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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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12V1A路由器開關(guān)電源芯片U6773S可提高WiFi速度
WiFi技術(shù)可以算的上是近幾年來偉大的發(fā)明之一。它徹底改變了人們的生活,改變了智能設(shè)備對網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)的接受方式。
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET路由器開關(guān)電源芯片 2.2k 0
溝道有效遷移率(μeff)是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP(Ultra-Fast...
放大器是一種電子設(shè)備,用于增強(qiáng)輸入信號的幅度,它是唱片播放器或CD播放器等音頻源以及均衡器、前置放大器和揚(yáng)聲器等其他設(shè)備的重要組成部分。放大器的子類別是...
Q關(guān)斷,集電極電壓開始上升到2Vdc,電容C限制集電極電壓的上升速度,并減小上升電壓和下降電流的重疊,減低開關(guān)管Q的損耗。
2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源變換器 2.2k 0
碳化硅(SiC)已經(jīng)成為一個明確的選擇,因?yàn)樗呀?jīng)成熟并且是第三代?;?SiC 的 FET 具有許多性能優(yōu)勢,特別是在效率、更高的可靠性、更少的熱管理...
典型的二極管OR系統(tǒng)是贏家通吃的系統(tǒng),其中最高電壓電源提供整個負(fù)載電流。這種一次一個供應(yīng)的方案沒有充分利用這兩種供應(yīng)。另一方面,LTC4370 的均流二...
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...
Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅(qū)動器是一款高度可配置的隔離式柵極驅(qū)動器,具有可調(diào)壓擺率,用于在電動汽車和...
【CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識】——受歡迎的CMOS邏輯IC
在上期的芝識課堂中,我們和大家簡單認(rèn)識了邏輯IC的基本知識和分類,并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
近日,中國科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(IEEE ISPSD)。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...
開關(guān)電源是通過功率管打開時給電感充電,電感儲能;功率管斷開時,電感釋放能量,從而實(shí)現(xiàn)電壓變換。開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間...
2023-09-08 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源元器件 2.2k 0
UltraVt超高閾值耗盡型MOSFET的應(yīng)用原理
ARK(方舟微)研發(fā)的UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET包括耐壓70V的DMZ0622E系列、耐壓100V的DMZ(X)1015E系列、耐壓1...
兩個寬輸入范圍單片式開關(guān)穩(wěn)壓器簡化轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
LT?3957 和 LT3958 是高功率單片式開關(guān) 可產(chǎn)生正輸出或負(fù)輸出的穩(wěn)壓器 從寬輸入電壓范圍。LT3957 可工作 輸入范圍為 3V 至 40V...
2023-01-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 2.2k 0
本文介紹了隧穿晶體管的原理及它的優(yōu)勢。 ? 我們所處的這個由永遠(yuǎn)在線的個人電腦、平板電腦和智能手機(jī)構(gòu)成的世界的誕生,要?dú)w功于一個了不起的趨勢:金屬氧化物...
?DRV8334三相智能柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8334是一款用于三相BLDC應(yīng)用的集成智能柵極驅(qū)動器。該器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。...
**半導(dǎo)體是如何實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的?** 物質(zhì)能否導(dǎo)電取決于構(gòu)成物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)中是否存在自由電子(負(fù)電荷)或者空穴(正電荷),統(tǒng)稱為載流子。導(dǎo)電能力的大小...
本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?;谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfs...
2025-02-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET碳化硅 2.2k 0
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