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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

LT8310/LT1431正激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計具有簡單的原理圖和較少的組件數(shù)量

LT8310/LT1431正激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計具有簡單的原理圖和較少的組件數(shù)量

LT?8310 是一款具有一個低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器的恒定頻率諧振復(fù)位正激式轉(zhuǎn)換器控制器。LT8310 具有一個 6V 至 100V ...

2023-04-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器控制器 2.1k 0

ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡介和常見問題解答

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ARK(方舟微)研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主(包括具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓(UltraVt?)耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品...

2023-11-07 標(biāo)簽:ESDMOSFETJFET 2.1k 0

數(shù)字控制可實現(xiàn)具有有源緩沖功能的高可靠性DC-DC電源轉(zhuǎn)換

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本文展示了有源鉗位緩沖電路的數(shù)字實現(xiàn),用于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高輸出電流應(yīng)用。所提出的有源箝位方案具有多種優(yōu)點,例如較低的箝位電壓導(dǎo)致較低的MOS...

2023-04-23 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 2.1k 0

三相電機(jī)的磁場定向控制

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2022-05-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器電動機(jī) 2.1k 0

東芝推出集成快速恢復(fù)體二極管的DTMOSVI系列產(chǎn)品

2021年11月初,新一輪國際能源氣候大會在英國舉辦,會上確定了各國碳中和、碳達(dá)峰的時間表。對此,中國也制定出了符合發(fā)展中國家國情的“雙碳3060”戰(zhàn)略...

2022-03-28 標(biāo)簽:MOSFET封裝 2.1k 0

高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率?影響高壓電源轉(zhuǎn)換效率的主要因素

高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率是指在電源將高壓輸入轉(zhuǎn)換為所需的輸出電壓時,能夠?qū)⒍嗌佥斎牍β兽D(zhuǎn)化為有用的輸出功率的比例。

2023-09-04 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 2.1k 0

使用4200A-SCS軟件和矩陣開關(guān)搭建可靠性評估平臺

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在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子(CHC)誘導(dǎo)的退化是一個重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...

2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFETNMOS矩陣開關(guān) 2.1k 0

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對策

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本文的關(guān)鍵要點:通過采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來防止LS導(dǎo)通時的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動IC沒有驅(qū)動米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則...

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET柵極SiC 2.1k 0

利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源

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在傳統(tǒng)的有源鉗位設(shè)計中,初級MOSFET和有源鉗位開關(guān)以互補(bǔ)方式進(jìn)行工作(因此這些鉗位電路被稱為“互補(bǔ)模式有源鉗位”電路)。

2021-10-27 標(biāo)簽:變壓器MOSFET氮化鎵 2.1k 0

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2MHz開關(guān)頻率條件下工作時的第一個也是最重要的考慮因素是轉(zhuǎn)換器的最小接通時間。在降壓轉(zhuǎn)換器中,當(dāng)高側(cè)MOSFET導(dǎo)通時,它在關(guān)閉前必須保持最小的導(dǎo)通時...

2023-04-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETPCB 2.1k 0

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在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,氮化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能而受到廣泛關(guān)注。SiCMOSFET以其高效率、高溫耐受性...

2025-01-06 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 2.1k 0

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2023-12-07 標(biāo)簽:MOSFET漏極電流 2.1k 0

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同步降壓轉(zhuǎn)換器有哪些優(yōu)缺點

同步降壓轉(zhuǎn)換器(Synchronous Buck Converter)作為一種高效的直流電壓轉(zhuǎn)換裝置,在電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。其通過控制開關(guān)管的導(dǎo)通...

2024-08-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)管同步降壓轉(zhuǎn)換器 2.1k 0

意法半導(dǎo)體推 PWD13F60 節(jié)省電路板空間60% 還能提升最終應(yīng)用的功率密度

意法半導(dǎo)體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路,能夠為工業(yè)...

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車用電器短路保護(hù)和過流保護(hù)措施

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雖然車上的電器的供電由保險絲盒提供,一般情況下,當(dāng)車上的電器發(fā)生短路時,保險絲盒的保險絲會熔斷,切斷電源,起到保護(hù)電器以及電路的作用。

2023-09-20 標(biāo)簽:三極管繼電器pcb 2.1k 0

應(yīng)用手冊 | 650V CoolMOS? CFD7A系列詳解

為滿足電動汽車市場的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化,可以滿足電動汽車應(yīng)...

2020-05-31 標(biāo)簽:電動汽車英飛凌MOSFET 2.1k 0

快速入門碳化硅特性和應(yīng)用

在SiC的BaSiC博客系列中,我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應(yīng)用的快速入門開始。

2023-02-14 標(biāo)簽:MOSFET電力電子SiC 2.1k 0

增強(qiáng)性能的100符柵極驅(qū)動器提升先進(jìn)通信電源模塊的效率

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UCC27282 120V半橋驅(qū)動器具有多項新特性和參數(shù)改進(jìn),有助于實現(xiàn)更高水平的電源模塊性能和穩(wěn)健性。EN引腳上的低電平信號可禁用驅(qū)動器,將UCC27...

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    海思
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    +關(guān)注
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  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
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