地完成降柵...
2012-03-08 標(biāo)簽:保護(hù)電路IGBT過(guò)流檢測(cè) 7.6k 0
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