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LDMOS

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LDMOS（laterally-diffused metal-oxide semiconductor）是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。

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ldmos技術(shù)

LDMOS簡介及其技術(shù)詳解

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電...

2017-12-08 標簽：ldmos 7.0萬 0

高功率寬帶放大器應(yīng)該如何設(shè)計？如何選取合適的寬帶放大器？

高功率寬帶放大器的設(shè)計是一件非常有挑戰(zhàn)性的工作，工程師需要在多個相互對立的設(shè)計參數(shù)之間進行折中。對于一個放大器用戶來說，不論是初始投資還是以后的運行成本...

2018-08-18 標簽：晶體管寬帶放大器 LDMOS 1.1萬 0

一種快速有效的寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計與實現(xiàn)

針對LDMOS寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計，提出了一種快速、有效的方法。采用多節(jié)并聯(lián)導納匹配法得出寬帶匹配電路的初始值后，利用ADS軟件對匹配網(wǎng)絡(luò)的S...

2017-11-30 標簽：功率放大器 ldmos mrf281z 1.1萬 0

LDMOS在ESD設(shè)計中的應(yīng)用設(shè)計思路

LDMOS屬于功率半導體器件，主要應(yīng)用于高壓場合。而針對高壓芯片的ESD防護領(lǐng)域，可采取GGNLDMOS的設(shè)計思路。

2023-12-06 標簽：ESD 功率器件 LDMOS 9.9k 0

LDMOS的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點

LDMOS，全稱為Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor（側(cè)向雙擴散金屬氧化物半導體），是一...

2024-08-23 標簽：半導體晶體管 LDMOS 8.5k 0

功率集成電路設(shè)計之結(jié)終端技術(shù)

通常采用半絕緣多晶硅（Semi-Insulating Polycrystalline Silicon，SIPOS），其兩端分別與器件的兩個電極相連，因為...

2023-11-30 標簽：集成電路 MOSFET 功率器件 8.2k 0

選型手冊：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管

2025-08-27 標簽：晶體管 LDMOS rf功率 8k 0

5G帶動GaN崛起,LDMOS依然有優(yōu)勢

高功率放大器（HPA）通常用于國防、航空航天和氣象雷達等，從早期的分立或集成RF功率晶體管開始，一直到現(xiàn)在，已經(jīng)有好幾種有源器件半導體技術(shù)用于放大脈沖和...

2019-01-16 標簽：GaN LDMOS 5G 7.7k 0

使用DS4303偏置LDMOS射頻功率放大器

LDMOS射頻功率放大器以具有競爭力的成本提供出色的性能，從而主導了GSM和CDMA基站市場。

2023-01-13 標簽：射頻功率放大器 dac 3.7k 0

選型手冊：BLA9H0912L-1200PU Ampleon 的 LDMOS晶體管

我們從采購選型的角度通過官方的PDF，帶你了解 Ampleon 的 LDMOS BLA9H0912L-1200P; 與 BLA9H0912LS-1200...

2025-08-21 標簽：電壓晶體管 LDMOS 3.7k 0

ldmos帖子

什么是LDMOS？LDMOS有哪些有優(yōu)良性能？

標簽：VDMOS 晶體管 LDMOS 7857 1

LDMOS的優(yōu)勢是什么？

標簽：LDMOS 華強芯城 6110 1

硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優(yōu)勢？

標簽：射頻氮化鎵 LDMOS 5369 2

GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破

標簽：SiC LDMOS GaN技術(shù) 4381 3

LDMOS結(jié)構(gòu)及優(yōu)點的全面概述

標簽：晶體管 LDMOS 4171 4

LDMOS的優(yōu)勢是什么

標簽：GaN LDMOS Sub-6GHz 3666 3

如何利用RFIC設(shè)計抗擊穿LDMOS？

標簽：RFIC LDMOS 射頻器件 3180 3

高壓LDMOS在軍事和航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用

標簽：晶體管 LDMOS 3047 3

關(guān)于LDMOS擊穿電場相關(guān)問題 resurf

標簽：LDMOS 3016 0

氮化鎵有哪些卓越表現(xiàn)？

標簽：氮化鎵 LDMOS 5G技術(shù) 2997 3

ldmos資料下載

RESURF原理應(yīng)用于SOI LDMOS晶體管立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2011-12-01 標簽：晶體管 LDMOS RESURF 3.4k 0

TRIPLE RESURF結(jié)構(gòu)的LDMOS器件設(shè)計立即下載

類別：電子元器件應(yīng)用 2017-11-02 標簽：LDMOS 2.9k 0

LDMOS耐壓特性與射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計立即下載

類別：單片機IC 2017-10-13 標簽：ldmos 射頻集成電路 2.5k 0

LDMOS功放溫度特性及溫補電路設(shè)計立即下載

類別：模擬數(shù)字 2011-08-18 標簽：功放 LDMOS 溫度特性 2k 1

LDMOS寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計立即下載

類別：模擬數(shù)字 2011-08-18 標簽：功率放大器寬帶匹配電路 2k 2

具有RESURF的LDMOS器件設(shè)計立即下載

類別：嵌入式開發(fā) 2017-11-08 標簽：LDMOS RESURF 1.9k 0

如何使用LDMOS晶體管器件進行F類功率放大器設(shè)計立即下載

類別：傳感與控制 2018-12-21 標簽：功率放大器晶體管 LDMOS 1.8k 0

BLC8G24LS-240AV LDMOS功率晶體管的詳細數(shù)據(jù)手冊免費下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-14 標簽：頻率 LDMOS 功率晶體管 1.8k 0

LDMOS功率放大器的溫度特性及溫補電路設(shè)計立即下載

類別：模擬數(shù)字 2011-09-20 標簽：功率放大器 LDMOS 1.7k 0

BLF6G22-180PN LDMOS功率晶體管的詳細數(shù)據(jù)手冊免費下載立即下載

類別：IC中文資料 2018-08-14 標簽：RF LDMOS 功率晶體管 1.6k 0

ldmos資訊

LDMOS和VDMOS

DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管VDMOSFET和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)管LDMOSFET。

2011-12-01 標簽：VDMOS LDMOS 4.2萬 0

LDMOS器件靜電放電失效原理

通過對不同器件結(jié)構(gòu)LDMOS的靜電放電防護性能的分析對比，指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS器件在靜電防護方面的優(yōu)勢。

2011-12-01 標簽：靜電放電 LDMOS 1.3萬 0

LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電...

2011-12-01 標簽：LDMOS 1.1萬 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽w總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導體迎來關(guān)鍵時間節(jié)點，抓住5G基站建...

2018-10-19 標簽：氮化鎵 LDMOS 8.6k 0

GaN步步緊逼，LDMOS路在何方？

在射頻和功率應(yīng)用中，氮化鎵（GaN）技術(shù)正在變得日益盛行。

2019-01-19 標簽：射頻氮化鎵 LDMOS 7.9k 0

超耐用LDMOS提升功率：恩智浦發(fā)布BLF188XR

恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...

2013-08-13 標簽：LDMOS 射頻功率晶體管 BLF188XR 5.2k 0

LDMOS的性能與制造工藝

與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB

2011-12-01 標簽：LDMOS 4.8k 0

5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場

來源：RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署，使得在基站中大量使用的功率放大器（PA,簡稱功放）芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長，成為各家射頻公司爭奪的焦點。在...

2022-12-01 標簽：GaN LDMOS 5G 4.3k 0

電源控制芯片中的過流保護設(shè)計

本文介紹采用直接檢測LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設(shè)計方案，給出了電路結(jié)構(gòu)。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環(huán)境下進行電...

2011-10-20 標簽：過流保護 LDMOS 4.3k 0

到2025年，整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元

報告指出，自 20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來，GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...

2020-09-21 標簽：GaN LDMOS 5G 3.5k 0

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個可擴展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計算性能水平。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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