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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)(規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替)。MO...
電容的使用環(huán)境還分電路內(nèi)部環(huán)境和電路外部環(huán)境,電路內(nèi)部環(huán)境包括頻率、電壓值、電流值、電容在電路中的主要作用等;根據(jù)電路頻率可以確定電容種類;根據(jù)電壓值可...
2022-12-14 標(biāo)簽:電容器開關(guān)電源MOS 4.2k 0
8A30V耐壓MOS管 n溝道 場效應(yīng)管(MOSFET)HC3600M介紹
型號:HC3600M 參數(shù):30V 8A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻22mR 低結(jié)電容445pF? 封裝:貼片(SOT23-3) 低開啟電壓1.5V ...
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 4.2k 0
士蘭微mos管產(chǎn)品主要包括低高壓、超結(jié)mos管,實現(xiàn)了溝槽柵低壓MOS,溝槽屏蔽柵SGT-MOS,超級結(jié)MOS和IGBT等多個產(chǎn)品的量產(chǎn),廣泛應(yīng)用于家電...
2022-06-01 標(biāo)簽:MOS 4.1k 0
HC085N10L-B特性 100V貼片MOS管15N10低壓MOS 低結(jié)電容低內(nèi)阻
型號:HC085N10L 參數(shù):100V 15A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻71mR 低結(jié)電容436pF? 封裝:貼片(SOT89-3) 低開啟電壓1...
2021-01-15 標(biāo)簽:led場效應(yīng)管MOS管 4.1k 0
Vishay發(fā)布新款MOS勢壘肖特基整流器VSSAF3L45
Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
電力電子變換器的功率等級覆蓋范圍非常廣泛,包括小功率范圍:如筆記本電腦、冰箱、洗衣機、空調(diào)等;中功率范圍電氣傳動、新能源發(fā)電等;大功率范圍:如高壓直流輸...
利用等離子體色散效應(yīng)來增強硅基電光調(diào)制器的性能
全硅等離子體色散效應(yīng)環(huán)形諧振器調(diào)制器具有誘人的發(fā)展前景。然而,其性能目前受限于調(diào)制深度和開關(guān)速度之間的權(quán)衡。
100v低壓MOS管HG1006D參數(shù) DFN3X3
參數(shù):100V 25A? 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:25mR(Vgs=10V) 30mR(Vgs=4.5V) 結(jié)電容:839pF 開啟電壓:1.7V ...
2021-01-15 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 4k 0
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅(qū)動芯片,該系列產(chǎn)品包含NSD8308(8通道)和NSD8306(6通道)兩款產(chǎn)品,內(nèi)部均集成多通...
H012N06L參數(shù)特性 替代PAO4264E 貼片MOS管SOP-8
MOS管參數(shù):60V50A 內(nèi)阻:14mR(VGS=4.5V) 結(jié)電容:550pF 類型:SGT工藝NMOS 開啟電壓:1.8V 封裝:TO-252 H...
2021-01-19 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 3.9k 0
ATA-2161高壓放大器在量子點顯示器發(fā)光MOS結(jié)中的應(yīng)用
實驗名稱:用于超高分辨率量子點顯示器的發(fā)光MOS結(jié)實驗內(nèi)容:為了避免亞微米級別發(fā)光像素之間的電學(xué)串?dāng)_和多層功能層之間的精確對準(zhǔn),我們提出了一種基于量子點...
首先三相或單相50/60HZ電源通過整流橋整——電容濾波——MOS管組成的斬波電路——變成頻率在50K以上的交流電——通過變壓器降壓——通過二極管整流——輸出
半導(dǎo)體公司的漲價函再次襲來 10家半導(dǎo)體公司7月1日起漲價
半導(dǎo)體公司的漲價函再次襲來,包括晶豐明源、必易微、集創(chuàng)北方等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體公司都發(fā)布了漲價函,漲價函生效日期多為7月1日。 1、晶豐明源:7月1日起,...
自舉電容,內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓,通過自舉電路升壓得到,比VCC高的電壓,否則,高端MOS無法驅(qū)動。
2022-11-14 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS 3.7k 0
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