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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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鋰電池保護(hù)板的主要功能是保證鋰電池的安全運(yùn)行，包括過充保護(hù)、過放保護(hù)、短路保護(hù)、溫度保護(hù)以及一些情況下的均衡充電功能。
鋰電池保護(hù)板的構(gòu)成 鋰電池保護(hù)板如何選擇MOS管
鋰電池保護(hù)電路，鋰電池鋰電池保護(hù)板（可充型）之所以需要保護(hù)，是由它本身特性決定的。由于鋰電池保護(hù)板本身的材料決定了它不能被過充、過放、過流、短路及超高溫...
2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管鋰電池保護(hù)鋰電池保護(hù)板 1.1萬 0
寄生電容和開關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間，其開關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。
單相逆變器常見的調(diào)制方法有：單極性SPWM調(diào)制、雙極性SPWM調(diào)制和單極性等效雙極性SPWM調(diào)制
求一種電流前饋雙閉環(huán)PI控制器逆變仿真設(shè)計(jì)方案
逆變器的控制方法有：PID控制、滯環(huán)控制、無差拍控制、重復(fù)控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優(yōu)缺點(diǎn)。
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點(diǎn)。
本文詳細(xì)介紹了Buck電路的原理以及相關(guān)器件的選型，希望可以幫到有需要的朋友。
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點(diǎn)。
2023-07-13 標(biāo)簽：三極管IC設(shè)計(jì)MOS管 2.8k 0
光伏逆變器前級往往需要先升壓，再進(jìn)行逆變。低壓通過高頻升壓的主要目的是減小逆變器體積、提高功率密度、減小損耗，提高效率。但高頻同樣也面臨諸多問題，如電磁...
電流前饋P+PI控制器設(shè)計(jì)如何實(shí)現(xiàn)？
逆變器的控制方法有：PID控制、滯環(huán)控制、無差拍控制、重復(fù)控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優(yōu)缺點(diǎn)。
現(xiàn)代設(shè)備對電源的性能要求越來越高，未來電源將向著高功率密度、高效率、低EMI、小體積等方向發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)以上需求，現(xiàn)代的電源的頻率越做越高、諧振技術(shù)也逐...
FET 的全名是“場效電晶體（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）”，先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來說明。
65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281是一個(gè)高度集成的PWM控制集成電路的反轉(zhuǎn)換器，專門為需六級能效的開關(guān)電源而設(shè)計(jì)的。
2023-07-12 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源MOS管 1.1k 0
如何用運(yùn)算放大器構(gòu)建一個(gè)簡單的過流保護(hù)電路
過流保護(hù)電路種類繁多，電路的復(fù)雜性取決于保護(hù)電路在過流情況下的反應(yīng)速度。下面這個(gè)電路使用很常見的運(yùn)算放大器構(gòu)建一個(gè)簡單的過流保護(hù)電路。
2023-07-12 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器MOS管比較器 6.7k 0
看完后，搞懂開關(guān)電源設(shè)計(jì)的這些指標(biāo)一點(diǎn)都不難！
中國一般是220V，由于電網(wǎng)電壓的不穩(wěn)定，很多時(shí)候要求寬電壓輸入，所以會設(shè)計(jì)成90-270V都能正常工作。通常美國用電范圍為110-130V，日本用電范...
2023-07-11 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電源MOS管 3.5k 0
根據(jù)STM32F207參考手的中GPIO框圖講解GPIO功能
帶FT的是說明可以容忍5V電壓的，I/O電路框圖
2023-07-11 標(biāo)簽：上拉電阻MOS管施密特觸發(fā)器 1.5k 0
我們給大家介紹了EKV模型的基本概念以及在大信號和小信號分析中的應(yīng)用。尤其在大信號分析中，EKV圖形化的方法簡單直觀，有著得天獨(dú)厚的優(yōu)勢。
針對PWM，官方的解釋是這樣：PWM，也稱脈沖寬度調(diào)制，它是一種模擬控制方式
Class-AB輸出級靜態(tài)工作點(diǎn)的偏置設(shè)計(jì)淺析
采用Class-AB輸出級設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對軌輸出，推挽的輸出方式使得其在大信號建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制，可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率。
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