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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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HJ4205步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路詳解
HJ4205是一款步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。包含一個(gè)步進(jìn)電機(jī)控制器和內(nèi)部N溝道MOSFET,來驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)或兩個(gè)刷式直流電機(jī)。HJ4205支持全步進(jìn)到1...
2025-05-07 標(biāo)簽:MOSFET控制器步進(jìn)電機(jī) 2.1k 0
UCC21755-Q1汽車級(jí)SiC/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析
Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于高達(dá)2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC2175...
2025-08-27 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 2.1k 0
智能手機(jī)發(fā)展至今,各類設(shè)計(jì)層出不窮,有一些設(shè)計(jì)比如LTPO、素皮、戰(zhàn)術(shù)鏡頭等被稱為反人類設(shè)計(jì),飽受爭議,但也有消費(fèi)者覺得有趣可接受。
我印象中以前普遍都是將示波器的地線夾子去了,換彈簧夾子(因?yàn)檫@個(gè)本身的夾子與地線會(huì)形成環(huán)路,像一個(gè)天線接收雜訊,引入一些不必要的雜訊),此外,在探頭上并...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管,這意味著它通過使用電場(chǎng)來控制電流。MOSFET 通常有三個(gè)端子:柵極、漏極和源極。漏極和...
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...
耗盡型MOSFET為負(fù)載提供過壓保護(hù)的應(yīng)用
在上述電路中,選擇合適的穩(wěn)壓二極管VD1,即可得到穩(wěn)定的輸出電壓Vout。
2023-11-08 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET穩(wěn)壓二極管 2.1k 0
提高電流能力并簡化反激式轉(zhuǎn)換器的熱設(shè)計(jì)
在反激式轉(zhuǎn)換器中,大電流應(yīng)用中的電流水平受到輸出整流二極管中產(chǎn)生的熱量的限制。解除這一限制的明確方法是用壓降低得多的MOSFET代替二極管,從而顯著減少...
2023-04-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETldo 2.1k 0
【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之八:低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
低電流范圍內(nèi)電氣表征的典型問題是:必需確定低功率/低漏流MOSFET在不同條件下可實(shí)現(xiàn)的器件性能。
眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)...
2023-07-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC-MOSFET碳化硅芯片 2.1k 0
通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果,來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)...
簡單的PSPICE模型可預(yù)測(cè)MAX8546的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)
MAX8546為低成本、寬輸入電壓范圍、降壓型控制器,具有折返電流限制。其 300kHz 開關(guān)頻率非常適合與低成本外部元件(如鐵粉電感器和鋁電解電容器)...
測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
多功能LTC3830和LTC3832實(shí)現(xiàn)降壓、升壓和反相應(yīng)用的設(shè)計(jì)
本文介紹了幾種使用 LTC3830 實(shí)現(xiàn)降壓、升壓和反相應(yīng)用的設(shè)計(jì)。在任何這些設(shè)計(jì)中,LTC3832 均可代替 LTC3830。只需對(duì)反饋電阻分壓器和補(bǔ)...
2023-03-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 2k 0
柵極接地NMOS是一種廣泛應(yīng)用的片上ESD器件結(jié)構(gòu),為達(dá)到特定ESD防護(hù)等級(jí),一般會(huì)采用多叉指版圖形式來減小器件占用的芯片面積。但是,多叉指柵極接地NM...
?STP80N1K1K6:基于MDmesh K6技術(shù)的超高效功率MOSFET解析
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術(shù),利用了20年的超級(jí)結(jié)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。STMic...
功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指...
靈活的熱插拔限流器可實(shí)現(xiàn)熱保護(hù)
應(yīng)用筆記介紹了一種采用熱插拔控制器和外部MOSFET的柔性限流電路。電路具有可設(shè)置的電流限制和通過熱敏電阻反饋的可選熱保護(hù)。
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