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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗:見(jiàn)文識(shí)意,開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)損耗 2.2k 0
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器是一種常見(jiàn)的電子設(shè)備,用于穩(wěn)定電壓輸出。它的工作原理基于開(kāi)關(guān)電源技術(shù)。
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFET電感器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 2.2k 0
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開(kāi)關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2.2k 0
在選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)時(shí),需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的指南...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.2k 0
MOSFET規(guī)格相關(guān)的術(shù)語(yǔ)集
之前介紹了MOSFET的特征和特性。不僅MOSFET的規(guī)格書(shū),一般規(guī)格書(shū)(技術(shù)規(guī)格書(shū))中都會(huì)記載電氣規(guī)格(spec),其中包括參數(shù)名稱(chēng)和保證值等。
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的適用范圍 使用注意事項(xiàng)
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器是通過(guò)一個(gè)快速開(kāi)關(guān)管,如MOSFET或BJT,來(lái)將輸入電壓交替導(dǎo)通和截止,從而產(chǎn)生高頻脈沖信號(hào)。在穩(wěn)壓器的輸出端,這些脈沖信號(hào)通過(guò)濾波電路...
2023-02-28 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器濾波電路 2.1k 0
同步整流可提高效率,同時(shí)也能夠極大地幫助瞬態(tài)負(fù)載調(diào)節(jié)。它為電源預(yù)加載提供了一種高效的方法。另外,相比擺動(dòng)電感,它還擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性。
柵控二極管的工作原理基于電子輸運(yùn)過(guò)程中的沖擊電離效應(yīng)。當(dāng)電子從n型區(qū)域進(jìn)入p型區(qū)域時(shí),由于內(nèi)部電場(chǎng)的作用,電子的能量增加。
功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)技術(shù)解析
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè) 2.1k 0
適用于48V電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)的80V雙門(mén)極MOSFET及其應(yīng)用仿真詳解
現(xiàn)代車(chē)輛電氣系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)變得越來(lái)越復(fù)雜。這是由于負(fù)載數(shù)量的增加,從鉛酸電池轉(zhuǎn)變?yōu)殇囯x子或其他類(lèi)型電池,以及對(duì)失效可操作等功能安全措施的需求。
安世半導(dǎo)體P溝道LFPAK56 MOSFET特性概述
Nexperia(安世半導(dǎo)體)將向您展示H橋直流電機(jī)控制電路參考設(shè)計(jì)。 H橋電路是一個(gè)全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器,支持有刷直流電動(dòng)機(jī)(最大電壓48 V、最小電...
2024-07-25 標(biāo)簽:MOSFET安世半導(dǎo)體 2.1k 0
示波器數(shù)學(xué)函數(shù)有助于熱插拔電路分析
數(shù)字示波器是大多數(shù)工程實(shí)驗(yàn)室的常態(tài),但您可能還沒(méi)有充分探索它們的功能。數(shù)字示波器更有趣的功能之一是“數(shù)學(xué)”通道,它可以以新穎的方式應(yīng)用于簡(jiǎn)化和擴(kuò)展熱插拔...
碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢(shì)
隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 標(biāo)簽:MOSFET逆變器芯片設(shè)計(jì) 2.1k 0
ADI Trinamic TMC6140-LA 3相BLDC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. TMC6140三相BLDC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化用于永磁同步電機(jī) (PMSM) 和無(wú)刷直流 (BLDC) ...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFET永磁同步電機(jī)Analog 2.1k 0
N+緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)MCT瞬態(tài)特性(TLP)的影響
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn),雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中,隨著外延層(或單晶)厚度、電阻率的的增加,MOSF...
德州儀器UCC21717-Q1隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCC21717-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)1700V SiC MOSFET和IGBT。它具有高級(jí)集...
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