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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

車規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)

車規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)

雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過(guò)VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能...

2023-08-31 標(biāo)簽:MOSFET參數(shù)N溝道 2k 0

功率半導(dǎo)體類型及特點(diǎn)

功率半導(dǎo)體的類型有多種,其中最常用的是MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(可控硅晶體管)和SCR(可控整流器)。MOSFET是一種可...

2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2k 0

提升車載充電器效率的電池充電解決方案

提升車載充電器效率的電池充電解決方案

電動(dòng)汽車(EV)市場(chǎng)的發(fā)展相當(dāng)迅猛,但是汽車電池的充電速度與所需耗費(fèi)的時(shí)間,仍是電動(dòng)汽車發(fā)展的主要阻礙,如何提升汽車電池的充電速度與效率,將會(huì)是電動(dòng)汽車...

2023-09-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET充電器 2k 0

60V、4A同步單芯片降壓型穩(wěn)壓器具有軌到軌操作

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與大多數(shù) DC/DC 控制器和穩(wěn)壓器相比,LTC3649 的輸出電壓可由單個(gè)電阻器或其內(nèi)部誤差放大器的基準(zhǔn)來(lái)設(shè)置。它還具有電流監(jiān)控輸出 I星期一.LTC...

2023-01-06 標(biāo)簽:MOSFET控制器穩(wěn)壓器 2k 0

適配器電源芯片U6221的工作原理

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在電子設(shè)備中,電源芯片起到“電器中樞”的作用,它是電力的輸入和處理節(jié)點(diǎn),能夠?yàn)槠渌娐诽峁┓€(wěn)定的電源電壓。電源芯片是電子設(shè)備中重要的核心部件之一,同時(shí)也...

2024-08-28 標(biāo)簽:MOSFET適配器電源芯片 2k 0

MOS管知識(shí)點(diǎn)總結(jié):它憑什么成為現(xiàn)代電力電子的主角?

MOS管制造工藝會(huì)造成內(nèi)部D極與S極之間存在一個(gè)寄生二極管,其作用:一是電路有反向電壓時(shí),為反向電壓提供續(xù)流,避免反向電壓擊穿MOS管;二是當(dāng)DS兩級(jí)電...

2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFETMOS管晶體管 2k 0

基于FET的100W音頻放大器電路圖

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該 100W 音頻放大器設(shè)計(jì)采用兩個(gè) V-MOSFET 晶體管技術(shù)作為輸出級(jí),可在 4 Ω 負(fù)載下提供 100W 輸出。重要的是,通過(guò)添加散熱器或風(fēng)扇等...

2023-08-09 標(biāo)簽:電路圖MOSFET音頻放大器 2k 0

使用先進(jìn)的開關(guān) IC 實(shí)現(xiàn)高效、功能豐富的小功率 AC/DC 電源

使用先進(jìn)的開關(guān) IC 實(shí)現(xiàn)高效、功能豐富的小功率 AC/DC 電源

作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-08-13 功率約為 10 W 或更低的小功率 AC/DC 電源廣泛應(yīng)用于...

2024-10-02 標(biāo)簽:電源MOSFET濾波器 2k 0

LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點(diǎn)

LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點(diǎn)

在下面的表格中,匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時(shí),LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點(diǎn)。LLC轉(zhuǎn)換器通過(guò)部分諧振方式實(shí)現(xiàn)ZVS工作,部分諧...

2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 2k 0

設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)

設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)

我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù),還分析了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和MOSFET特性之間的差異,并了解了為什么MOSFET更...

2023-06-05 標(biāo)簽:放大器MOSFET功率放大器 2k 0

PCB板幾種典型的通用ESD保護(hù)電路

使用高壓電容進(jìn)行電路保護(hù):該做法通常將耐壓至少為1.5KV的陶瓷電容放置在I/O連接器或者關(guān)鍵信號(hào)的位置,同時(shí)連接線盡可能的短,以便減小連接線的感抗。若...

2023-03-29 標(biāo)簽:CMOSESDpcb 2k 0

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低,SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì),但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比,...

2022-11-14 標(biāo)簽:MOSFETFETSiC 2k 0

功率器件的分類及對(duì)比分析

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作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域,并且將進(jìn)一步保持增長(zhǎng)到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。

2023-09-15 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET逆變器 2k 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

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隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及...

2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓 2k 0

碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)中的研究

我國(guó)擁有世界最大的汽車消費(fèi)市場(chǎng),為堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展基本國(guó)策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟(jì)的電動(dòng)汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動(dòng)汽車突然沒電引起的焦慮問(wèn)題主要有...

2023-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率器件 2k 0

新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹

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150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用全新屏蔽柵溝槽技術(shù),特征導(dǎo)通電阻Rsp(導(dǎo)通電阻Ron*芯片面積AA)相對(duì)上一代降低43.8%,具...

2024-08-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET新潔能 2k 0

如何進(jìn)行電源效率測(cè)試 有哪些注意事項(xiàng)

如何進(jìn)行電源效率測(cè)試 有哪些注意事項(xiàng)

效率是電源測(cè)試中十分常見的測(cè)試項(xiàng),高效的電源表現(xiàn)是眾多廠家一直追求的目標(biāo)。在芯片的規(guī)格書中,一般會(huì)提供幾種常見輸入輸出應(yīng)用下的效率曲線。當(dāng)我們實(shí)際的應(yīng)用...

2023-09-06 標(biāo)簽:串聯(lián)萬(wàn)用表MOSFET 2k 0

電源設(shè)計(jì)的基本原理與關(guān)鍵部件

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了解電源設(shè)計(jì)的基本原理對(duì)于避免故障和確保高速單片機(jī)、存儲(chǔ)芯片和邏輯IC滿足設(shè)計(jì)預(yù)期非常重要。在本文中,英銳恩單片機(jī)開發(fā)工程師將介紹電源設(shè)計(jì)的基本原理,提...

2022-07-26 標(biāo)簽:變壓器MOSFET電源設(shè)計(jì) 2k 0

MOSFET調(diào)整元件產(chǎn)生100mV壓差穩(wěn)壓器

MOSFET調(diào)整元件產(chǎn)生100mV壓差穩(wěn)壓器

在該設(shè)計(jì)中,當(dāng)電壓轉(zhuǎn)換器(MAX100)升壓輸入電壓以驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)n溝道MOSFET的穩(wěn)壓器(MAX680)時(shí),不會(huì)產(chǎn)生666mV壓差穩(wěn)壓器。該電路使用n溝...

2023-06-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET穩(wěn)壓器 2k 0

200W MOSFET放大器電路圖

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該 200 瓦 MOSFET 放大器電路基于傳統(tǒng)圖解:對(duì)稱差分輸入級(jí)、共源共柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 輸出級(jí)。它很容易用通用組件構(gòu)建,而且價(jià)格便宜。該...

2023-08-24 標(biāo)簽:放大器電路圖MOSFET 2k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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    TMS320F28335
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    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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