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標簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一...
在日常工作過程中，難免會遇到電路板，出現(xiàn)各種各樣的故障，但是你知道怎么去維修嗎？手頭上拿到一塊板子，是不是感覺束手無策？接下來，我會帶你學習如何檢測線路...
芯片Signoff是通過什么機制去控制偏差帶來的不確定性風險的？
在芯片設計、制造、應用等各個環(huán)節(jié)都不可避免地會引入偏差，其直接造成的影響是晶體管、電阻電容以及繞線等電特性的不確定性。
如下圖所示：當PQ27控制腳G為低電平時，PQ27截止，此時PQ26的控制腳G為高電平，PQ26導通。
編碼是各種集合的元素映射到字符串的過程 。數(shù)字電路中的數(shù)字表示就是一串用已約定好的表示的 0 和 1 的組合。
先從理論上分析MOS管選型是否合理，從MOS管的規(guī)格書上獲取MOS管的參數(shù)，包括導通電阻、g、s極的導通電壓等。 在確保實際驅(qū)動電壓大于導通電...
本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測試過程的浪涌電流沖擊問題，詳細分析了MOS管緩啟動電路的RC參數(shù)，通過分析和實際對電路參數(shù)的更改，使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。
DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上，其派生方式為SDIP(Shrink DIP)，即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。
當MOS管關斷之后，在DCM工作條件下的Vds電壓變化展示如下圖所示，在波形的中段位置Vds=Vor+Vin，其中Vin是開關電源的輸入電壓，而Vor就...
LVDS ：低電壓差分信號（Low-Voltage Differential Signaling）是美國國家半導體（National Semicondu...
? 前幾天看了下阿莫論壇，一個帖子引起了我的注意，作者宋工的一批產(chǎn)品出了大問題，帖子也是非常火，蓋了100多樓，目前為止還沒有測試完畢，還沒有解決，大伙...
單端邏輯電平的匹配是我們平時在硬件設計中最經(jīng)常碰到的，我們在《TTL&CMOS電平》章節(jié)中已經(jīng)對TTL和COMS電平的匹配設計做了一些分析，一般...
在驅(qū)動MOS管時，我們希望給到MOS管柵極是標準的電壓方波波形，但是在實際情況下，我們在測得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
反激開關電源在MOS管關斷時，變壓器初級繞組漏感存儲的能量無法向次級繞組傳遞，初級繞組的漏感和MOS管的寄生電容產(chǎn)生了諧振電壓波形。
反激開關電源在不連續(xù)模式穩(wěn)態(tài)時各關鍵點的電壓和電流的開關波形
結合著原理圖，我試著解釋一下反激開關電源在不連續(xù)模式DCM穩(wěn)態(tài)時各關鍵點的電壓和電流的開關波形，不涉及具體元件參數(shù)數(shù)值。
反激開關電源的連續(xù)模式CCM和不連續(xù)模式DCM的差異，主要體現(xiàn)在變壓器設計上。這篇文章展開說明DCM將影響反激電源哪些技術參數(shù)。
2023-06-25 標簽：轉(zhuǎn)換器MOS管DCM 5k 0
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