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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

什么是反激電源?反激電源設(shè)計(jì)步驟和注意事項(xiàng)

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反激電源是一種電力轉(zhuǎn)換電路,能夠?qū)⒅绷麟妷恨D(zhuǎn)換成所需的交流電壓并為負(fù)載供電。反激電源的基本原理是通過控制開關(guān)器件(MOSFET、IGBT等)導(dǎo)通和截止時(shí)...

2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT轉(zhuǎn)換電路 1.5萬 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

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本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成,有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu),以及針對(duì)...

2023-11-15 標(biāo)簽:集成電路MOSFETIC設(shè)計(jì) 1.5萬 0

諧振半橋混合正反激變換器的控制策略

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前言:不對(duì)稱諧振半橋反激變換器(AHB)應(yīng)用在隔離型的直流轉(zhuǎn)直流領(lǐng)域,通過占空比調(diào)整半橋開關(guān)的高端開關(guān)的占空比實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓的控制,通過使用占空比調(diào)節(jié)方...

2023-03-20 標(biāo)簽:變壓器二極管MOSFET 1.5萬 0

最新關(guān)于全波橋式整流器的設(shè)計(jì)詳細(xì)解析

大多數(shù)電子元器件都需要一個(gè)來自AC電力線的輸入電源。對(duì)于電壓穩(wěn)壓器、開關(guān)模式電源和其它下游電子組件來說,一個(gè)全橋或半橋二極管整流器器件對(duì)正弦AC電壓波形...

2018-07-02 標(biāo)簽:二極管MOSFET電壓 1.5萬 0

MOSFET的基本特性及MOSFET開關(guān)電路

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MOSFET是一種利用場(chǎng)效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它有一個(gè)柵極。為簡(jiǎn)單起見,您可以將這個(gè)門想象成一個(gè)水龍頭,您逆時(shí)針旋...

2022-08-03 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET晶體管 1.5萬 0

一文詳解MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)漏源電阻

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分立MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻,縮寫為R DS (on)。這個(gè)R DS (on)的想法看起來非常簡(jiǎn)單:當(dāng)FET截止時(shí)...

2021-05-15 標(biāo)簽:電阻MOSFET導(dǎo)通 1.5萬 0

采用2SD315AI-33模塊實(shí)現(xiàn)高性能的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...

2018-12-12 標(biāo)簽:mosfetigbt電子器件 1.5萬 0

BLDC無位置傳感器控制方式介紹

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BLDC根據(jù)轉(zhuǎn)子的位置進(jìn)行換向控制,而轉(zhuǎn)子位置要靠位置傳感器獲取,那么這期就為大家介紹BLDC的無位置傳感器控制方式。

2025-12-30 標(biāo)簽:傳感器MOSFET電機(jī) 1.5萬 0

淺談MOSFET中柵極電阻的作用意義

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MOSFET的柵極電阻有什么關(guān)鍵作用?

2019-05-11 標(biāo)簽:MOSFET柵極電阻 1.5萬 0

pmos和nmos的工作原理 MOS應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

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在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動(dòng),實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流,因?yàn)閷?duì)電容充電瞬間可以把...

2023-08-10 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)NMOS 1.5萬 0

GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡(jiǎn)介以及其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)分析

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)...

2018-01-18 標(biāo)簽:二極管mosfet分立器件 1.5萬 0

一文詳解MOS電容器

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MOSFET是工業(yè)上應(yīng)用最成功的固態(tài)器件,是構(gòu)成高集成度的基本單元,而MOS電容器是MOSFET的核心,理解該電容器的特性是理解MOSFET工作原理的基...

2023-04-17 標(biāo)簽:電容器MOSFETMOS 1.5萬 0

mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理

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? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...

2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.5萬 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹

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垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系溃瑥膫?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。

2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET電阻器熱插拔 1.4萬 1

基于MOSFET控制的PWM型直流可調(diào)電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

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由于儀器所用電源的體積和重量通常受到限制,為此提出一種由MOSFET控制,并且由高頻變壓器隔離的開關(guān)電源設(shè)計(jì)方法。該電源具有體積小、重量輕、抗干擾性能強(qiáng)...

2017-12-06 標(biāo)簽:mosfetpwmtl494 1.4萬 0

尚陽通科技生產(chǎn)的超級(jí)結(jié)MOSFET已經(jīng)發(fā)展到第三代技術(shù)水平

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相比較于第二代產(chǎn)品,第三代N系列考慮系統(tǒng)的兼容性,可以較好的兼容客戶現(xiàn)有產(chǎn)品,滿足客戶對(duì)驅(qū)動(dòng)和EMI的適應(yīng)性要求。F系列以其最優(yōu)的開關(guān)速度,極低的柵極電...

2018-05-16 標(biāo)簽:電源MOSFET服務(wù)器 1.4萬 0

如何將驅(qū)動(dòng)器與MOSFET進(jìn)行匹配

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對(duì) MOSFET 的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量, 無論充放電過程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因 此,MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力并不影...

2018-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.4萬 0

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DC/DC是將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓值的開關(guān)穩(wěn)壓器,原理是利用電容、電感的儲(chǔ)能的特性,通過可控開關(guān)(MOSFET等)進(jìn)行高頻開關(guān)的動(dòng)作,將輸入的電能...

2024-07-08 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器開關(guān)穩(wěn)壓器 1.4萬 0

功率MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過...

2022-07-08 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率半導(dǎo)體 1.4萬 0

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2023-06-25 標(biāo)簽:集成電路CMOSMOSFET 1.4萬 0

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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