mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算

MOS 管的開關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。

2023-07-23 標(biāo)簽：MOSFET MOS管功率損耗 6.7k 0

MOS管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFE...

2023-07-23 標(biāo)簽：MOSFET BUCK MOS管 2.8k 0

一文詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)

功率MOSFET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，輸入阻抗高，因而開關(guān)速度可以很高。

2023-07-22 標(biāo)簽：MOSFET 電路設(shè)計(jì)MOS管 6.8k 0

寄存器是什么？怎么操作寄存器點(diǎn)亮LED燈？

寄存器，是集成電路中非常重要的一種存儲(chǔ)單元，通常由觸發(fā)器組成。在集成電路設(shè)計(jì)中，寄存器可分為電路內(nèi)部使用的寄存器和充當(dāng)內(nèi)外部接口的寄存器這兩類。

2023-07-21 標(biāo)簽：led燈寄存器 MOS管 5.5k 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)之PWM互補(bǔ)輸出死區(qū)時(shí)間設(shè)定

Q1和Q2兩MOS管組成了一個(gè)橋臂，兩個(gè)管子不能同時(shí)導(dǎo)通。

2023-07-21 標(biāo)簽：示波器 MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.4萬 0

EERPOM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理

EEPROM（Electrically Erasable Programmable read only memory）即電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，是一種掉...

2023-07-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 MOS管 EEPROM 1.7k 0

STM32端口復(fù)用和端口重映射？什么是端口復(fù)用重映射？

對(duì)于單片機(jī)而言，GPIO引腳配置是最基本的，也是最重要的，因?yàn)樗械模ㄐ盘?hào)）輸入和（控制）輸出都是通過這些配置起作用的。

2023-07-21 標(biāo)簽：MOS管數(shù)據(jù)寄存器 RCC 6.7k 0

功率變換電路圖講解簡(jiǎn)單的功率變換電路及原理說明

有關(guān)電子電路的知識(shí)，一例功率變換電路，介紹了MOS管的工作原理，常見MOS管的工作原理圖，并介紹了推挽式功率變換電路和有驅(qū)動(dòng)變壓器的功率變換電路，下面與...

2023-07-21 標(biāo)簽：變壓器電路圖 MOSFET 2.7k 0

搞懂MOS管的米勒效應(yīng)

通過了解MOS管的的開關(guān)過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。

2023-07-21 標(biāo)簽：MOS管 MOS 米勒電容 1.1萬 0

MOS管開關(guān)電路圖 MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)

在設(shè)計(jì)MOS管開關(guān)電路時(shí)，就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱們來詳細(xì)說明。

2023-07-20 標(biāo)簽：開關(guān)電路半導(dǎo)體 MOS管 4.9k 0

pwm風(fēng)扇轉(zhuǎn)速怎么調(diào)節(jié) 風(fēng)扇電機(jī)調(diào)速電路的PWM波形

這個(gè)小風(fēng)扇有個(gè)電機(jī)調(diào)速電路，通過PWM進(jìn)行調(diào)速

2023-07-20 標(biāo)簽：示波器 MOS管脈沖寬度調(diào)制 2.2萬 0

實(shí)用模擬電路小常識(shí)淺析

1、電接口設(shè)計(jì)中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因?yàn)閹p耗的傳輸線反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。

2023-07-19 標(biāo)簽：示波器穩(wěn)壓二極管 MOS管 1.4k 0

MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法

MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí)，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？

2023-07-19 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻輸出電流 4.2k 0

兩個(gè)MOS管串聯(lián)接法的應(yīng)用

本文是關(guān)于兩個(gè)MOS 管串聯(lián)組成反向電流阻斷電路的介紹。

2023-07-19 標(biāo)簽：串聯(lián)接口 usb 4.4萬 1

電路設(shè)計(jì)時(shí)，三極管和MOS管作為開關(guān)管區(qū)別在哪？

三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個(gè)引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個(gè)引腳分別是柵極G、漏極D...

2023-07-18 標(biāo)簽：三極管 MOS管引腳 4.6k 0

Atmega328單片機(jī)引腳原理圖和電阻測(cè)試方法

同樣是5V，為什么單片機(jī)輸出的電流只有幾毫安？

2023-07-18 標(biāo)簽：原理圖單片機(jī)MOS管 4.3k 0

MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算

CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。

2023-07-17 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管 DCM 2.0萬 0

MOS管典型應(yīng)用電路圖 MOS管常見的幾種應(yīng)用電路

MOS管最常見的電路可能就是開關(guān)和放大器。

2023-07-17 標(biāo)簽：放大器開關(guān)電路放大電路 1.6萬 0

SGT-MOS與DMOS雪崩耐量對(duì)比

屏蔽柵側(cè)壁氧化層厚度：0.7um屏蔽柵底部氧化層厚度：0.5um屏蔽柵隔離氧化層厚度：0.3um

2023-07-14 標(biāo)簽：MOS管雪崩二極管 DMOS 1.5k 0

超結(jié)MOSFET開關(guān)特性2-理想二極管模型

寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管電源電壓寄生電容 1.6k 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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行程開關(guān)，位置開關(guān)（又稱限位開關(guān)）的一種，是一種常用的小電流主令電器。利用生產(chǎn)機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件的碰撞使其觸頭動(dòng)作來實(shí)現(xiàn)接通或分?jǐn)嗫刂齐娐罚_(dá)到一定的控制目的。通常，這類開關(guān)被用來限制機(jī)械運(yùn)動(dòng)的位置或行程，使運(yùn)動(dòng)機(jī)械按一定位置或行程自動(dòng)停止、反向運(yùn)動(dòng)、變速運(yùn)動(dòng)或自動(dòng)往返運(yùn)動(dòng)等。
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