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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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Amantys針對(duì)高功率模塊的4500V Amantys Power DriveTM 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)
2013年10月22日 – Amantys今日宣布推出一款針對(duì)高功率模塊的全新絕緣柵雙極晶體管(IGBT)柵極驅(qū)動(dòng)器,其工作電壓為4500V,額定電流從...
2013-10-23 標(biāo)簽:IGBT功率模塊柵極驅(qū)動(dòng)器 2.2k 0
明星企業(yè)齊聚PEC電力電子,共討行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)
由愛(ài)戴愛(ài)集團(tuán)主辦,《Bodo’s功率系統(tǒng)》協(xié)辦的PEC中國(guó)國(guó)際電力電子峰會(huì)暨產(chǎn)品展示會(huì)—蘇州站將于10月25日在蘇州會(huì)議中心隆重開(kāi)幕。截止日前,英飛凌科...
國(guó)產(chǎn)IGBT前景看好,但突破之路頗曲折
隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展,IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用,成為未來(lái)10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國(guó)市場(chǎng),軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)...
飛兆半導(dǎo)體的陽(yáng)極短路IGBT榮膺EPC十佳功率產(chǎn)品獎(jiǎng)
飛兆半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼: FCS)——全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC...
2013-09-18 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體IGBT 1.1k 0
中國(guó)首件自主設(shè)計(jì)大功率IGBT芯片通過(guò)鑒定
今天上午,在上海制造的大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過(guò)專家鑒定,這一中國(guó)首件自主設(shè)計(jì)制造的“中國(guó)芯”不僅邁開(kāi)了替代進(jìn)口的步伐,還將在軌道交通...
2013-09-13 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT變頻技術(shù) 2.3k 3
美高森美為工業(yè)應(yīng)用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT...
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和再生能源應(yīng)用加持 IGBT市場(chǎng)前景一片光明
IGBT 市場(chǎng)在 2011~2012年少許反常性的下跌后, Yole 分析師預(yù)期今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步,具體而言,市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元,在...
英飛凌推出高功率密度和高可靠性的汽車級(jí)品質(zhì)功率模塊
在紐倫堡 PCIM Europe 2013 展會(huì)中(2013 年 5 月 14 日至 16 日),英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQ...
英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源管理展覽會(huì)上突...
2013-06-19 標(biāo)簽:英飛凌IGBTTRENCHSTOP 5 1.3k 0
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速...
變化激烈的替代能源市場(chǎng)讓過(guò)去一直十分穩(wěn)定的功率電子業(yè)務(wù)領(lǐng)域產(chǎn)生了動(dòng)蕩?;旌蟿?dòng)力車(HEV)與純電動(dòng)汽車(EV)的巨大潛在市場(chǎng)規(guī)模或許也會(huì)為該領(lǐng)域帶來(lái)進(jìn)一...
英飛凌高級(jí)總監(jiān)徐輝表示,英飛凌進(jìn)一步豐富了自己的汽車電子產(chǎn)品線,滲入各個(gè)細(xì)分市場(chǎng),形成了最為全面的新能源產(chǎn)品和解決方案。
IR推出采用SOT-23-5L封裝的IRS44273L緊湊型低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)IC
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出采用SOT-23-5L高精密封裝...
富士電機(jī)開(kāi)發(fā)用于HEV的直接水冷式車載IGBT模塊
富士電機(jī)直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V,電流為500A,面積為320mm×170mm。在海外,該模塊已被用于2012年底上市的混合動(dòng)力車(H...
2013-06-03 標(biāo)簽:混合動(dòng)力汽車IGBT富士電機(jī) 1.9k 1
英飛凌推出EiceDRIVER?SIL和EiceDRIVER?Boost,用于汽車級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng)
英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 今天推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級(jí)驅(qū)動(dòng)器。有了專為混合動(dòng)力/電動(dòng)...
2013-05-27 標(biāo)簽:IGBTEiceDRIVER?Boost 1.8k 0
安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級(jí)性能的IGBT
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容,應(yīng)用于消費(fèi)類電器及工...
IGBT廠商開(kāi)拓新市場(chǎng),低電壓應(yīng)用成為目標(biāo)
IGBT業(yè)者正積極搶進(jìn)600伏特以下的低電壓應(yīng)用。全球經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定,加上主要應(yīng)用市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈,使得IGBT產(chǎn)業(yè)近來(lái)成長(zhǎng)趨緩。為開(kāi)創(chuàng)成長(zhǎng)新契機(jī),IGB...
Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay R...
美高森美為非穿通型IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch thro...
安森美歐洲工廠獲OKI排氣處理設(shè)備,生產(chǎn)環(huán)保有保障
沖電氣(OKI)向安森美半導(dǎo)體歐洲工廠提供排氣處理設(shè)備,既能完成常壓CVD制膜過(guò)程的排氣處理又同時(shí)確保制膜穩(wěn)定性,支持客戶生產(chǎn)過(guò)程的環(huán)保。
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